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1
CN112185811A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185811A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 201910600084.5 Filing Date: 2019-07-04 Inventor: 纪世良   李锦锦   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/308 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供待刻蚀层,待刻蚀层上具有第一牺牲层,第一牺牲层内具有第一开口和第二开口;在第一牺牲层顶部表面、第一开口内、以及第二开口内形成第一侧墙材料层;在第一侧墙材料层表面形成第二侧墙材料层,以在第二开口内形成第三开口;采用第一干法刻蚀工艺刻蚀第二侧墙材料层,直至暴露出第二开口底部和侧壁表面的第一侧墙材料层为止,并在第一开口内的第一侧墙材料层表面形成过渡层;以过渡层为掩膜,采用第二干法刻蚀工艺刻蚀第二开口底部暴露出的第一侧墙材料层,在第二开口侧壁表面形成第二侧墙;形成第二侧墙之后,去除过渡层以及第一牺牲层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
2
CN109817579B
一种半导体器件的制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109817579B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201711159947.7 Filing Date: 2017-11-20 Inventor: 张立群   陈荣堂   王志玮   徐宽   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L21/8234 Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底中的源漏区形成有沟槽;由表征所述所述沟槽纵向尺寸的纵向参数和表征所述沟槽横向尺寸的横向参数拟合出新的参数,所述新的参数与所述半导体器件的ISAT之间具有相关性;向所述沟槽内填充应力层,在所述填充的步骤中,根据所述新的参数控制所述应力层的过填充高度。本发明提供的半导体器件的制造方法,通过控制应力层的过填充高度而补偿了应力层的纵向尺寸和横向尺寸对半导体器件的影响,从而提高了半导体器件的一致性。
3
CN107093564B
一种全纵深高分辨在线实时气泡监控装置及监控方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107093564B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201610091925.0 Filing Date: 2016-02-18 Inventor: 刘喜亮   何伟明   伍强   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L21/66 Abstract: 本发明涉及一种全纵深高分辨在线实时气泡监控装置及监控方法。所述监控方法包括:选用成像镜头对流动有聚合材料的管路进行往返扫描并成像,以对所述管路中的气泡进行实时监控;其中,所述扫描沿所述管路的径向方向并且振幅为所述管路的直径;在所述往返扫描过程中控制所述成像镜头的移动速度,以避免对同一气泡或聚合材料区域重复扫描。本发明提出一种全纵深高分辨在线实时气泡监控方法,该方法通过高分辨透镜组在沿垂直光阻管路方向做扫描动作,可以有效实现对光阻管路做高分辨全纵深成像,做到及时准确地监测光阻管路气泡状况,结合气泡报警系统可以有效的防止由于气泡导致的产品缺陷,提高光刻工艺量率。
4
CN107306133B
一种分频器及频率合成器
Grant
Publication/Patent Number: CN107306133B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201610240684.1 Filing Date: 2016-04-18 Inventor: 薛盘斗   冯光涛   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H03L7/18 Abstract: 本发明提供一种分频器及频率合成器,包括:第一触发器、第二触发器和反相器,其中,第一触发器的输出端连接第二触发器的输入端和反相器的输出端,第二触发器的输出端连接反相器的输入端和第一触发器的输入端,反相器的控制端连接控制信号,在第一触发器和电源电压之间设置控制模块,控制模块连接控制信号,控制模块用于控制第一触发器和电源电压之间的连接和断开,控制信号为第一模式信号时,只有第二触发器工作,实现N分频,控制信号为第二模式信号,且第二触发器的输出信号为第二模式信号时,实现N+1分频。本发明的分频器去除了或门结构,通过控制逻辑使输出信号高电平延长一个时钟周期,实现2分频到3分频的转换,降低了分频器的功耗。
5
CN108933132B
半导体器件及其形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108933132B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201710372635.8 Filing Date: 2017-05-24 Inventor: 张城龙   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L27/06 Abstract: 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上具有栅极结构、第一保护层和第一介质层,第一保护层位于栅极结构的顶部表面,第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面;在部分第一介质层上形成电阻结构,所述电阻结构包括停止层和位于停止层顶部表面的电阻核心层;在电阻结构和第一介质层上和第一保护层表面形成第二介质层;采用第一刻蚀工艺刻蚀第一保护层上的第二介质层、电阻核心层以及电阻核心层上的第二介质层直至暴露出第一保护层和停止层,形成第一栅极通孔和第一开口,第一栅极通孔位于第一保护层上的第二介质层中,第一开口贯穿电阻核心层和第二介质层。所述方法使半导体器件的性能提高。
6
CN107294513B
晶体振荡器电路
Grant
Publication/Patent Number: CN107294513B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201610192695.7 Filing Date: 2016-03-30 Inventor: 冯二媛   苏振江   郭振业   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H03K3/351 Abstract: 一种晶体振荡器电路,包括:晶振起振电路,所述晶振起振电路的第一输出端和第二输出端分别输出第一振荡信号和第二振荡信号;放大电路,所述放大电路的第一输入端和第二输入端分别输入有基准电压信号和所述第二振荡信号,所述放大电路的输出端连接所述晶振起振电路的第一输出端;波形转换电路,适于将所述第二振荡信号转换为第一矩形波信号。本发明晶体振荡器电路的占空比连续可调,可以更好地满足数字电路中对时钟源输出的矩形波信号的需求。
7
CN110034097B
半导体结构及其形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110034097B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201810029725.1 Filing Date: 2018-01-12 Inventor: 舒强   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L23/544 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在器件区形成第一器件结构和第二器件结构,并在所述标记区形成标记结构,所述标记结构具有第一旋转中心,所述标记结构包括多个标记部,所述标记部包括第一支部和第二支部,所述第一支部用于标记第一器件,结构所述第二支部用于标记第二器件结构;在所述器件区上形成图形化的第一图形层,并在所述标记区形成测试标记。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。
8
CN112241102A
光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112241102A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201910655742.0 Filing Date: 2019-07-19 Inventor: 杜杳隽   李亮   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: G03F1/36 Abstract: 一种光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法,其中光学临近修正方法包括:提供目标图形;增大目标图形的边长,形成初始图形;对初始图形进行修正,获得对应的第一修正图形;形成辅助图形,辅助图形包围第一修正图形;将第一修正图形和辅助图形进行差异因子比较;如果差异因子的值大于预定阈值,增大所第一修正图形对应的目标图形的面积,形成修正目标图形;对第一修正图形进行过程修正,获取对应的过程修正图形;重复上述进行差异因子比较的步骤,直至修正满足的预定次数;对形成的第一修正图形和过程修正图形进行最终修正,获取修正图形。本发明保证光刻图形转移到晶圆上的准确性,保证形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。
9
CN107818801B
灵敏放大器电路和存储器
Grant
Publication/Patent Number: CN107818801B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201610824571.6 Filing Date: 2016-09-14 Inventor: 柯蕾   李智   刘晓庆   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: G11C7/06 Abstract: 本发明提供一种灵敏放大器电路和存储器,所述灵敏放大器电路包括用于所述灵敏放大器电路中的交叉耦合反相器的预充电电路模块,所述预充电电路模块包括四个预充电晶体管,所述交叉耦合反相器经由所述四个预充电晶体管和一对传输晶体管连接到一对位线信号。本发明所提供的灵敏放大器电路和存储器采用传输晶体管和预充电晶体管连接位线信号和交叉耦合反相器,能够更快速开始进行放大操作,提高读裕量。
10
CN108962875B
介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108962875B Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 201710392032.4 Filing Date: 2017-05-27 Inventor: 邓浩   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L23/538 Abstract: 本发明提供一种介质阻挡层及其制造方法、互连结构及其制造方法,所述介质阻挡层包括依次层叠的未掺杂的第一金属化合物层、掺杂的第二金属化合物层和未掺杂的第三金属化合物层,能够提供更好的粘附性和互连金属扩散阻挡能力,获得较低的线电阻和良好的电迁移性能。利用原子层沉积形成未掺杂的第一金属化合物层,并采用物理气相沉积形成所述未掺杂的第三金属化合物层,从而提供更好的覆盖性能和粘附力,降低对覆盖表面的损伤,同时为后续刻蚀工艺提供更好地刻蚀停止层效果。在掺杂的第二金属化合物层和未掺杂的第三金属化合物层之间增加一含有键合物质的粘附层,可以在后续经历退火后,大大增强粘附性。
11
CN112349323A
SRAM电路
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349323A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201910722100.8 Filing Date: 2019-08-06 Inventor: 张欢   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: G11C11/412 Abstract: 一种SRAM电路,所述SRAM电路包括:读单元以及写单元,其中:所述读单元,与所述写单元连接,包括至少一个负电容晶体管,适于读数据;所述写单元,与所述读单元连接,包括至少一个负电容晶体管,适于写数据;其中,所述读单元的至少一个负电容晶体管和所述写单元的至少一个负电容晶体管在SRAM电路中不对称设置。采用上述方案,可以提高SRAM的读写能力。
12
CN112309461A
SRAM存储结构、存储器及控制方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112309461A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910672677.2 Filing Date: 2019-07-24 Inventor: 方佳斌   王颖倩   张欢   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: G11C11/417 Abstract: 一种SRAM存储结构、存储器及控制方法,所述SRAM存储结构包括:第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入端为所述存储结构的第一存储节点,所述第二反相器的输入端为所述存储结构的第二存储节点;控制单元,用于在所述第一存储节点写入高电位时控制所述第一存储节点与所述第二反相器隔离,在所述第二存储节点写入高电位时控制所述第二存储节点与所述第一反相器隔离,避免了存储节点在写入高电位时,被对应的反相器制约,从而提高了器件的写噪声容限。
13
CN112310198A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112310198A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910701237.5 Filing Date: 2019-07-31 Inventor: 周飞   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L29/423 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底、位于衬底上的源掺杂层以及位于源掺杂层上的层间介质层;刻蚀层间介质层,形成通孔;在通孔的侧壁上形成牺牲层;在牺牲层之间的源掺杂层上形成半导体柱;在半导体柱顶部形成漏掺杂区;形成漏掺杂区后,去除牺牲层,形成第一开口;在第一开口中形成栅极结构,栅极结构包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂区。本发明实施例通孔的直径大于后续形成的半导体柱的直径,通孔侧壁与衬底法线之间的夹角较小,从而半导体柱侧壁与衬底的法线夹角较小,也就是说,半导体柱顶端的尺寸与半导体柱底端的尺寸相差较小,有利于提高半导体结构的电学性能。
14
CN112309978A
半导体结构的形成方法、晶体管
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112309978A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910701223.3 Filing Date: 2019-07-31 Inventor: 郑二虎   苏博   张婷   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L21/8234 Abstract: 一种半导体结构的形成方法、晶体管,形成方法包括:提供基底,基底上形成有一个或多个堆叠的核心材料层;对每一个核心材料层进行自对准图形化处理,形成用于刻蚀基底的基底掩膜层,自对准图形化处理的步骤包括:刻蚀核心材料层,形成初始核心层;采用氢气和氢的同位素气体中的一种或多种,对初始核心层进行退火处理,形成核心层;在核心层的侧壁上形成侧墙层,作为下一层核心材料层的刻蚀掩膜,或者作为基底掩膜层;以基底掩膜层为掩膜刻蚀基底,形成目标图形。自对准图形化处理的过程中,图形传递精度高,使得后续形成的基底掩膜层的侧壁的面粗糙度较低,进而使得后续形成的目标图形的侧壁的面粗糙度较低,有利于提高半导体结构的电学性能。
15
CN106653599B
半导体装置及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN106653599B Publication Date: 2021-03-16 Application Number: 201510733008.3 Filing Date: 2015-11-02 Inventor: 周飞   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L21/329 Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。其中,方法包括:提供包括半导体衬底和在衬底上的多个半导体鳍片的衬底结构;在各鳍片之间形成隔离区以至少基本填充满各鳍片之间的空间;对衬底结构的至少一部分进行第一掺杂,以形成至少部分地在衬底中且与多个鳍片中的一部分鳍片邻接或者交叠的阱区;去除隔离区的一部分以露出多个鳍片中各鳍片的至少一部分;对多个鳍片中的与阱区邻接或者交叠的第一组鳍片的每一个鳍片的至少一部分进行第二掺杂以形成第一掺杂区;对多个鳍片中的与第一组鳍片不同的第二组鳍片的每一个鳍片的至少一部分进行第三掺杂,以形成第二掺杂区;第一掺杂区具有与第二掺杂区不同、与阱区相同的导电类型。
16
CN108321089B
半导体结构及其形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108321089B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201710036237.9 Filing Date: 2017-01-17 Inventor: 张城龙   张海洋   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:形成基底,包括衬底、位于衬底上的鳍部、横跨鳍部的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区、以及覆盖源漏掺杂区的第一刻蚀停止层;在栅极结构顶部上形成保护层;在第一刻蚀停止层和保护层上形成层间介质层;以第一刻蚀停止层为停止层,刻蚀源漏掺杂区上方的层间介质层,形成第一通孔;以保护层为停止层,刻蚀栅极结构上方的层间介质层,形成第二通孔;沿第一通孔刻蚀第一刻蚀停止层,形成露出源漏掺杂区的第一接触孔;对源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺;预非晶化注入工艺后,去除第二通孔底部的刻蚀保护层,形成露出栅极结构的第二接触孔。通过所述保护层,可以防止栅极结构和源漏掺杂区受损。
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CN107492493B
晶体管的形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107492493B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201610407414.5 Filing Date: 2016-06-12 Inventor: 张海洋   刘盼盼   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 本发明提供一种晶体管的形成方法,包括:形成基底;在所述基底中形成凹坑;在所述凹坑底部形成纳米材料层;在所述凹坑中的纳米材料层表面形成量子点,以在凹坑内形成沟道层。由于量子点对进入量子点的电子具有很强的束缚作用,从而能够减少沟道漏电流,改善晶体管性能。且电子在电压的作用下能够利用隧穿效应从一个量子点跳跃到另一个量子点,从而实现晶体管器件的导通,这种方向单一的电子移动方式能够降低能够损耗,提供半导体结构性能。此外,量子点为准零维的纳米材料,尺寸较小,有利于减小晶体管尺寸。
18
CN108122965B
半导体结构及其形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108122965B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201611073837.4 Filing Date: 2016-11-29 Inventor: 赵海   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L29/10 Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,衬底包括隔离区和器件区,隔离区与器件区接触,器件区衬底上具有鳍部;在衬底上形成初始隔离结构;对隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀,使隔离区初始隔离结构表面低于所述器件区初始隔离结构表面,在隔离区初始隔离结构中形成隔离凹槽和位于隔离凹槽底部的隔离层;在隔离凹槽中形成保护层;形成保护层之后,对所述器件区初始隔离结构进行第二刻蚀,在第二刻蚀过程中,保护层的刻蚀速率小于所述初始隔离结构的刻蚀速率。对隔离区隔离结构进行刻蚀,能够降低隔离区初始隔离结构的高度,从而使所述第二刻蚀不容易暴露出所述隔离层侧壁,进而能够减少第二刻蚀对隔离区隔离层的损耗。
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CN109277940B
一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109277940B Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 201710597776.X Filing Date: 2017-07-20 Inventor: 宁威   任保军   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: B24B37/10 Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法,所述装置包括:研磨头清洗装置,所述研磨头清洗装置在化学机械研磨后对研磨头进行清洗。根据本发明的化学机械研磨装置和化学机械研磨方法,对半导体晶圆进行化学机械研磨后对研磨头进行清洗,有效去除了在化学机械研磨中残留在研磨头或研磨头边缘上的颗粒、副产物以及研磨液结晶等残留物,防止了残留物对下一步化学机械研磨或下一片晶圆的化学机械研磨的损伤。
20
CN108022975B
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
Grant
Publication/Patent Number: CN108022975B Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 201610929794.9 Filing Date: 2016-10-31 Inventor: 张海洋   王彦   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   国际集成电路制造北京有限公司   IPC: H01L29/78 Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括下述步骤:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成虚设栅极以及包围所述虚设栅极的层间介电层,去除所述虚设栅极以形成沟槽;在所述沟槽中形成高K材料层和覆盖层;在所述高K材料层的第一区域之上形成功函数偏移层;在所述高K材料层的第二区域之上形成第一牺牲层;执行退火工艺,以使所述高K材料层的第一区域和第二区域分别具有第一功函数和第二功函数;去除所述功函数偏移层和所述第一牺牲层。该制作方法通过使金属栅极也会形成至少两个具有不同功函数的区域,从而大大提高了器件的射频(RF)性能。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
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