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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
CN112310075A
半导体装置
Public
Publication/Patent Number: CN112310075A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 202010535011.5 Filing Date: 2020-06-12 Inventor: 廖忠志   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L27/088 Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。此半导体装置包括第一环绕式栅极晶体管及第二环绕式栅极晶体管。第一环绕式栅极晶体管包括第一多个通道构件,第二环绕式栅极晶体管包括第二多个通道构件。上述第一多个通道构件具有第一节距(P1),且上述第二多个通道构件具有小于上述第一节距(P1)的第二节距(P2)。
2
CN112310200A
栅极结构
Public
Publication/Patent Number: CN112310200A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 202010711928.6 Filing Date: 2020-07-22 Inventor: 王俊杰   叶升韦   白岳青   杨淇任   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L29/423 Abstract: 提供一种栅极结构和一种形成栅极结构的方法。栅极结构包含栅极介电层、金属层以及簇层。金属层安置在栅极介电层上方。簇层包夹在金属层与栅极介电层之间,其中簇层至少包含非晶硅层、非晶碳层或非晶锗层。另外,提供一种包含栅极结构的半导体器件。
3
CN107391782B
集成电路及形成集成电路的系统和方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107391782B Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 201710295531.1 Filing Date: 2017-04-28 Inventor: 张丰愿   张钧皓   陈胜雄   黄博祥   袁立本   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: G06F30/392 Abstract: 本发明的实施例公开了一种形成集成电路的方法。该方法包括:由处理器生成集成电路的布局设计;基于该布局设计输出集成电路;以及去除集成电路的导电结构的一部分以形成第一导电结构和第二导电结构。生成布局设计包括:生成具有一组导电部件布局图案的标准单元格布局;根据至少一个设计标准,将标准单元布局和电源布局图案一起放置;以及将该组导电部件布局图案的至少一个导电部件布局图案沿至少一个方向延伸至电源布局图案的边界。该电源布局图案包括切割部件布局图案。该切割部件布局图案标识了集成电路的导电结构的去除部分的位置。本发明的实施例还提供了集成电路以及形成集成电路的系统。
4
CN108122909B
半导体器件及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108122909B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201710702826.6 Filing Date: 2017-08-16 Inventor: 张家文   林宏年   李建兴   张智胜   叶凌彦   威尔曼·蔡   杨育佳   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L27/088 Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域,以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触,并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
5
CN107133556B
制造半导体装置的方法和半导体装置
Grant
Publication/Patent Number: CN107133556B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201710096151.5 Filing Date: 2017-02-22 Inventor: 余振华   陈玉芬   陈志华   蔡豪益   刘重希   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: G06K9/00 Abstract: 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括:传感器芯片;贯穿通路,电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件,第二侧与第一侧相对;高电压芯片,与贯穿通路电连接;以及衬底,与贯穿通路电连接,其中高电压芯片位于衬底的开口内。
6
CN109427784B
具有鳍和栅极结构的集成电路及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109427784B Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 201810569858.8 Filing Date: 2018-06-05 Inventor: 江国诚   蔡腾群   程冠伦   王志豪   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L27/092 Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括形成在衬底上的器件鳍;形成在衬底上并且设置在器件鳍之中的填充鳍;以及形成在器件鳍和填充鳍上的栅极堆叠件。填充鳍包括第一介电材料层和沉积在第一介电材料层上的第二介电材料层。第一和第二介电材料层的组成彼此不同。
7
CN112242367A
封装件结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112242367A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 202010686308.1 Filing Date: 2020-07-16 Inventor: 余振华   苏安治   吴集锡   叶德强   叶名世   林宗澍   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L23/48 Abstract: 封装件结构包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底;以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线,将桥式管芯密封在其中的密封剂,以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第一封装组件和第二封装组件接合至再分布线。第一封装组件和第二封装组件通过再分布线和桥式管芯电互连。本发明的实施例还涉及形成封装件结构的方法。
8
CN109427749B
一种半导体装置以及制造半导体器件的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109427749B Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201811003057.1 Filing Date: 2018-08-30 Inventor: 李雨青   黄得智   方玉标   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L23/544 Abstract: 覆盖标记包括第一、第二、第三和第四组件。第一组件位于第一覆盖标记的第一区域中,并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第二组件位于第一覆盖标记的第二区域中,并且包括在第一方向上延伸的多个光栅。第三组件位于第一覆盖标记的第三区域中,并且包括在与第一方向不同的第二方向上延伸的多个光栅。第四组件位于第一覆盖标记的第四区域中,并且包括在第二方向上延伸的多个光栅。第一区域与第二区域对准。第三区域与第四区域对准。本发明实施例涉及一种半导体装置以及制造半导体器件的方法。
9
CN112242334A
输送装置
Public
Publication/Patent Number: CN112242334A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 202010655930.6 Filing Date: 2020-07-09 Inventor: 洪培伦   许家玮   廖家祥   陈明鸿   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/677 Abstract: 本公开提供一种输送装置,用于输送一基材,输送装置包括一基板、至少一吸引单元以及多个移动限制单元。上述至少一吸引单元设置在基板的一侧,以在基材上产生吸力。上述多个移动限制单元设置在基板的上述侧,以限制基材在输送期间的移动。移动限制单元的每一个包括一主体、一抵接件以及一推动元件。主体附接至基板,且主体中具有一腔室。抵接件可动地收容在腔室中,且具有一抵接部,抵接部突出于主体以抵接基材。推动元件收容在腔室中,且配置以推动抵接件朝向基材移动。
10
CN107818975B
改进的静电放电器件及其形成方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107818975B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201710536427.7 Filing Date: 2017-07-04 Inventor: 林文杰   杨涵任   苏郁迪   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L27/02 Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路器件,包括:生长在衬底上的至少两个外延生长的有源区,有源区放置第一栅极器件和第二栅极器件之间。集成电路器件包括位于两个外延生长的有源区之间且位于在第一栅极器件和第二栅极器件之间的至少一个伪栅极,其中每个有源区在长度上是基本均匀的。在具有第一导电类型的第一阱上方形成第一栅极器件和第二器件,并且在具有第二导电类型的第二阱上方形成伪栅极。本发明的实施例还提供了一种用于形成静电放电(ESD)器件的方法。
11
CN109461671B
标靶燃料产生器及供应标靶燃料的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109461671B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201710794556.6 Filing Date: 2017-09-06 Inventor: 钟仁阳   谢劼   简上杰   陈立锐   郑博中   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明部分实施例提供一种标靶燃料产生器及供应标靶燃料的方法。标靶燃料产生器包括一储存组件和喷嘴组件。储存组件具有一流道。标靶燃料产生器还包括一喷嘴组件。喷嘴组件以可旋转于一第一旋转角度与一第二旋转角度的方式连结储存组件。并且,喷嘴组件包括一第一喷嘴头以及一第二喷嘴头。在第一旋转位置上,第一喷嘴头连结流道且第二喷嘴头与流道分离,并且在第二旋转位置上,第二喷嘴头连通流道且第一喷嘴头与流道分离。
12
CN109115860B
电镀工艺的检测方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109115860B Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201711131426.0 Filing Date: 2017-11-15 Inventor: 黄永昌   卓瑞木   潘建勋   林群智   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: G01N27/48 Abstract: 提供电镀工艺的检测方法,此检测方法包含将基底浸入电解质溶液中以实施电镀工艺,电解质溶液包含添加剂。此检测方法也包含将检测装置浸入电解质溶液中。此检测方法还包括将第一交流电(AC)或直流电(DC)施加于检测装置以检测添加剂的浓度。此外,检测方法包含将第二交流电和第二直流电的组合施加于检测装置以检验电解质溶液,检测出在电解质溶液中的杂质。此检测方法也包含以另一电解质溶液取代含有杂质的电解质溶液。
13
CN112420823A
半导体装置
Public
Publication/Patent Number: CN112420823A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010289279.5 Filing Date: 2020-04-14 Inventor: 徐志安   杨世海   章勋明   曹敏   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L29/51 Abstract: 本公开提供一种半导体装置,其包含设置于栅极电极与基底之间的二维材料层。半导体装置包括铁电介电层、栅极电极以及源极/漏极区。铁电介电层设置于半导体基底上并与其接触,铁电介电层包括二维材料;栅极电极设置于铁电介电层上;源极/漏极区设置于栅极电极的两侧。
14
CN112420516A
形成半导体装置的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112420516A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010535222.9 Filing Date: 2020-06-12 Inventor: 林志翰   张铭庆   陈昭成   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 一种形成半导体装置的方法,该半导体装置,包括:延伸自基底的鳍片,于鳍片的侧壁上且沿着侧壁的栅极堆叠,沿着栅极堆叠的第一侧壁及鳍片的侧壁的间隔物,沿着鳍片的侧壁的虚置栅极材料,其中虚置栅极材料位于间隔物与栅极堆叠之间,以及位于鳍片中且邻近于栅极堆叠的第一外延源极/漏极区。
15
CN112420487A
清洗方法、半导体制造方法及其系统
Public
Publication/Patent Number: CN112420487A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010356267.X Filing Date: 2020-04-29 Inventor: 魏绍琦   张浩铭   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/02 Abstract: 本发明的实施例涉及清洗方法、半导体制造方法及其系统。所述方法包含:接收具有表面的衬底;识别颗粒在所述衬底的所述表面上的位置;使清洗设备朝向所述颗粒的所述位置移动;执行清洗操作,借此通过从所述清洗设备喷射对抗重力且朝向所述衬底的所述表面流动的清洗液来移除所述颗粒;检测所述衬底的所述表面;及当所述检测的清洗结果不可接受时,执行第二清洗操作。根据本发明的一些实施例,还提供一种半导体制造方法及一种用于清洗衬底的系统。