Country
Full text data for US,EP,CN
Type
Legal Validity
Legal Status
Filing Date
Publication Date
Inventor
Assignee
Click to expand
IPC(Section)
IPC(Class)
IPC(Subclass)
IPC(Group)
IPC(Subgroup)
Agent
Agency
Claims Number
Figures Number
Citation Number of Times
Assignee Number
No. Publication Number Title Publication/Patent Number Publication/Patent Number Publication Date Publication Date
Application Number Application Number Filing Date Filing Date
Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1 CN110798637A
一种抑制太阳黑子效应的图像传感器读出电路及读出方法
Under Examination
Title (English): An Image Sensor Readout Circuit and Readout Method to Inhibit the Sunspot Effect
Publication/Patent Number: CN110798637A Publication Date: 2020-02-14 Application Number: 201911197486.1 Filing Date: 2019-11-29 Inventor: 蔡化   高菊   陈飞   苪松鹏   陈正   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明公开了一种抑制太阳黑子效应的图像传感器读出电路,包括检测单元,比较器和计数器,所述检测单元包括两个输入端、一个使能控制端和一个输出端,其中,所述检测单元的两个输入端分别连接像素单元输出端和参考电压,所述检测单元的使能控制端连接使能信号,所述检测单元输出端连接所述计数器输入端,所述比较器的一端连接所述像素单元输出端,另一端连接斜波信号,所述比较器的输出端连接所述计数器输入端,所述计数器输出端输出所述像素单元的曝光数字量。本发明提供的一种抑制太阳黑子效应的图像传感器读出电路,可以确保在强光照射发生太阳黑子效应时,图像不会出现异常的黑点,且不影响图像质量。
2 CN110855913A
一种图像传感器的黑电平校正方法
Under Examination
Title (English): A Black Level Correction Method for Image Senso
Publication/Patent Number: CN110855913A Publication Date: 2020-02-28 Application Number: 201911235568.0 Filing Date: 2019-12-05 Inventor: 喻义淞   王勇   温建新   何云   宋博   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/361 Abstract: 本发明公开了一种图像传感器的黑电平校正方法,包括如下步骤:S01:采用高速校正模式依次对第一帧图像数据至第N帧图像数据进行校正,S02:采用低速校正模式依次对第N+1帧图像数据至第M帧图像数据进行校正,S03:重复步骤S01‑S02,直至所述图像产生模块产生的图像数据均被校正。本发明提供的一种图像传感器的黑电平校正方法,通过高速校正模式和低速校正模式的共同校正,可以有效校正有效像素区域中的黑电平,并且能够使得图像中偏色、闪烁现象得到改善。
3 CN110933338A
一种降低固定列噪声的图像传感器
Publication/Patent Number: CN110933338A Publication Date: 2020-03-27 Application Number: 201911029747.9 Filing Date: 2019-10-28 Inventor: 蔡化   陈正   高菊   陈飞   苪松鹏   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/357 Abstract: 本发明公开了一种降低固定列噪声的图像传感器,包括像素阵列、ADC、随机选择电路和输出信号处理器;所述像素阵列包括M个像素模块,所述像素模块包含S列像素单元;所述随机选择电路包括M个选择模块,ADC包括M个ADC模块,所述ADC模块中包括S个ADC单元;所述选择模块用于连接像素模块和对应的ADC模块,通过控制随机选择电路的控制码,使得在一个行读周期内,S列像素单元与S个ADC单元一一对应连接;并且在不同的行读周期内,S列像素单元所连接的ADC单元不完全相同。本发明提供的一种降低固定列噪声的图像传感器,通过在像素阵列和ADC之间增加随机选择电路,使得列ADC单元导致的失配偏差平均化,大幅度降低了图像的固定列噪声。
4 CN111510090A
一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111510090A Publication Date: 2020-08-07 Application Number: 202010425165.9 Filing Date: 2020-05-19 Inventor: 芮松鹏   蔡化   陈正   陈飞   高菊   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H03F3/45 Abstract: 本发明提供一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器,用于驱动容性负载,其包括差分对输入模块EA_INPUT、输出模块DRIVE_MOS和正反馈模块;差分对输入模块EA_INPUT用于接受差分输入的两条支路电压信号,用于产生两条支路电流差;输出模块DRIVE_MOS接收两条支路的电流差以驱动容性负载;正反馈模块连接在的输出模块DRIVE_MOS的输出端和差分对输入模块EA_INPUT的输入端之间;其中,差分对输入模块EA_INPUT的输入端电位瞬时变化,通过正反馈模块使差分输入的两条支路驱动电流差增加;对于N型输入对管结构,通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位抬升时的压摆率;对于P型输入对管结构,通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位下拉时的压摆率。
5 CN111683212A
一种图像传感器及其测试方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111683212A Publication Date: 2020-09-18 Application Number: 202010698988.9 Filing Date: 2020-07-20 Inventor: 蔡化   王勇   陈飞   陈正   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其测试方法,通过在图像传感器的像素阵列中加入测试用的测试像素单元,并通过测试信号发生器对所述测试像素单元发送测试信号,使得模数转换器将测试信号进行转换,如此便可以得到模数转换器的性能参数信息,进而能够将模数转换器的性能界定出来;同时,所述模数转换器还对所述像素单元输出的图像信号进行转换,通过对比测试信号的转换结果和图像信号的转换结果,可以得到所述像素单元的性能参数信息,进而能够将像素单元的性能界定出来,如此一来,解决了现有测试方法无法分别界定像素单元和列级读出电路的性能的问题。
6 CN108322679B
一种消除暗电流的电路及系统
Valid
Publication/Patent Number: CN108322679B Publication Date: 2020-06-30 Application Number: 201711470532.1 Filing Date: 2017-12-29 Inventor: 高菊   蔡化   徐启波   陈飞   芮松鹏   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/361 Abstract: 本发明提供了一种消除暗电流的电路及图像传感器系统,设置了第一采样电容至第四采样电容,以及两个辅电容Cb1、Cb2,通过配合粗调节转换器及细调节转换器的差值来调节暗电流值,其中粗调节转换器及细调节转换器可以为任意架构的电路结构,粗调节转换器实现粗调节,细实现细调节。通过读出暗像素的暗电流噪声水平的数字值,并将此数字信号值反馈给粗调节转换器及细调节转换器,在读出有效像素时,由于粗调节转换器及细调节转换器校正了暗电流的噪声水平,使得有效像素的读出数据中并不包含暗电流噪声,从而在有效的消除了暗电流噪声的同时,减小了由于暗电流造成的图像传感器动态范围的减小,有效的提高了图像传感器的图像质量。
7 CN108109123B
一种图像去噪方法
Valid
Publication/Patent Number: CN108109123B Publication Date: 2020-05-15 Application Number: 201711391066.8 Filing Date: 2017-12-21 Inventor: 王吉鹏   宋博   魏聪   温建新   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: G06T5/00 Abstract: 本发明公开了一种图像去噪方法,包括如下步骤:S01:在待处理图像中,形成以像素F(i,j)为中心的A×A区域,并在该区域内求出像素F(i,j)与周围像素的方差σ,S02:在以像素F(i,j)为中心的A×A区域中,求出像素F(i,j)的噪声估计值与周围像素的噪声估计值的方差σ,S03:判断像素F(i,j)的区域范围,S04:若像素F(i,j)位于平坦区域,则对该像素进行滤波处理并输出处理后的像素值;若像素F(i,j)位于细节区域,则不对该像素进行处理直接输出该像素的原像素值;所述待处理图像中未进行处理的像素按照原值输出,形成处理后的图像。本发明解决了现有图像噪声消除技术存在滤除噪声的同时也破坏了图像纹理细节的问题。
8 CN111372019A
一种使用提高增益ADC的图像传感器读出电路及读出方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111372019A Publication Date: 2020-07-03 Application Number: 202010162941.0 Filing Date: 2020-03-10 Inventor: 蔡化   王勇   陈飞   陈正   高菊   苪松鹏   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明公开的一种提高增益的ADC,包括增益放大单元、比较器和计数器,其中,所述增益放大单元包括采样电路和开关电容放大电路,所述开关电容放大电路包括电容C1、电容C2、开关K和放大器,其中,放大器的第一输入端连接参考信号,所述放大器的第二输入端同时连接采样电容C1、采样电容C2和开关K的一端,所述采样电容C1的另一端连接采样电路,所述采样电容C2和开关K的另一端连接所述放大器的输出端,所述放大器的输出端连接比较器,所述比较器的输出端连接计数器。本发明提供的一种使用提高增益ADC的图像传感器读出电路及读出方法,使得最终图像噪声水平较低,动态范围和信噪比得以提高,从而提高图像传感器在低照度下的图像质量。
9 CN111709213A
标准单元库设计检查方法和系统以及可读存储介质
Public
Publication/Patent Number: CN111709213A Publication Date: 2020-09-25 Application Number: 202010561005.7 Filing Date: 2020-06-18 Inventor: 魏聪   高兰   温建新   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: G06F30/392 Abstract: 本发明公开了一种标准单元库设计检查方法和系统以及可读存储介质,通过设定验证条件,利用随机选取的方式选取标准单元库中的标准单元,并在版图上按照随机拼接的方式拼接放置标准单元,直至满足验证条件,最后对形成的标准单元库随机拼接版图进行设计检查。利用所述标准单元库设计检查方法可在标准单元版图的设计阶段完成高覆盖率规则检查,减少标准单元库建立过程中的反复工作,由于具有全随机性,因此本申请的技术方案覆盖率比现有技术的方案高,可有效降低后期使用标准单元库进行拼接时出现问题的概率。
10 CN110784668A
一种用于校正暗电流的图像传感器读出电路及方法
Under Examination
Title (English): An Image Sensor Readout Circuit and Method for Correction of Dark Current
Publication/Patent Number: CN110784668A Publication Date: 2020-02-11 Application Number: 201911030191.5 Filing Date: 2019-10-28 Inventor: 蔡化   高菊   陈飞   苪松鹏   陈正   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/361 Abstract: 本发明公开了一种用于校正暗电流的图像传感器读出电路,包括放大器、比较器和计数器,其中,所述放大器的其中一个输入端通过采样电容C1连接像素单元的输出端,所述采样电容的一端连接像素单元输出端,另一端同时连接所述放大器的输入端、放大电容C2和放大电容Cf的一端,所述放大电容C2的另一端连接所述放大器的输出端,所述放大电容Cf的另一端连接暗电流校正单元。本发明提供的一种用于校正暗电流的图像传感器读出电路,本发明电路增加了一个暗电流校正单元构成的反馈支路,实现了在模拟域且在信号放大前进行暗校正,避免了传统CIS在数字域进行暗校正所致的高温下动态范围不足的问题。
11 CN109491433B
一种适用于图像传感器的基准电压源电路结构
Valid
Publication/Patent Number: CN109491433B Publication Date: 2020-07-28 Application Number: 201811374462.4 Filing Date: 2018-11-19 Inventor: 芮松鹏   蔡化   陈飞   高菊   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: G05F1/56 Abstract: 本发明公开了一种适用于图像传感器的基准电压源电路结构,基于双阱CMOS工艺下的常规一阶带隙基准源的结构,采用电流镜对节点X和节点Y进行钳位,去掉了常规电路中产生PTAT电压使用的电阻,采用NMOS管柱状结构进行替换,同时去掉输出支路的BJT,由产生PTAT电流的其中一个BJT复用,以此达到提供负温电压的目的。本发明可进一步提高芯片系统内部参考电压的噪声与PSRR特性,尽可能降低或消除在成像系统中,由于参考电压电流引入的噪声。
12 CN111399581A
一种具有相关双采样功能的高精度温度传感器
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111399581A Publication Date: 2020-07-10 Application Number: 202010171376.4 Filing Date: 2020-03-12 Inventor: 陈飞   蔡化   芮松鹏   高菊   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: G05F1/567 Abstract: 本发明公开了一种具有相关双采样功能的高精度温度传感器,包括基准电压源和模数转换器,所述基准电压源输出的基准电压VREF、温度电压VPTAT1和温度电压VPTAT2传输至模数转换器,所述模数转换器基于基准电压量化温度电压VPTAT1和温度电压VPTAT2,产生数字温度信息;其中,所述温度电压VPTAT1和温度电压VPTAT2在所述基准电压源的同一支路上输出。本发明提供的一种具有相关双采样功能的高精度温度传感器,减小了温度传感器的输出误差,提高了温度传感器的精度。
13 CN111432093A
一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法
Public
Publication/Patent Number: CN111432093A Publication Date: 2020-07-17 Application Number: 202010196281.8 Filing Date: 2020-03-19 Inventor: 宋博   喻义淞   温建新   王勇   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/217 Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法,包括如下步骤:S01:将CMOS图像传感器置于全黑环境中,设置不同的曝光条件,获得对应图像的暗电流像素值;以像素阵列中其中一个像素点作为基准点,计算像素阵列中其余像素点相对于基准点暗电流像素值的比例,并将对应比例标记在图像中,形成暗电流网络;S02:在模拟信号处理模块中采用AFB对有效像素阵列中的像素点进行粗校正;S03:在暗电流网络中通过数字算法计算有效像素阵列中每个像素点的暗电流校正值AFB’,在数字信号处理模块中采用AFB’对有效像素阵列的像素值进行精准校正。本发明提供的一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法,对于暗电流校正精度高,校正结果也更加符合实际应用情况。
14 CN110707113A
一种全局曝光像素单元及其制备方法
Under Examination
Title (English): A Global Exposure Pixel Unit and Its Preparation Method
Publication/Patent Number: CN110707113A Publication Date: 2020-01-17 Application Number: 201910837398.7 Filing Date: 2019-09-05 Inventor: 王勇   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开的一种全局曝光像素单元,包括在竖直方向排布的衬底和介质层区域,衬底中包括光电二极管、分别位于光电二极管两侧的晶体管和注入区;介质层区域包括第一介质层、第二介质层直至第M介质层,且相邻的介质层之间通过刻蚀阻挡层隔离;第一介质层、第二介质层直至第M介质层中分别含有第一金属层、第二金属层直至第M金属层;位于奇数层的沟槽金属通过对应的接触金属与晶体管的源漏连接形成存储电容的上极板,位于偶数层的沟槽金属通过对应的接触金属与注入区连接形成存储电容的下极板,形成像素单元的存储电容。本发明提供的一种全局曝光像素单元,增加了存储电容的电容值,降低像素单元的读出噪声,提高了像素单元的灵敏度。
15 CN111372018A
一种使用新型复位信号驱动电路的ADC及图像传感器
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111372018A Publication Date: 2020-07-03 Application Number: 202010196876.3 Filing Date: 2020-03-19 Inventor: 蔡化   王勇   陈飞   陈正   苪松鹏   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/3745 Abstract: 本发明公开的一种新型复位信号驱动电路,包括复位电位选择单元、复位关断沿控制单元、控制中心、复位MOS管和电流源,所述复位电位选择单元包括N个并联的复位支路,每个复位支路包括开关管NK和等效电阻子单元;所述复位关断沿控制单元包括M个并联的关断支路,每个关断支路包括反转中心和开关管NP;M和N均为大于1的整数;所述复位MOS管的栅极连接所述控制中心输出端,源极通过电流源接地,漏极连接所述复位信号驱动电路的输出端;所述复位信号驱动电路输出端输出复位信号。本发明提供的一种使用新型复位信号驱动电路的ADC及图像传感器,减小了复位结束时电荷注入和时钟馈通的大小,从而减小了比较器的失调,保证ADC的高帧率应用。
16 CN111787250A
比较器电路、图像感测装置及方法
Public
Publication/Patent Number: CN111787250A Publication Date: 2020-10-16 Application Number: 202010617205.X Filing Date: 2020-06-30 Inventor: 陈正   蔡化   芮松鹏   陈飞   高菊   夏天   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/3745 Abstract: 本发明公开了一种比较器电路、图像感测装置及方法,包括第一级比较器以及第二级比较器,其中,第二级比较器可利用现有技术中的结构,第一级比较器包括三个耦合电容以及三个输入晶体管,与现有技术的4输入端比较器电路相比,比较器电路的第一端减少了一个耦合电容以及输入晶体管。利用本发明提出的比较器电路时,LCG的操作过程不变,HCG的复位只需对第三输入晶体管进行复位即可,也即通过单端复位实现。在不影响图像性能的前提下,比现有技术中的4输入端比较器减少了比较器电路中的器件数,可有效提高CIS的集成度。
17 CN111399585A
一种使用新型斜坡发生器的消除暗电流的电路及其系统
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111399585A Publication Date: 2020-07-10 Application Number: 202010170841.2 Filing Date: 2020-03-12 Inventor: 高菊   蔡化   陈飞   芮松鹏   陈正   夏天   Assignee: 成都微光科技有限公司   IPC: G05F3/26 Abstract: 本发明公开了一种新型斜波发生器,包括复位电容,复位开关、斜波信号模块、暗电流校正模块和运算放大器,其中,运算放大器的第一输入端与复位电容的一端、复位开关的一端共同连接至斜波信号模块和暗电流校正模块;运算放大器的输出端同时连接复位电容的另一端和复位开关的另一端,并输出斜坡信号;暗电流校正模块包括校正电流源和校正开关,校正电流源的输入端输入暗电流信号,当校正开关导通时,暗电流校正模块连接至运算放大器的第一输入端,使得运算放大器的输出端输出去除暗电流之后的斜波信号。本发明提供的一种使用新型斜坡发生器的消除暗电流的电路及其系统,进行暗电流校正,从而提高图像的动态范围。
18 CN111263090A
读出电路结构及其工作时序控制方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111263090A Publication Date: 2020-06-09 Application Number: 202010136968.2 Filing Date: 2020-03-02 Inventor: 何学红   严慧婕   杨海玲   金毓奇   连夏梦   Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司   成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明提供了一种读出电路结构及其工作时序控制方法,所述读出电路结构包括:相耦合设置的一可编程增益放大器电路和一模拟数字转换器电路,可编程增益放大器电路包括一采样电容、一反馈电容、一运算放大器以及一复位控制开关,模拟数字转换器电路包括一比较器和一计数器,还包括:一信号调节电容、一第一开关、一第二开关和一锁存器;其中,比较器的输出端连接计数器的输入端以及锁存器的输入端,锁存器的第一个输出端连接计数器,锁存器的第二个输出端连接第一开关的控制端,锁存器的第三个输出端连接第二开关的控制端。本发明的技术方案使得读出电路结构在增加较少器件的情况下,能够实现高动态范围的信号处理,进而提升芯片的整体性能。
19 CN106712730B
一种可调节信号且可编程的增益放大器
Valid
Publication/Patent Number: CN106712730B Publication Date: 2020-05-15 Application Number: 201611077211.0 Filing Date: 2016-11-30 Inventor: 何学红   皮常明   段杰斌   Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司   成都微光科技有限公司   IPC: H03F1/34 Abstract: 本发明提供了一种可调节信号且可编程的增益放大器,采用PGA电路,包括:运算放大电路、输入端、输出端、第一反馈电容、第二反馈电容、第一开关和第二开关;其中,第一反馈电容跨接在输出端和运算放大电路的反向输入端之间,第二反馈电容的一端连接运算放大器的反向输入端,另一端通过第一开关和第二开关分别连接输出端和参考电压。本发明减少了电容的使用数量,节省了面积;减少了输入电压数量,简化了电路设计,同时减小了面积、功耗和噪声;增大了PGA电路的反馈系数,减轻了运放的设计难度,同时减小了功耗;可配置成传统的只有放大功能的PGA电路,更加灵活。
20 CN111225166A
一种高动态范围的图像传感器读出电路及读出方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111225166A Publication Date: 2020-06-02 Application Number: 202010136381.1 Filing Date: 2020-03-02 Inventor: 段杰斌   沈灵   李琛   Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司   成都微光科技有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明公开的一种高动态范围的图像传感器读出电路,运算放大器的反相输入端连接开关S2、开关S3、电容C1的一端,电容C1的另一端连接开关S4的一端,开关S2的另一端连接开关S6的一端,开关S3的另一端同时连接开关S4的另一端、开关S5的一端、计数器的控制端和运算放大器的输出端,开关S5的另一端连接电容C2的一端和开关S6的另一端,电容C2的另一端连接电源负极;运算放大器的反相输入端通过行选开关S1连接像素单元的输出端。本发明提供的一种高动态范围的图像传感器读出电路及读出方法,可以有效提高图像传感器的动态范围,还可以有效减小芯片面积。