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No. Publication Number Title Publication/Patent Number Publication/Patent Number Publication Date Publication Date
Application Number Application Number Filing Date Filing Date
Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
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CN111029357B
半导体结构及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN111029357B Publication Date: 2020-08-25 Application Number: 201911349140.9 Filing Date: 2019-12-24 Inventor: 胡杏   占迪   刘天建   Assignee: 湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,包括第一衬底、第二衬底及若干栅极结构,所述第二衬底中包括若干像素单元,所述像素单元与所述栅极结构的位置对应;所述第二衬底中具有若干用于隔离相邻的所述像素单元的第一沟槽隔离结构,所述像素单元中具有若干定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构。本发明中的半导体结构的第二衬底的表面为感光面,采用了背照式采光,栅极结构和金属线都不在感光面,可以避免对光线的遮挡,提升成像效果;并且定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构可以贯穿整个第二衬底,从而提高对感光区和读取区的隔离效果,防止感光区和读取区相互干扰;进一步,本发明还提供了所述半导体结构的制备方法。
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CN111029357A
半导体结构及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN111029357A Publication Date: 2020-04-17 Application Number: 201911349140.9 Filing Date: 2019-12-24 Inventor: 胡杏   占迪   刘天建   Assignee: 湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,包括第一衬底、第二衬底及若干栅极结构,所述第二衬底中包括若干像素单元,所述像素单元与所述栅极结构的位置对应;所述第二衬底中具有若干用于隔离相邻的所述像素单元的第一沟槽隔离结构,所述像素单元中具有若干定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构。本发明中的半导体结构的第二衬底的表面为感光面,采用了背照式采光,栅极结构和金属线都不在感光面,可以避免对光线的遮挡,提升成像效果;并且定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构可以贯穿整个第二衬底,从而提高对感光区和读取区的隔离效果,防止感光区和读取区相互干扰;进一步,本发明还提供了所述半导体结构的制备方法。