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1 CN111726550A
图像传感器像素电路及图像传感器像素电路的工作方法
Public
Publication/Patent Number: CN111726550A Publication Date: 2020-09-29 Application Number: 202010779482.0 Filing Date: 2020-08-05 Inventor: 任张强   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种图像传感器像素电路及图像传感器像素电路的工作方法,包括:像素阵列,像素阵列包括:呈M×N阵列排布的像素单元,M为大于或等于1的自然数,N为大于或等于1的自然数;呈M×N阵列排布的第一晶体管;呈M×N阵列排布的第二晶体管,任意一个像素单元的输入端与一个第一晶体管的源极以及一个第二晶体管的源极连接;电源网络,包括:N根第n电源线,n为1至N任一自然数,任一第n电源线与第N列的M个第一晶体管的漏极连接,且任一第n电源线与第N‑1列的M个第二晶体管的漏极连接;短路检测模块,短路检测模块分别与第n电源线、呈M×N阵列排布的第一晶体管的栅极以及呈M×N阵列排布的第二晶体管的栅极连接。图像传感器的良率提升。
2 CN111225165A
像素列读出电路的信号输出方法及装置、可读存储介质
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111225165A Publication Date: 2020-06-02 Application Number: 202010049524.5 Filing Date: 2020-01-16 Inventor: 任张强   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 一种像素列读出电路的信号输出方法及装置、可读存储介质,所述方法包括:确定同时翻转的像素列读出电路,所述同时翻转的像素列读出电路被划分为N组,N≥2;向所述N组像素列读出电路输出控制信号,以使得每一组像素列读出电路在其对应采样结束时间点输出相应的采样信号;每一组像素列读出电路存在一一对应的基准电压。上述方案能够有效解决同时翻转的像素列读出电路较多时图像出现严重串扰的问题。
3 CN107272010B
距离传感器及其距离测量方法、3D图像传感器
Valid
Publication/Patent Number: CN107272010B Publication Date: 2020-07-14 Application Number: 201710477641.X Filing Date: 2017-06-21 Inventor: 张琦   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: G01S17/08 Abstract: 一种距离传感器及其距离测量方法、3D图像传感器,所述距离测量方法包括:获取多个计数信号,每一计数信号具有计数开始沿和计数停止沿,其中,首个计数信号的计数开始沿是在光源发出光子时产生的,首个计数信号的计数停止沿是在检测到经目标对象反射得到的反射光子时产生的,其他的计数信号的计数停止沿相对于所述首个计数信号的计数停止沿具有不同的延时;在首个计数信号的计数开始沿和每一计数信号的计数停止沿所界定的时间窗口内,对输入时钟信号进行计数,以得到对应的计数值;利用各个计数值确定所述目标对象与所述距离传感器之间的距离。采用本发明技术方案可以有效地提高基于光子检测技术的3D图像传感器的测量精度。
4 CN110320963B
低压差线性稳压电路
Publication/Patent Number: CN110320963B Publication Date: 2020-10-13 Application Number: 201910717938.8 Filing Date: 2019-08-05 Inventor: 黄从朝   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: G05F3/26 Abstract: 一种低压差线性稳压电路,包括:误差放大器、缓冲电路、PMOS调整晶体管、补偿电路、分压反馈电路、第一PSRR提升电路及第二PSRR提升电路,其中:误差放大器,第一输入端与分压反馈电路的输出端耦接,第二输入端输入基准电压,输出端与缓冲电路的输入端耦接;缓冲电路,输出端与PMOS调整晶体管的栅极耦接;PMOS调整晶体管,源极连接电源,漏极与分压反馈电路的输入端耦接;补偿电路,第一端连接电源,第二端与误差放大器的输出端耦接;第一PSRR提升电路,与误差放大器中的一个折叠晶体管并联耦接;第二PSRR提升电路,第一端与缓冲电路耦接,第二端接地。上述方案能够提高低压差线性稳压电路的电源纹波抑制比及抗中高频电源干扰能力。
5 CN111757026A
图像传感器像素结构
Publication/Patent Number: CN111757026A Publication Date: 2020-10-09 Application Number: 202010779476.5 Filing Date: 2020-08-05 Inventor: 黄金德   王林   胡万景   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/355 Abstract: 一种图像传感器像素结构。所述像素结构包括:光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路;其中:所述电荷泄放电路,耦接于所述第一电容及所述电源电压输出端之间,适于至少两个第二开关控制信号的控制下,将所述第一电容溢出的电荷泄放至所述电源电压输出端;所述至少两个第二开关控制信号具有不同的控制电压。应用上述方案,可以提高CMOS图像传感器的性能。
6 CN111464765A
全差分像素读出电路、像素电路以及像素数据读出方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111464765A Publication Date: 2020-07-28 Application Number: 202010296416.8 Filing Date: 2020-04-15 Inventor: 张琦   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 一种全差分像素读出电路、像素电路以及像素数据读出方法,像素读出电路包括:M组像素读出子电路,其中:第i组像素读出子电路包括:第i组像素电路及第i组全差分读出电路阵列;第i组像素电路包括N个像素电路以及第一位线、第二位线;第i组像素电路中的第j个像素电路包括第一行选择管以及第二行选择管,第一行选择管与第一位线耦接,第二行选择管与第二位线耦接;第一行选择管接收对第j个像素的选择信号,第二行选择管接收参考信号;第i组全差分读出电路阵列包括全差分放大器以及ADC电路;全差分放大器的第一输入端与第一位线耦接,第二输入端与第二位线耦接,输出端与ADC电路耦接。上述方案能够有效地抑制电源干扰。
7 CN109120835B
图像传感器像素电路及其工作方法
Valid
Publication/Patent Number: CN109120835B Publication Date: 2020-10-16 Application Number: 201811286241.1 Filing Date: 2018-10-31 Inventor: 罗文哲   王林   黄金德   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/225 Abstract: 一种图像传感器像素电路及其工作方法,电路包括:光电二极管,光电二极管具有正向连接端;传输晶体管,传输晶体管的源级与正向连接端连接,传输晶体管的漏极与第一浮空扩散点连接;附加晶体管,附加晶体管的源级与第一浮空扩散点连接,附加晶体管的漏极与第二浮空扩散点连接;复位晶体管,复位晶体管的漏极与第一电源线连接,复位晶体管的源级连接第二浮空扩散点;与第二浮空扩散点连接的电容;前置晶体管,前置晶体管的源级与正向连接端连接,前置晶体管的漏极与第二电源线连接,前置晶体管适于在扩展曝光时序步骤中执行若干次相间的释放步骤,使光电二极管中的电荷传输至第二电源线;列读出线。所述图像传感器像素电路的动态范围得到提高。
8 CN109005374B
图像传感器像素电路的工作方法
Publication/Patent Number: CN109005374B Publication Date: 2020-10-13 Application Number: 201811066988.6 Filing Date: 2018-09-13 Inventor: 任张强   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种图像传感器像素电路及其工作方法,图像传感器像素电路包括:像素单元,所述像素单元包括:列读出线;检测单元,所述检测单元包括:电容,所述电容具有相对的第一电容端和第二电容端,第一电容端与所述列读出线连接;比较器,所述比较器具有第一比较输入端、第二比较输入端和比较输出端,第二比较输入端与第二电容端连接,第一比较输入端适于输入比较时序信号;开关,所述开关分别与第二比较输入端与比较输出端连接。所述图像传感器像素电路的性能得到提高。
9 CN109120834B
图像传感器像素电路及其工作方法
Valid
Publication/Patent Number: CN109120834B Publication Date: 2020-07-03 Application Number: 201811286237.5 Filing Date: 2018-10-31 Inventor: 黄金德   王林   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/225 Abstract: 一种图像传感器像素电路及其工作方法,电路包括:主光电二极管;附光电二极管;第一传输晶体管,第一传输晶体管的源级和漏极分别对应连接第一正向连接端连接和第一浮空扩散点;第二传输晶体管,第二传输晶体管的源级连接附光电二极管,第二传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点或第二浮空扩散点;附加晶体管,附加晶体管的源极和漏极分别对应连接第一浮空扩散点和第二浮空扩散点;第一复位晶体管,第一复位晶体管的漏极和源级分别对应连接第一电源线和第二浮空扩散点;第二复位晶体管,第二复位晶体管的源级和漏极分别对应连接第一正向连接端和第二电源线;连接第二浮空扩散点的电容;列读出线。所述图像传感器像素电路的性能提高。
10 CN111246130A
存储单元阵列、量化电路阵列及其读取控制方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111246130A Publication Date: 2020-06-05 Application Number: 202010049523.0 Filing Date: 2020-01-16 Inventor: 徐新楠   吕涛   付园园   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种存储单元阵列、量化电路阵列及其读取控制方法,存储单元阵列包括:呈行和列排列的多个像素单元组,每一像素单元组包括单列4n行像素单元,n为大于等于1的正整数;像素信号线,每一像素单元组耦接2n条像素信号线,所述2n条像素信号线分别依次耦接所述像素单元组中各行像素单元,包括同一列像素单元的像素单元组耦接相同的2n条像素信号线;每一像素单元组包括:2n个合并控制开关,每一合并控制开关耦接所述像素单元组中第2x行像素单元的存储节点和第2x+1行像素单元的存储节点,x为大于等于0且小于2n的整数。本发明技术方案能够实现像素信号的合并读出。
11 CN111246134A
图像传感器的抗弥散方法及图像传感器
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111246134A Publication Date: 2020-06-05 Application Number: 202010050174.4 Filing Date: 2020-01-16 Inventor: 王林   黄金德   胡万景   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/374 Abstract: 一种图像传感器的抗弥散方法及图像传感器。所述抗弥散方法适用于CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器的每个像素单元包括N型晶体管,所述N型晶体管包括栅极和漏极,所述漏极包括第一电极和第二电极;所述抗弥散方法包括:在所述N型晶体管的所述漏极上施加第一抗弥散信号,所述第一抗弥散信号为高电平;在所述N型晶体管的所述第一电极上施加第二抗弥散信号,在图像的曝光与转移期间内,所述第二抗弥散信号为周期性信号;其中,在所述第二抗弥散信号的一个周期内,所述第二抗弥散信号在第一时间段内为第一电平,在第二时间段内为第二电平,所述第二抗弥散信号的周期小于所述曝光与转移期间。该方法减少了暗电流,提高输出图像质量。
12 CN109587418B
图像传感器的数据读出装置
Publication/Patent Number: CN109587418B Publication Date: 2020-10-13 Application Number: 201811511373.X Filing Date: 2018-12-11 Inventor: 吕涛   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/374 Abstract: 一种图像传感器的数据读出装置,包括:列级寄存器、译码模块、数据接收模块、同步模块和数字控制模块,其中:列级寄存器,包括多列列寄存器,每一个列寄存器均设有时钟位,时钟位内预存时钟数据;译码模块,适于接收数字控制模块输出的地址信号并进行译码,根据译码后的地址信号选择列级寄存器中对应的列寄存器进行数据输出;数据接收模块,对其中从列寄存器时钟位获取的时钟数据进行放大、整形后得到时钟信号;同步模块,用由时钟数据生成的时钟信号的上升沿和下降沿对整形后的图像数据进行时序同步。采用上述方案,使得由时钟数据得到的时钟信号与整形后的图像数据具有相匹配的延时,在同步数据时有更多的时间裕量,提升数据读出速度。
13 CN104579256B
电平切换电路和电平切换装置
Valid
Title (English): Level Switching Circuit and Level Switching Device
Publication/Patent Number: CN104579256B Publication Date: 2017-05-24 Application Number: 201410811330.9 Filing Date: 2014-12-23 Inventor: 黄从朝   杨昌宜   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H03K3/36 Abstract: 一种电平切换电路和电平切换装置,在电平切换电路中,第一MOS管的漏极连接第六MOS管的漏极并作为电平切换电路的输出端,第一MOS管的栅极连接第二MOS管的栅极、第四MOS管的漏极、第五MOS管的漏极,第一MOS管的源极连接第二MOS管的源极和第三MOS管的漏极;第三MOS管的源极连接第六MOS管的源极;第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的衬底均各自与其自身的源极连接;第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第五MOS管和第六MOS管为同类型的MOS管,第四MOS管与第一MOS管为不同类型的MOS管。
14 CN104469192B
补偿电路和图像传感器
Valid
Title (English): Compensation circuits and image sensors
Publication/Patent Number: CN104469192B Publication Date: 2017-11-17 Application Number: 201410765708.6 Filing Date: 2014-12-11 Inventor: 徐新楠   任张强   付园园   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/357 Abstract: 一种补偿电路和图像传感器,补偿电路包括:比较器、计数器和信号产生单元;比较器的负相输入端适于输入斜坡信号,比较器的输出端连接所述计数器的输入端;所述计数器的输出端连接所述信号产生单元;所述信号产生单元适于输出所述斜坡信号,所述斜坡信号的起始电压与所述计数器的计数结果和预设值的差异大小相关,所述斜坡信号的终止电压与所述计数器的计数结果和预设值的差异大小相关。
15 CN103475366B
压控振荡器
Valid
Title (English): [电] voltage controlled oscillato
Publication/Patent Number: CN103475366B Publication Date: 2016-11-16 Application Number: 201310444830.9 Filing Date: 2013-09-26 Inventor: 黄从朝   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H03L7/099 Abstract: 一种压控振荡器,包括:输入PMOS管、电流镜电路、全差分环形振荡器和差分转单端电路,其中,所述输入PMOS管的栅极适于输入所述压控振荡器的控制电压,所述电流镜电路的输出端连接所述输入PMOS管的源极和所述全差分环形振荡器的正电源端,所述全差分环形振荡器的输出端连接所述差分转单端电路的输入端,所述压控振荡器还包括适于控制所述全差分环形振荡器的负电源端电压随所述控制电压升高而降低的电压调节单元。本发明技术方案提供的压控振荡器能够扩大控制电压的调节范围,在低电源电压下输出高频率信号。
16 CN102811060B
流水线模数转换器、视频系统和无线系统
Valid
Title (English): Pipeline ADC, video systems and wireless systems
Publication/Patent Number: CN102811060B Publication Date: 2016-01-13 Application Number: 201210275087.4 Filing Date: 2012-08-03 Inventor: 李晓晨   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H03M1/10 Abstract: 一种流水线模数转换器、视频系统和无线系统。所述流水线模数转换器包括:多个串联的级电路模块、后级模数转换模块、延时及错位相加模块、替换电路模块、开关模块和控制模块,所述开关模块与所述级电路模块、替换电路模块和后级模数转换模块相连,所述控制模块与所述开关模块相连,至少在对前几个所述级电路模块中的任一个进行校正时,所述控制模块通过控制开关模块使所述替换电路模块代替所述级电路模块工作。本发明在不影响流水线模数转换器正常工作和准确校正的前提下,可以同时节省硬件和时间,提高转换效率。
17 CN103413816B
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法
Valid
Title (English): pixel structure of cmos image sensor and its formation method
Publication/Patent Number: CN103413816B Publication Date: 2016-08-10 Application Number: 201310353594.X Filing Date: 2013-08-14 Inventor: 罗文哲   王林   汪立   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法,其中所述CMOS图像传感器的像素结构,包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的传输晶体管,所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构;位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管,所述光电二极管包括深掺杂区,深掺杂区中掺杂的杂质离子的浓度分布,随着深掺杂区与栅极结构的距离的增大而减小。位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输,成像质量高。
18 CN103346773B
电平转换电路
Valid
Title (English): level switching circuit
Publication/Patent Number: CN103346773B Publication Date: 2016-11-09 Application Number: 201310288505.8 Filing Date: 2013-07-10 Inventor: 黄从朝   黄金德   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H03K19/0175 Abstract: 一种电平转换电路,包括参考电压产生电路、差分电路和差分转单端电路,其中,所述参考电压产生电路适于根据第一目标电压和第二目标电压获得参考电压,所述参考电压为所述第一目标电压和第二目标电压的平均值;所述差分电路适于根据第一输入信号、第二输入信号和所述参考电压获得所述第一驱动信号和第二驱动信号;所述差分转单端电路由所述第一驱动信号和第二驱动信号驱动。本发明提供的电平转换电路能够实现不同电平之间的转换,具有很强的通用性。
19 CN103259985B
CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法
Valid
Title (English): cmos Image Sensor, Pixel Unit and Its Control Method
Publication/Patent Number: CN103259985B Publication Date: 2016-08-17 Application Number: 201310183417.1 Filing Date: 2013-05-17 Inventor: 罗文哲   王林   汪立   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H04N5/374 Abstract: 一种CMOS图像传感器、像素单元及其控制方法,所述像素单元包括光电转换单元、隔离晶体管、存储单元和读取单元。所述隔离晶体管的第一端连接所述光电转换单元,所述隔离晶体管的第二端连接所述存储单元和读取单元;所述存储单元包括第一开关单元、第二开关单元、第一存储电容、第二存储电容和复位单元,所述第一开关单元的第一端连接所述第一存储电容,所述第二开关单元的第一端连接所述第二存储电容,所述第一开关单元的第二端连接所述第二开关单元的第二端和所述读取单元,所述复位单元适于提供所述第一存储电容和第二存储电容的复位电压。本发明技术方案提供的CMOS图像传感器的像素单元,提高了像素单元产生的图像信号的信噪比。
20 CN103413817B
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法
Valid
Title (English): pixel structure of cmos image sensor and its formation method
Publication/Patent Number: CN103413817B Publication Date: 2015-11-11 Application Number: 201310353595.4 Filing Date: 2013-08-14 Inventor: 罗文哲   王林   汪立   Assignee: 微电子股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法,其中,所述CMOS图像传感器的像素结构,包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的传输晶体管,所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构;位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管,所述光电二极管包括位于半导体衬底内的深掺杂区,所述深掺杂区为梳状结构,所述梳状结构包括梳柄和与梳柄相连的若干分立的梳齿,梳柄靠近传输晶体管的栅极结构,梳齿远离传输晶体管的栅极结构;位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输,成像质量高。