| No. | Publication Number | Title | Publication/Patent Number Publication/Patent Number |
Publication Date
Publication Date
|
Application Number Application Number |
Filing Date
Filing Date
|
Inventor Inventor | Assignee Assignee |
IPC
IPC
|
|||||
|
1 | CN107887326B |
半导体器件及其制造方法
Grant
|
Publication/Patent Number: CN107887326B | Publication Date: 2021-02-19 | Application Number: 201710367672.X | Filing Date: 2017-05-23 | Inventor： 陈步芳 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 在制造半导体器件的方法中，对衬底实施热处理，从而在衬底的上层中形成无缺陷层，其中衬底的剩余层是块状层。块状层中的缺陷的密度等于或大于1×10cm，其中缺陷是块状微缺陷。在无缺陷层上方形成电子器件。在无缺陷层中形成开口，使得开口不到达块状层。用导电材料填充开口，从而形成通孔。去除块状层，使得暴露通孔的底部。无缺陷层中的缺陷的密度小于100cm。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | |||
|
|
2 | CN106328583B |
CVD金属晶种层
Grant
|
Publication/Patent Number: CN106328583B | Publication Date: 2021-03-05 | Application Number: 201510799665.8 | Filing Date: 2015-11-19 | Inventor： 李雅玲 吴林荣 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 本发明涉及形成金属互连层的改进的方法以减小空隙和提高可靠性以及相关的器件。在一些实施例中，介电层形成在半导体衬底上方并且具有布置在介电层内的开口。使用化学汽相沉积(CVD)工艺在开口的表面上形成金属晶种层。然后在金属晶种层上镀金属层以填充开口。使用CVD工艺形成金属晶种层为晶种层提供良好的均匀性，这允许填充介电层中的高高宽比的开口而没有空隙或夹断。本发明的实施例还涉及CVD金属晶种层。 | |||
|
|
3 | CN106356331B |
钴互连件技术
Grant
Title (English):
Cobalt Interconnection Technology
|
Publication/Patent Number: CN106356331B | Publication Date: 2020-03-20 | Application Number: 201510849444.7 | Filing Date: 2015-11-27 | Inventor： 李雅玲 杨文成 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。在开口中并且在阻挡衬垫上方形成块状钴层以填充开口的剩余空间。本发明实施例涉及钴互连件技术。 | |||
|
|
4 | CN111261576A |
形成绝缘体上硅结构的方法
Substantial Examination
|
Publication/Patent Number: CN111261576A | Publication Date: 2020-06-09 | Application Number: 201911205419.X | Filing Date: 2019-11-29 | Inventor： 郑有宏 陈步芳 吴政达 江柏融 李汝谅 卢一斌 陈彦秀 杜友伦 叶玉隆 林诗杰 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/762 | Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。 | |||
|
|
5 | CN110391173A |
绝缘体上覆硅基板的制造方法及半导体装置
Substantial Examination
Title (English):
Manufacturing method and semiconductor device of silicon substrate on insulato
|
Publication/Patent Number: CN110391173A | Publication Date: 2019-10-29 | Application Number: 201811481775.X | Filing Date: 2018-12-05 | Inventor： 陈步芳 林诗杰 卢一斌 杜友伦 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/762 | Abstract: 本公开实施例提供一种绝缘体上覆硅(SOI)基板的制造方法，包括：沉积一蚀刻停止层于一虚设晶圆之上；生长一外延硅层于蚀刻停止层之上；形成一去疵层于外延硅层之上；接合一主要晶圆的一埋藏氧化层至去疵层；以及在移除虚设晶圆和蚀刻停止层以暴露外延硅层。SOI基板具有与去疵层连接的一外延硅层，其中去疵层中介于埋藏氧化层和外延硅层之间。 | |||
|
|
6 | CN107887326A |
半导体器件及其制造方法
Grant
Title (English):
Semiconductor devices and their manufacturing methods
|
Publication/Patent Number: CN107887326A | Publication Date: 2018-04-06 | Application Number: 201710367672.X | Filing Date: 2017-05-23 | Inventor： 陈步芳 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 在制造半导体器件的方法中，对衬底实施热处理，从而在衬底的上层中形成无缺陷层，其中衬底的剩余层是块状层。块状层中的缺陷的密度等于或大于1×108cm‑3，其中缺陷是块状微缺陷。在无缺陷层上方形成电子器件。在无缺陷层中形成开口，使得开口不到达块状层。用导电材料填充开口，从而形成通孔。去除块状层，使得暴露通孔的底部。无缺陷层中的缺陷的密度小于100cm‑3。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | |||
|
|
7 | CN108231875A |
具有低介电常数间隔物的半导体结构及其制造方法
Revocation
Title (English):
Semiconductor structure with low dielectric constant spacer and its manufacturing method
|
Publication/Patent Number: CN108231875A | Publication Date: 2018-06-29 | Application Number: 201710741292.8 | Filing Date: 2017-08-25 | Inventor： 王祥保 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L29/423 | Abstract: 本揭露涉及具有低介电常数间隔物的半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种半导体结构，其包含：半导体鳍片；金属栅极，其位于所述半导体鳍片上方；及侧壁间隔物，其是由包围所述金属栅极的对置侧壁的低介电常数电介质组成。所述侧壁间隔物的一部分包括锥形轮廓，其具有朝向顶部部分的所述对置侧壁的较大间距，及朝向所述侧壁间隔物的底部部分的所述对置侧壁的较窄间距。本发明实施例还提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包含：使多晶硅条形成于半导体鳍片上方；形成包围所述多晶硅条的长侧的氮化物侧壁间隔物；使凸起源极/漏极区域形成于所述半导体鳍片中；及形成包围所述氮化物侧壁间隔物的碳氮化物蚀刻停止层。 | |||
|
|
8 | CN108231667A |
半导体装置结构的形成方法
Revocation
Title (English):
The Formation Method of Semiconductor Device Structure
|
Publication/Patent Number: CN108231667A | Publication Date: 2018-06-29 | Application Number: 201711295814.2 | Filing Date: 2017-12-08 | Inventor： 李雅玲 潘兴强 林耕竹 杨文成 李志聪 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 本公开提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含将半导体基底置于物理气相沉积腔室内。上述方法也包含导入等离子体形成气体至物理气相沉积腔室内，其中等离子体形成气体含有含氧气体。上述方法还包含施加射频功率至位于物理气相沉积腔室内的金属靶，以激发等离子体形成气体而产生等离子体。此外，上述方法包含将等离子体导向位于物理气相沉积腔室内的金属靶，使得蚀刻停止层形成于半导体基底上。 | |||
|
|
9 | CN104564597B |
具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置
Grant
Title (English):
Ultra-high vacuum low temperature pump with nanostructured materials
|
Publication/Patent Number: CN104564597B | Publication Date: 2018-04-27 | Application Number: 201410004965.8 | Filing Date: 2014-01-06 | Inventor： 苏伦德拉·巴布·阿南塔洛曼 杨文成 高宗恩 卢一斌 秦威 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: F04B37/08 | Abstract: 本发明提供了具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置。本发明的低温泵装置包括纳米结构材料以实现超高真空度。纳米结构材料可以与吸附材料或者固定粘合层混合，固定粘合层用于固定吸附材料。纳米结构材料的良好的热导性和吸附性能有助于降低工作温度并且延长低温泵的再生周期。 | |||
|
|
10 | CN106960803A |
用于智能线内计量的方法
Substantial Examination
Title (English):
Method for Intelligent In-line Measurement
|
Publication/Patent Number: CN106960803A | Publication Date: 2017-07-18 | Application Number: 201610870727.4 | Filing Date: 2016-09-30 | Inventor： 王祥保 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/66 | Abstract: 本发明提供一种用于智能线内计量的方法。在工件上的第一组检验位点处测量所述工件的参数。使用所述第一组检验位点处的所述测量做出关于是否满足第一规格的确定。响应于满足所述第一规格，在所述工件上的第二组检验位点处估计所述参数。响应于不满足所述第一规格，在所述第二组检验位点处测量所述参数且使用所述第二组检验位点处的所述测量做出关于是否满足第二规格的确定。 | |||
|
|
11 | CN106328583A |
CVD金属晶种层
Grant
Title (English):
cvd metal seed laye
|
Publication/Patent Number: CN106328583A | Publication Date: 2017-01-11 | Application Number: 201510799665.8 | Filing Date: 2015-11-19 | Inventor： 李雅玲 吴林荣 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 本发明涉及形成金属互连层的改进的方法以减小空隙和提高可靠性以及相关的器件。在一些实施例中，介电层形成在半导体衬底上方并且具有布置在介电层内的开口。使用化学汽相沉积(CVD)工艺在开口的表面上形成金属晶种层。然后在金属晶种层上镀金属层以填充开口。使用CVD工艺形成金属晶种层为晶种层提供良好的均匀性，这允许填充介电层中的高宽比的开口而没有空隙或夹断。本发明的实施例还涉及CVD金属晶种层。 | |||
|
|
12 | CN106356331A |
钴互连件技术
Grant
Title (English):
Technology of Cobalt Interconnection
|
Publication/Patent Number: CN106356331A | Publication Date: 2017-01-25 | Application Number: 201510849444.7 | Filing Date: 2015-11-27 | Inventor： 李雅玲 杨文成 卢一斌 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: H01L21/768 | Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。在开口中并且在阻挡衬垫上方形成块状钴层以填充开口的剩余空间。本发明实施例涉及钴互连件技术。 | |||
|
|
13 | CN104564597A |
具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置
Grant
Title (English):
Ultra-high vacuum low temperature pump with nanostructured materials
|
Publication/Patent Number: CN104564597A | Publication Date: 2015-04-29 | Application Number: 201410004965.8 | Filing Date: 2014-01-06 | Inventor： 苏伦德拉·巴布·阿南塔洛曼 杨文成 高宗恩 卢一斌 秦威 | Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司 | IPC: F04B37/08 | Abstract: 本发明提供了具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置。本发明的低温泵装置包括纳米结构材料以实现超高真空度。纳米结构材料可以与吸附材料或者固定粘合层混合，固定粘合层用于固定吸附材料。纳米结构材料的良好的热导性和吸附性能有助于降低工作温度并且延长低温泵的再生周期。 | |||
|
|
14 | CN101388189B |
用来进行影音串流的影像转换的方法及装置
Grant
Title (English):
Methods and devices for image conversion of audio and video streaming
|
Publication/Patent Number: CN101388189B | Publication Date: 2011-06-01 | Application Number: 200810094801.3 | Filing Date: 2008-04-28 | Inventor： 卢一斌 | Assignee: 奇景光电股份有限公司 | IPC: G09G3/36 | Abstract: 本发明涉及一种用来进行影音串流的影像转换的方法，包含有：依据该影音串流的第一帧与第二帧插补第一插补帧；以及依据该第一帧与该第一插补帧插补第二插补帧。此外，该方法还包含依据该第二帧与该第一插补帧插补第三插补帧。 | |||
|
|
15 | CN101304498B |
适应性去交错扫描器与其方法
Lapses
Title (English):
Adaptive interleaving scanner and its method
|
Publication/Patent Number: CN101304498B | Publication Date: 2010-12-01 | Application Number: 200810087218.X | Filing Date: 2008-03-24 | Inventor： 卢一斌 黄铃琇 | Assignee: 奇景光电股份有限公司 | IPC: H04N7/01 | Abstract: 本发明揭示一种适应性去交错扫描器，可将经交错扫描的视频信号转换成循序视频信号，并包含移动检测器、场内内插器、场间内插器、移动混淆假影检测器与混合单元。该移动检测器基于该经交错扫描的视频信号的连续场，并针对在该经交错扫描的视频信号的目前场中每一内插像素产生一α值。该场内内插器基于该目前场输出场内内插像素，而该场间内插器基于这些连续场也输出场间内插像素。之后，该移动混淆假影检测器会检测该内插像素是否位于移动混淆区域中。基于来自该移动检测器的α值与来自该移动混淆假影检测器的检测结果，该混合单元接收并混合该场内内插像素与该场间内插像素，以便能确定该内插像素。 | |||
|
|
16 | CN101388189A |
用来进行影音串流的影像转换的方法及装置
Grant
Title (English):
Methods and devices for image conversion of audio and video streaming
|
Publication/Patent Number: CN101388189A | Publication Date: 2009-03-18 | Application Number: 200810094801.3 | Filing Date: 2008-04-28 | Inventor： 卢一斌 | Assignee: 奇景光电股份有限公司 | IPC: G09G3/36 | Abstract: 本发明涉及一种用来进行影音串流的影像转换的方法，包含有：依据该影音串流的第一帧与第二帧插补第一插补帧；以及依据该第一帧与该第一插补帧插补第二插补帧。此外，该方法还包含依据该第二帧与该第一插补帧插补第三插补帧。 | |||
|
|
17 | CN101304498A |
适应性去交错扫描器与其方法
Lapses
Title (English):
Adaptive interleaving scanner and its method
|
Publication/Patent Number: CN101304498A | Publication Date: 2008-11-12 | Application Number: 200810087218.X | Filing Date: 2008-03-24 | Inventor： 卢一斌 黄铃琇 | Assignee: 奇景光电股份有限公司 | IPC: H04N5/44 | Abstract: 本发明揭示一种适应性去交错扫描器，可将经交错扫描的视频信号转换成循序视频信号，并包含移动检测器、场内内插器、场间内插器、移动混淆假影检测器与混合单元。该移动检测器基于该经交错扫描的视频信号的连续场，并针对在该经交错扫描的视频信号的目前场中每一内插像素产生一α值。该场内内插器基于该目前场输出场内内插像素，而该场间内插器基于这些连续场也输出场间内插像素。之后，该移动混淆假影检测器会检测该内插像素是否位于移动混淆区域中。基于来自该移动检测器的α值与来自该移动混淆假影检测器的检测结果，该混合单元接收并混合该场内内插像素与该场间内插像素，以便能确定该内插像素。 | |||
|
18 | CN101291401A |
适应性去交错扫描器与其方法
Rejection
Title (English):
Adaptive interleaving scanner and its method
|
Publication/Patent Number: CN101291401A | Publication Date: 2008-10-22 | Application Number: 200810087235.3 | Filing Date: 2008-03-24 | Inventor： 卢一斌 戴昌宪 | Assignee: 奇景光电股份有限公司 | IPC: H04N5/44 | Abstract: 本发明揭示一种适应性去交错扫描仪可将一经交错扫描的视频信号转换成一循序式视频信号，并包含一场内内插器、一场间内插器、一静态像素检测器、一动态检测器与一混合单元。该场内内插器基于该经去交错扫描的视频信号的一目前场输出一场内内插像素，而该场间内插器则基于该经去交错扫描的视频信号的接续场输出一场间内插像素。该静态像素检测器会参考一阈值基于这些接续场的像素间的亮度差异检测每一内插像素是否为一静态像素，并输出一检测结果。该动态检测器基于这些接续场与该检测结果产生该内插像素的一动态值。该混合单元基于该动态值与该检测结果混合该场内内插像素与该场间内插像素，以便能判定该内插像素。 |
3.Current Quota