Country
Full text data for US,EP,CN
Type
Legal Validity
Legal Status
Filing Date
Publication Date
Inventor
Assignee
Click to expand
IPC(Section)
IPC(Class)
IPC(Subclass)
IPC(Group)
IPC(Subgroup)
Agent
Agency
Claims Number
Figures Number
Citation Number of Times
Assignee Number
No. Publication Number Title Publication/Patent Number Publication/Patent Number Publication Date Publication Date
Application Number Application Number Filing Date Filing Date
Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
CN112366131A
一种半导体器件的制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112366131A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011134955.8 Filing Date: 2020-10-21 Inventor:   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/02 Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,获取预处理半导体结构,预处理半导体结构包括具有第一暴露面的金属层,金属层第一暴露面具有凸起部;在金属层第一暴露面设置保护层,保护层至少覆盖金属层除凸起部以外的其它部分;去除凸起部以在金属层上形成金属层的第二暴露面;在第一暴露面的所在区域上形成介质层,且介质层完全覆盖第一暴露面的所在区域。本发明提供的半导体器件的制造方法通过在金属层除凸起部的其它部位上覆盖保护层保护金属层;蚀刻掉凸起部,对半导体器件的金属层表面进行修整,避免凸起部影响半导体器件的后续制程,在金属层上覆盖保护层,使得半导体器件的表面平整,更有利于半导体器件的后续制程,方法简单,便于实施。
2
CN112479880A
一种乙酸苄酯废盐回收装置及方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112479880A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011187708.4 Filing Date: 2020-10-30 Inventor:   Assignee: 南平青华科技有限公司   IPC: C07C67/48 Abstract: 本发明公开了一种乙酸苄酯废盐回收装置及方法,包括与乙酸苄酯反应釜底部出料端连接用于实现固液分离的离心机,所述乙酸苄酯反应釜上端设有加料口,所述离心机的出液端连接用于收集液体的离心母液罐,所述离心母液罐的出液端连接离心母液打料泵,所述离心母液打料泵的出料端与离心机的进料端连接,所述乙酸苄酯反应釜右上侧设有用于排出上清液的上层清液出口,所述上层清液出口连接缓冲罐,所述缓冲罐右侧的出料端连接乙酸苄酯粗品打料泵,本申请工艺简单,无须加水及浓缩结晶过程。设备投资少,无须MVR等价格高昂的蒸发浓缩设备;节耗低,避免了现有工艺将氯化钠先溶解再蒸发浓缩得到固体氯化钠的过程,极大地减少了能耗。
3
CN112185807A
一种多晶圆堆叠结构的形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185807A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011065998.5 Filing Date: 2020-09-30 Inventor:   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供的多晶圆堆叠结构的形成方法,通过将前次键合后的修边工艺推移至后次键合前的键合孔中填充金属层之后,使得前次键合引起的边缘间隙区域,以及前次键合后直至后次键合前的键合孔中填充金属层之间形成的可能出现不良区域不在同一平面上,并且边缘间隙区域和可能出现不良区域的投影部分重叠,可以减少推移后的修边工艺的修边宽度,从而提高了多晶圆堆叠结构的有效面积,还去除了可能出现不良区域,避免了不良的产生(键合垫的形成过程中铜环的形成)。
4
CN112599502A
多层晶圆的制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112599502A Publication Date: 2021-04-02 Application Number: 202011444742.5 Filing Date: 2020-12-08 Inventor:   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L25/00 Abstract: 本申请提供一种多层晶圆的制备方法。该方法包括提供依次键合的M片晶圆形成晶圆堆叠;从晶圆堆叠的第一表面朝向晶圆堆叠的第二表面对晶圆堆叠的边缘进行N次切边,以使晶圆堆叠的边缘形成N个台阶;其中,N次切边中第i次切边产生的切边宽度小于N次切边中第j次切边产生的切边宽度,且第i次切边产生的切边深度大于第j次切边产生的切边深度;N次切边中产生的最小切边宽度不小于一预设阈值,N次切边中产生的最大切边深度小于等于晶圆堆叠的厚度;在晶圆堆叠的边缘形成填充层,填充层至少填充晶圆堆叠的N个台阶;对晶圆堆叠的第二表面进行减薄;其中,M、N为大于1的自然数。该方法能够降低在减薄处理过程中晶圆堆叠发生破片问题的概率。
5
CN112599483A
半导体器件及其制作方法、芯片
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112599483A Publication Date: 2021-04-02 Application Number: 202011459629.4 Filing Date: 2020-12-11 Inventor:   曾甜   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L23/48 Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片,包括:提供至少一调整晶圆,所述调整晶圆具有衬底以及自一贯穿开口延伸以贯穿所述衬底的硅通孔,所述硅通孔中填充有互连层,所述互连层具有拉伸应力;在所述调整晶圆的临近所述贯穿开口的一侧表面形成第一高压缩应力介质层,所述第一高压缩应力介质层的应力小于‑200MPa。第一高压缩应力介质层具有压缩应力,第一高压缩应力介质层的压缩应力使调整晶圆发生的形变与硅通孔中的互连层使调整晶圆发生的形变相反,以中和硅通孔中的互连层引起的调整晶圆形变,有效减小调整晶圆的翘曲程度,避免调整晶圆翘曲失控的问题,进而提高产品的稳定性良率。
6
CN111430276B
多晶圆堆叠修边方法
Grant
Publication/Patent Number: CN111430276B Publication Date: 2021-04-23 Application Number: 202010333740.2 Filing Date: 2020-04-24 Inventor:   刘天建   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明提供了一种多晶圆堆叠修边方法,对第i片晶圆切边、与第i‑1片晶圆键合减薄后,对堆叠的i片晶圆的边缘区域修边形成边缘良好的晶圆堆叠;之后填充底部填充层;底部填充层的存在使邻近的后续晶圆与堆叠的i片晶圆键合减薄后边缘产生的缺陷往外移,使邻近的后续晶圆的修边宽度设置较小,并为邻近的后续晶圆键合减薄时提供支撑,不至于减薄时劈裂;故对邻近第i片晶圆的后续晶圆的修边宽度不大于背面减薄后的第2片晶圆的边缘修边宽度,可去除邻近第i片晶圆的后续晶圆与堆叠的i片晶圆键合减薄后边缘产生的缺陷。W≤W,所有晶圆处理过程中的修边均限制在W的范围内,减少晶圆修边宽度,提高晶圆有效面积。
7
CN112582277A
半导体器件的加工方法及半导体器件
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112582277A Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 202011444654.5 Filing Date: 2020-12-08 Inventor:   陈俊宇   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本申请提供一种半导体器件的加工方法及半导体器件。该半导体器件的加工方法包括:提供半导体预制件;其中,半导体预制件包括衬底、设置在衬底的一表面上的第一介质层以及嵌设于第一介质层内的至少一金属引出端;在第一介质层远离衬底的表面开设沟槽,沟槽暴露出金属引出端;在沟槽内形成连接垫,连接垫与金属引出端连通,且连接垫的上表面低于第一介质层远离衬底的表面;对半导体预制件进行扎针测试;其中,对半导体预制件进行扎针测试之后连接垫表面形成凸起部;在第一介质层远离衬底的表面形成第二介质层,第二介质层覆盖凸起部。该方法能够大大降低所得产品的厚度,有利于产品向轻薄化方向发展。
8
CN112420645A
半导体器件及其制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112420645A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202011279659.7 Filing Date: 2020-11-16 Inventor: 占迪   曾甜     Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L23/48 Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法中,第一开孔和待引出第一金属层沿第一晶圆的厚度方向在第一衬底上的投影无重叠;即形成第一开孔(TSV)的过程中不接触(暴露出)待引出第一金属层,本发明中的第一开孔(TSV)不同于常规工艺中的硅通孔(TSV),避免了常规硅通孔(TSV)需要刻蚀停止在要引出的金属层上导致的金属层被过度损伤、溅射扩散等问题。所述待引出第一金属层分别通过第一再分布金属层和第一开孔中的第一互连层被引至第一晶圆厚度方向的上下两个端面上,第一晶圆形成双面开放式电连接结构,能够很好的与两侧键合的其他晶圆实现互连。
9
CN112542378A
半导体器件的制作方法及半导体器件
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112542378A Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202011388107.X Filing Date: 2020-12-01 Inventor: 曾甜   占迪     Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括:提供置顶晶圆,包括顶芯衬底;提供第一晶圆,包括第一衬底;将置顶晶圆与第一晶圆正面对正面相键合,并使置顶晶圆的正面朝上,第一晶圆的正面朝下;在第一衬底背面形成包括有第一互连层键合垫的第一互连层;提供第二晶圆;将第二晶圆的正面与第一互连层相键合,使第二晶圆结合至第一晶圆上,形成键合结构,第二晶圆的正面朝下;翻转键合结构,以将顶芯衬底背面置顶,并使所述第一晶圆的正面朝上,所述第二晶圆的正面朝上,并在顶芯衬底中形成焊盘引出点。本发明能够使置顶晶圆底部所有晶圆的正面都朝上,统一晶圆的电路设计和工艺流程,降低工艺复杂度,且提高结构灵活性。
10
CN213039871U
一种改进型隔膜阀
Grant
Publication/Patent Number: CN213039871U Publication Date: 2021-04-23 Application Number: 202021178578.3 Filing Date: 2020-06-23 Inventor: 戴志超     沈琦   Assignee: 江苏雅克福瑞半导体科技有限公司   IPC: F16K7/17 Abstract: 本实用新型公开了一种改进型隔膜阀,包括阀体、膜片、压板和压板对接块,所述压板对接块的顶部平台的两端向上凸起延伸形成密封槽,所述压板的底部设置有与密封槽相匹配的密封层。本实用新型与现有技术相比,利用密封层的弹性作用,通过压合部和配合部形成双重密封作用,从而保证了压板和压板对接块之间具备良好、稳定的高密封性,解决了现有的隔膜阀存在的漏液问题,隔膜阀的使用效果得到有效保障。
11
CN112435977A
半导体器件及其制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112435977A Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202011309816.4 Filing Date: 2020-11-20 Inventor: 刘天建   周如金     Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L23/48 Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,通过刻蚀去除部分所述第一金属层以在所述第一金属层中形成第一开口;所述第二金属层填充在所述第一开口中,且与刻蚀剩余的所述第一金属层电连接;硅通孔依次贯穿所述衬底和部分厚度的所述介质层且暴露出所述第二金属层;硅通孔中的互连层与所述第二金属层电连接。所述第二金属层和互连层在所述衬底上的投影落入所述第一金属层在所述衬底上的投影范围内即可实现将第一金属层引出,硅通孔不需要额外占用横向(平行于衬底方向)上第一金属层侧方的面积,提高了晶圆面积利用率。引出第一金属层的第二金属层通过一次光刻工艺(一张光罩)即可完成,此工序可减少光罩,降低成本,并降低工艺难度。
12
CN213039840U
一种新型气动对夹蝶阀
Grant
Publication/Patent Number: CN213039840U Publication Date: 2021-04-23 Application Number: 202021178128.4 Filing Date: 2020-06-23 Inventor: 戴志超     沈琦   Assignee: 江苏雅克福瑞半导体科技有限公司   IPC: F16K1/226 Abstract: 本实用新型公开了一种新型气动对夹蝶阀,包括阀门管道、密封圈、蝶板、转动轴和气动执行器,所述蝶板为整体式结构,所述蝶板的径向位置设置有与转动轴相匹配的转动孔,所述蝶板通过转动孔套设在转动轴上,所述蝶板和转动轴上分别设置有相互配合的若干螺栓和螺栓孔,所述蝶板通过螺栓固定在转动轴上。本实用新型与现有技术相比,通过将蝶板设计成整体式结构,且蝶板采用可拆卸安装在转动轴上,从而一方面使得转动轴能够轻松拆卸,另一方面也使得气动执行器能和转动轴一起拆卸,有利于气动执行器和转动轴的维修和保养,延长了气动对夹蝶阀的整体使用寿命。
13
CN212775625U
一种电动法兰式双偏心硬密封蝶阀
Publication/Patent Number: CN212775625U Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202021283973.8 Filing Date: 2020-07-03 Inventor:   唐家权   吕统烈   Assignee: 耐森阀业有限公司   IPC: F16K1/22 Abstract: 本实用新型涉及蝶阀结构技术领域,且公开了一种电动法兰式双偏心硬密封蝶阀,包括阀座,所述阀座的顶面固定连接有连接总成,且连接总成的顶面固定连接有限位板,所述限位板顶面的中部固定连接有电动机构,且电动机构的底面固定连接有传动机构。本实用新型通过在电动机构的外部添加防护罩的方式,利用防护罩上的螺孔与限位板上螺杆的相互作用,通过螺孔与螺杆的卡接,将防护罩固定在限位板的内部,采用防护罩对电动机构进行防护,避免了未对装置的电动机构进行防护,空气中的水分和灰尘附着在电动机构上,造成电动机构被腐蚀损坏,导致装置使用寿命短,成本浪费的问题,保证装置使用寿命的同时节约了成本。
14
CN112201574A
多层晶圆键合方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201574A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011056815.3 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 陈俊宇     曾甜   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆,第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层、嵌设于第一介质层中的第一金属层以及第一键合垫;在第一介质层远离第一衬底的一侧表面形成第一保护层,以覆盖第一键合垫;将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合,且第一保护层位于第一介质层与第一载片晶圆之间;在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第二键合垫;通过第二键合垫将第一待键合晶圆与一底晶圆键合;去除第一载片晶圆及第一保护层,使第一键合垫暴露;以及通过第一键合垫将第一待键合晶圆与一第二待键合晶圆键合。该方法能够防止键合垫被键合胶污染,同时在去除键合胶的过程中,能够防止键合垫被损坏。
15
CN212564437U
一种新型高性能五偏心蝶阀
Grant
Publication/Patent Number: CN212564437U Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202021293853.6 Filing Date: 2020-07-04 Inventor:   唐家权   吕统烈   Assignee: 耐森阀业有限公司   IPC: F16K1/22 Abstract: 本实用新型公开了一种新型高性能五偏心蝶阀,涉及蝶阀技术领域,具体为一种新型高性能五偏心蝶阀,包括阀座,所述阀座内部的左侧固定安装有密封铜套,所述密封铜套的内部活动套接有连接阀管,且连接阀管的一端固定安装有连接法兰,所述连接阀管的外部固定安装有固定套管。该新型高性能五偏心蝶阀,通过在阀座的内部活动套接连接阀管,使连接阀管可以在阀座内部左侧移动,从而实现对蝶阀总体尺寸进行调节,另外通过旋动阀座前后两侧的驱动齿轮带动与驱动齿轮啮合的调节齿条移动,从而带动连接阀管进行移动,降低了对连接阀管位置调整的难度,在对该装置进行安装时,可以根据管道之间的距离对该装置尺寸进行调节。
16
CN213039918U
一种用于危险化学品输送的电磁阀
Grant
Publication/Patent Number: CN213039918U Publication Date: 2021-04-23 Application Number: 202021178145.8 Filing Date: 2020-06-23 Inventor: 戴志超     沈琦   Assignee: 江苏雅克福瑞半导体科技有限公司   IPC: F16K31/06 Abstract: 本实用新型公开了一种用于危险化学品输送的电磁阀,包括阀体、导轨、电磁线圈和磁力块,所述阀体内设置有控流腔以及配合在控流腔内的阀门铁块,所述控流腔向上延伸形成延伸腔,所述阀门铁块紧密贴合着控流腔和延伸腔,所述电磁线圈位于延伸腔外部上方处,所述磁力块位于延伸腔内,所述导轨的两端分别连接着电磁线圈和磁力块,所述磁力块用于吸附住阀门铁块,所述导轨用于带动阀门铁块上下移动。本实用新型与现有技术相比,不但开度调节更加方便、高效,而且能够轻松实现任一开度调节,解决了原先存在的开度可调范围小的问题,从而适应了高流量的使用需求,市场价值得到明显提升。
17
CN213039921U
一种开度可调型气动阀
Grant
Publication/Patent Number: CN213039921U Publication Date: 2021-04-23 Application Number: 202021179141.1 Filing Date: 2020-06-23 Inventor: 戴志超     沈琦   Assignee: 江苏雅克福瑞半导体科技有限公司   IPC: F16K31/12 Abstract: 本实用新型公开了一种开度可调型气动阀,包括阀体、气缸和阀门,所述阀体上设置有方形结构的阀门腔,所述阀门腔顶部设置有支撑块,所述支撑块内纵向设置有用于放置阀门的阀门槽,所述气缸设置于支撑块顶部,所述气缸的连接头连接着阀门用于带动阀门上下移动,所述阀门的侧部和支撑块上分别设置有定位棒和供定位棒伸出支撑块的定位开口,所述支撑块上位于定位开口处设置有用于定位阀门的开度线。本实用新型通过定位棒和开度线的设置,利用定位棒在开度线上对应的刻度位置,能够直观、精确的判断阀门的实时开度情况,从而实现了对于阀门开度的精确控制,解决了之前人工经验控制存在的精度低的问题,保证了气动阀的使用效果。
18
CN112201573A
多层晶圆键合方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201573A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011052418.9 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 刘天建     曾甜   占迪   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆和第一载片晶圆;第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层和嵌设于第一介质层中的第一金属层;第一载片晶圆包括第一载片衬底及位于第一载片衬底的一侧表面的第一载片介质层;将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合,且第一介质层与第一载片介质层接触;在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第一键合垫,且第一键合垫与第一金属层电连接;将第一待键合晶圆的第二介质层与一底晶圆键合;去除第一载片晶圆并将第一介质层与第二待键合晶圆键合。该方法能够提高晶圆与载片晶圆之间的对准精度,且二者键合的稳定性受温度影响较小。
19
CN112283587A
一种用于制造半导体的化学品供应系统及其净化方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112283587A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011286742.7 Filing Date: 2020-11-17 Inventor: 戴志超     沈琦   Assignee: 江苏雅克福瑞半导体科技有限公司   IPC: F17D1/08 Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体的化学品供应系统,包括完全相同的至少两套供应设备以及和每套供应设备化学药品罐的出液口连接的沉积腔,每套供应设备包括一个用于储存需要进行沉积的化学药品的化学药品罐,化学药品罐的进气口和出液口间有第一桥接管,并在第一桥接管上设置第一三通阀,三通阀的第三个接口连接另一个化学药品罐第一桥接管处第一三通阀的对应接口,化学药品罐的进气口通过管路连接增压器,化学药品罐到增压器的管路上到化学药品罐到沉积腔的管路上设有第二桥接管,第二桥接管上的第二三通阀的第三个接口和另一个化学药品罐第二桥接管处第二三通阀的对应接口连接。本发明还公开了此种净化系统的净化方法。
20
CN212775626U
一种三偏心快切全金属蝶阀
Publication/Patent Number: CN212775626U Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202021284013.3 Filing Date: 2020-07-03 Inventor:   唐家权   吕统烈   Assignee: 耐森阀业有限公司   IPC: F16K1/22 Abstract: 本实用新型涉及三偏心蝶阀技术领域,且公开了一种三偏心快切全金属蝶阀,包括阀座本体,所述阀座本体的内壁上固定安装有侧钮环,且阀座本体的中部活动套接有阀杆,所述阀杆的底部固定套接有蝶板,所述蝶板的一侧固定套接有抗冲击板,所述阀座本体的顶端固定安装有上阀座,所述上阀座的顶端固定安装有传动涡箱。本实用新型通过在蝶板的一侧设置一个抗冲击板,并利用弹性杆将抗冲击板与蝶板之间连接起来,从而使得抗冲击板获得一个缓冲的力度,从而在外力冲击在其上时,利用弹性杆的缓冲作用将力度大幅消除,从而使得冲击力被消除,保护了装置的安全性,避免冲击力过大导致结构损坏,出现泄漏等情况,提高了装置的实用性。
Total 6 pages