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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1 CN111594802A
一种实现大功率LED汽车大灯
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111594802A Publication Date: 2020-08-28 Application Number: 202010492861.1 Filing Date: 2020-06-03 Inventor:   吕霁飞   Assignee: 中山市敖雷斯特电子科技有限公司   IPC: F21S41/141 Abstract: 本发明专利,是对LED照明产品在汽车车灯使用中存在的技术性问题,通过大胆创新和技术探索,而提出的新工艺新方法而成。通过导热材料毛细铜管加工成U型或O型的工艺,达到LED灯珠发光产生的热量利用U型或O型内循环系统,能够迅速导走。灯珠产生的热量导向内置的格状散热器,通过风扇的作用,散热器又及时的把热量散去,不会保持在车灯体内,同时也保证了U型或O型毛细铜管内导热循环系统得以高效工作,把灯珠产生的热量不断从高温的一端导向低温度另一端并迅速散去。另一方面,通过优化工艺,减少和减小了对材料的使用,LED车灯体积大大变小,对于在狭小的车灯总成内安装车灯也是一件非常有意义的事情。
2 CN110809122A
应用于CMOS图像传感器的动态扩展方法
Under Examination
Title (English): Dynamic Extension Method for cmos Image Senso
Publication/Patent Number: CN110809122A Publication Date: 2020-02-18 Application Number: 201911094258.1 Filing Date: 2019-11-11 Inventor: 李明   李梦萄     周亚军   刘戈扬   任思伟   Assignee: 中国电子科技集团公司第四十四研究所   IPC: H04N5/374 Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的动态扩展方法,CMOS图像传感器采用双增益像素电路,通过像素控制时序使双增益像素电路处于高增益模式;CMOS图像传感器在内部曝光模式下进行曝光,达到预定的曝光时间后,曝光结束,读取像素信号,之后,统计帧内饱和的像素数量及最大非饱和电压值;根据饱和像素的数量或最大非饱和电压幅值确定下一帧的曝光时间,并产生相应的控制时序开始下一帧的曝光。本发明将像素时序控制和内部曝光控制相结合,在微光环境下的成像效果好;保持像素高增益输出,提高了探测灵敏度;提高了图像信号的动态范围,通过内部曝光时间控制实现了曝光时间的自动调节。
3 CN110855916A
一种输出通道数可变的模拟信号读出电路阵列及读取方法
Under Examination
Title (English): An Analog Signal Readout Circuit Array with Variable Output Channel Number and a Reading Method
Publication/Patent Number: CN110855916A Publication Date: 2020-02-28 Application Number: 201911152483.6 Filing Date: 2019-11-22 Inventor: 刘戈扬   刘业琦   李毅强     李明   刘昌举   Assignee: 中国电子科技集团公司第四十四研究所   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明公开了一种输出通道数可变的模拟信号读出电路阵列及读取方法,所述电路阵列为对第四电路阵列的工作模式切换信号输入总线合并连接得到的电路阵列,将第四电路阵列中的第三电路阵列分为不同的集合,将每个集合中的第三电路阵列的工作模式切换信号输入端连在一起,作为所述模拟信号读出电路阵列的对应集合的工作模式切换信号输入端;通过在模拟信号通路的关键节点上增加缓冲器,从而增加模拟信号在各输出通道间流动时的驱动能力,受物理导线寄生参数影响更低;所述电路阵列之间及对外的信号连接方式满足拼接工艺的要求。
4 CN111060574A
一种基于双重信号放大策略检测唾液酸的核酸适配体电化学传感器
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111060574A Publication Date: 2020-04-24 Application Number: 201911326771.9 Filing Date: 2019-12-20 Inventor: 周艳丽     董辉   刘澜涛   徐茂田   Assignee: 商丘师范学院   IPC: G01N27/327 Abstract: 本发明涉及一种基于双重信号放大策略检测唾液酸的核酸适配体电化学传感器,属于新型功能纳米复合材料和生物传感器检测技术领域。本发明采用高导电性的金纳米叶修饰碳布为基底电极,进行了一次信号放大。进一步利用核酸适配体实现唾液酸的高特异性识别,提高了测定的选择性。通过硼酸‑二醇的反应结合硫堇/金纳米粒子/4‑巯基苯硼酸复合材料,从而引入硫堇的电化学信号并且实现了信号的二次信号放大。本方法制备的核酸适配体电化学传感器在唾液酸测定中表现出高的灵敏度、好的选择性和长期的稳定性。该传感器用于实际血清样品中唾液酸的测定,检测限可达60 nmol·L。
5 CN109274907B
一种CMOS图像传感器上的信号处理方法
Valid
Publication/Patent Number: CN109274907B Publication Date: 2020-10-16 Application Number: 201811392083.8 Filing Date: 2018-11-21 Inventor: 李明   刘戈扬   刘昌举   李毅强   任思伟   刘航     周亚军   Assignee: 中电科技集团重庆声光电有限公司   IPC: H04N5/374 Abstract: 本发明属于CMOS图像传感器芯片设计及其信号处理领域,具体为一种CMOS图像传感器上的信号处理方法,所述方法包括对CMOS图像传感器上A/D转换器处理后的图像传感器信号,将其中每一位的A/D位信号进行二进制取反操作;采用信号处理公式将取反后的图像传感器信号进行非线性处理再进行迭代判断,直至确定出最佳的迭代值;在最佳的迭代值下,在信号处理公式中增加增强因子,对图像传感器信号的暗区域进行处理;对上述处理后的图像传感器信号再进行二进制取反操作;本发明对图像信号实施反操作,有益于信号的后续处理,再对反操作后的信号进行非线性和迭代处理,已达到提高信号信噪比和动态,实现信号的补偿处理。
6 CN107046046B
CCD像元结构
Valid
Title (English): ccd pixel structure
Publication/Patent Number: CN107046046B Publication Date: 2019-08-16 Application Number: 201710242863.3 Filing Date: 2017-04-14 Inventor: 熊平   李立   曾武贤   刘昌举   黄烈云   杨洪     Assignee: 中国电子科技集团公司第四十四研究所   IPC: H01L27/148 Abstract: 本发明提出了一种CCD像元结构,由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成,其中,感光区由N型区和P型区组成,N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是:提出了一种新的CCD像元结构,该CCD像元结构能够在光生电荷产生之初就对其进行电荷倍增处理,如果只需要进行一次电荷倍增处理,就不必再在后端设置相应的电荷倍增结构,如果需要进行两次电荷倍增处理,只需将其与现有的电荷倍增手段相结合就能实现。
7 CN109274907A
一种CMOS图像传感器上的信号处理方法
Valid
Title (English): A Signal Processing Method cmos Image Senso
Publication/Patent Number: CN109274907A Publication Date: 2019-01-25 Application Number: 201811392083.8 Filing Date: 2018-11-21 Inventor: 李明   刘戈扬   刘昌举   李毅强   任思伟   刘航     周亚军   Assignee: 中电科技集团重庆声光电有限公司   IPC: H04N5/374 Abstract: 本发明属于CMOS图像传感器芯片设计及其信号处理领域,具体为一种CMOS图像传感器上的信号处理方法,所述方法包括对CMOS图像传感器上A/D转换器处理后的图像传感器信号,将其中每一位的A/D位信号进行二进制取反操作;采用信号处理公式将取反后的图像传感器信号进行非线性处理再进行迭代判断,直至确定出最佳的迭代值;在最佳的迭代值下,在信号处理公式中增加增强因子,对图像传感器信号的暗区域进行处理;对上述处理后的图像传感器信号再进行二进制取反操作;本发明对图像信号实施反操作,有益于信号的后续处理,再对反操作后的信号进行非线性和迭代处理,已达到提高信号信噪比和动态,实现信号的补偿处理。
8 CN107046046A
CCD像元结构
Valid
Title (English): ccd pixel structure
Publication/Patent Number: CN107046046A Publication Date: 2017-08-15 Application Number: 201710242863.3 Filing Date: 2017-04-14 Inventor: 熊平   李立   曾武贤   刘昌举   黄烈云   杨洪     Assignee: 中国电子科技集团公司第四十四研究所   IPC: H01L27/148 Abstract: 本发明提出了一种CCD像元结构,由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成,其中,感光区由N型区和P型区组成,N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是:提出了一种新的CCD像元结构,该CCD像元结构能够在光生电荷产生之初就对其进行电荷倍增处理,如果只需要进行一次电荷倍增处理,就不必再在后端设置相应的电荷倍增结构,如果需要进行两次电荷倍增处理,只需将其与现有的电荷倍增手段相结合就能实现。