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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
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CN111863721A
半导体器件的制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111863721A Publication Date: 2020-10-30 Application Number: 202010760314.7 Filing Date: 2020-07-31 Inventor:   邹浩   谢岩   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制作方法,包括步骤:提供前端器件,前端器件包括介质层、嵌设于介质层中的金属层以及覆盖介质层的第一衬底;介质层包括位于金属层上方的刻蚀停止层;在所述第一衬底上方形成掩膜层;以掩膜层为掩膜,执行第一次刻蚀以刻蚀第一衬底,暴露出介质层;继续以所述掩膜层为掩膜,执行第二次刻蚀以刻蚀暴露出的介质层,并停止于刻蚀停止层,形成开孔;形成隔离层,所述隔离层至少覆盖开孔的侧壁;刻蚀去除开孔下方的介质层以暴露出金属层。能够连续性的刻蚀较厚的第一衬底和介质层形成开孔,该开孔为深孔;简化了工艺难度,节省了工艺成本。
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CN111799180A
半导体器件及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111799180A Publication Date: 2020-10-20 Application Number: 202010762648.8 Filing Date: 2020-07-31 Inventor:   谢岩   占迪   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其形成方法,包括:提供前端器件,前端器件包括介质层、嵌设于介质层中的金属层以及覆盖介质层的第一衬底,第一衬底为(110)晶面衬底,亦即【110】晶向。干法刻蚀去除部分厚度的第一衬底,形成第一开孔;湿法刻蚀所述第一开孔的侧壁和底部以暴露出介质层,形成第二开孔,在垂直于所述第一衬底的截面上,所述第二开孔位于所述第一衬底中的部分的截面形状为矩形。所述第一衬底为(110)晶面,湿法刻蚀具有各向异性,对(110)晶面的第一衬底做定向性腐蚀,形成几乎完全垂直侧壁的TSV(硅通孔),即第二开孔C,解决TSV(硅通孔)刻蚀形貌较难控制的问题。