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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
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CN112185919A
用于集成电路的背侧集成电压调节器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185919A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011056882.5 Filing Date: 2020-09-30 Inventor: 金楠勋     甘后乐   沈柔政   米哈伊尔·波波维奇   特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/48 Abstract: 本公开涉及用于集成电路的背侧集成电压调节器。该技术涉及集成电路(IC)封装。IC封装可以包括封装基板、IC裸片和集成电压调节器裸片。IC裸片可以包括金属层和硅层。金属层可以连接到封装基板。集成电压调节器裸片可以邻近于硅层定位,并且经由一个或多个穿模通孔(TMV)或穿电介质通孔(TDV)连接到封装基板。IC裸片可以是专用集成电路(ASIC)裸片。
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CN112005367A
用于容纳液体粘合剂渗出的集成电路基板
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112005367A Publication Date: 2020-11-27 Application Number: 201980021015.7 Filing Date: 2019-11-12 Inventor:   浦田良平   特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/13 Abstract: 提供了具有用于容纳液体粘合剂的特征的集成电路基板以及用于制造这种基板的方法。一种器件包括第一基板层(220)和第二基板层(210),该第二基板层(210)被粘附到该第一基板层(220),使得:第一基板层(220)的顶表面的一部分被暴露以限定腔(230)的底部,并且与第一基板层(220)的暴露的顶表面相邻的第二基板层(210)的边缘限定腔(230)的边缘。该器件包括集成电路管芯(240),该集成电路管芯(240)通过液体粘合剂被粘附到第一基板层(220)的暴露的顶表面。第一基板层(220)能够在集成电路管芯(240)的区域和腔(230)的边缘之间在腔(230)的底部中限定沟槽(260a,260b),使得该沟槽(260a,260b)能够接收从集成电路管芯(240)和第一基板层(220)的顶表面之间渗出的液体粘合剂。
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CN111837234A
用于高性能处理器的高带宽存储器封装
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111837234A Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 201980018366.2 Filing Date: 2019-03-28 Inventor:   金楠勋   特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/498 Abstract: 提供了集成部件封装和组装集成部件封装的方法。集成部件封装可以包括凸块节距松弛层。高带宽存储器部件经由第一集合的凸块接合件连接在凸块节距松弛层的第一侧上直接机械地耦合到凸块节距松弛层。高带宽存储器部件经由第一集合的凸块接合件连接在凸块节距松弛层的第一侧上直接电耦合到凸块节距松弛层。凸块节距松弛层经由第二集合的凸块接合件连接机械地耦合到基板的第一侧。高带宽存储器部件经由凸块节距松弛层和第二集合的凸块接合件连接电耦合到基板,并且第二集合的凸块接合件连接的凸块节距大于第一集合的凸块接合件连接。
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CN112074950A
用于高性能专用集成电路(ASIC)应用的大型深沟槽电容器管芯填充
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112074950A Publication Date: 2020-12-11 Application Number: 201980027093.8 Filing Date: 2019-11-11 Inventor:   金楠勋   特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/538 Abstract: 公开了一种处理器组件和包括处理器组件的系统。该处理器组件包括:中介件,该中介件设置在基板上;集成电路,该集成电路设置在中介件上;存储器电路,该存储器电路设置在中介件上并耦合到集成电路;和电容器,该电容器嵌入中介件中。电容器包括至少由非平面电介质结构分隔的第一非平面导体结构和第二非平面导体结构。电容器包括第一电容器端子,该第一电容器端子将第一非平面导体结构电耦合到集成电路中的第一电压端子。电容器包括第二电容器端子,该第二电容器端子将第二非平面导体结构电耦合到集成电路中的第二电压端子。电容器包括氧化物层,该氧化物层将电容器与中介件电隔离。
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CN110678975A
用于在高性能集成电路封装中减少翘曲并增加表面贴装技术产率的设备和机构
Substantial Examination
Title (English): Equipment and mechanisms for reducing warpage and increasing the yield of surface mount technology in high performance IC packages
Publication/Patent Number: CN110678975A Publication Date: 2020-01-10 Application Number: 201880035640.2 Filing Date: 2018-11-27 Inventor:   菲利普·拉   迈克尔·特伦特·怀斯   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/00 Abstract: 提供了一种用于减小集成电路封装在加热和冷却期间的翘曲的加强设备。该加强设备包括IC基板(204),该IC基板(204)被配置成在IC基板的顶侧上接收IC晶片(210)。该加强设备包括主加强环(201),该主加强环被附着到所述IC基板的顶侧并在所述IC晶片的区域中限定开口,使得所述主加强环包围所述IC晶片的区域。所述主加强环限定多个沟槽(206)。所述加强设备包括具有多个卡子(205)的副加强环(202),所述多个卡子(205)被配置成与所述多个沟槽接合,以在所述主加强环的与IC基板相对的一侧上将所述副加强环以可移除的方式附接到所述主加强环。还提供了一种在制造操作期间使用加强设备的方法。
6
CN111837293A
嵌入式气隙传输线
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111837293A Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 201980018638.9 Filing Date: 2019-04-03 Inventor: 理查德·罗伊   皮埃尔-卢卡·坎廷   特克久·康     Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01P3/08 Abstract: 提供了嵌入式气隙传输线和制造方法。一种具有气隙传输线的设备可以包括第一导电平面、具有与所述第一导电平面接触的底表面的核心电介质层、具有与所述核心电介质层的顶表面接触的底表面的导体、以及第二导电平面,所述第二导电平面定位在所述导体的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开,以使得间隙将所述导体与所述第二导电平面分开。所述导体的所述顶表面与所述第二导电平面的所述底表面分开了第一距离,所述第一距离沿垂直于所述第一导电平面的轴线测量,并且所述导体的所述底表面与所述第一导电平面分开了第二距离,所述第二距离大于沿所述轴线测量的所述第一距离。
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CN108735688A
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Substantial Examination
Title (English): Integration of silicon photonic ic for high data rates
Publication/Patent Number: CN108735688A Publication Date: 2018-11-02 Application Number: 201810213158.5 Filing Date: 2018-03-15 Inventor: 刘红   浦田良平     特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/31 Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而,导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感,该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。
8
CN108735687A
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Substantial Examination
Title (English): Integration of silicon photonic ic for high data rates
Publication/Patent Number: CN108735687A Publication Date: 2018-11-02 Application Number: 201810213052.5 Filing Date: 2018-03-15 Inventor: 刘红   浦田良平     特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/31 Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而,导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感,该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。
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CN208256644U
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Grant
Title (English): Integration of silicon photon ic for high data rate
Publication/Patent Number: CN208256644U Publication Date: 2018-12-18 Application Number: 201820356268.2 Filing Date: 2018-03-15 Inventor: 刘红   浦田良平     特克久·康   Assignee: 谷歌有限责任公司   IPC: H01L23/31 Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而,导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感,该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。