| No. | Publication Number | Title | Publication/Patent Number Publication/Patent Number |
Publication Date
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Application Number Application Number |
Filing Date
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Inventor Inventor | Assignee Assignee |
IPC
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1 | CN112510020A |
嵌入在封装基板中的深沟槽电容器
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112510020A | Publication Date: 2021-03-16 | Application Number: 202011371069.7 | Filing Date: 2020-11-30 | Inventor： 金楠勋 特克久·康 斯克特·李·柯克曼 权云星 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/64 | Abstract: 本公开涉及嵌入在封装基板中的深沟槽电容器。在一些方面，芯片封装包括集成电路裸片，该集成电路裸片具有用于集成电路的一个或多个电路的配电电路。芯片封装还包括与集成电路不同的基板，并且该基板具有其上安装有集成电路裸片的第一表面，和与第一表面相对的第二表面。基板包括形成在第一表面或第二表面中的至少一个表面中的一个或多个腔。芯片封装还包括被设置在该一个或多个腔的至少一个腔中的一个或多个深沟槽电容器。每个深沟槽电容器通过导体连接到配电电路。 | |||
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2 | CN112185919A |
用于集成电路的背侧集成电压调节器
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112185919A | Publication Date: 2021-01-05 | Application Number: 202011056882.5 | Filing Date: 2020-09-30 | Inventor： 金楠勋 权云成 甘后乐 沈柔政 米哈伊尔·波波维奇 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/48 | Abstract: 本公开涉及用于集成电路的背侧集成电压调节器。该技术涉及集成电路(IC)封装。IC封装可以包括封装基板、IC裸片和集成电压调节器裸片。IC裸片可以包括金属层和硅层。金属层可以连接到封装基板。集成电压调节器裸片可以邻近于硅层定位，并且经由一个或多个穿模通孔(TMV)或穿电介质通孔(TDV)连接到封装基板。IC裸片可以是专用集成电路(ASIC)裸片。 | |||
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3 | CN112352312A |
用于经由金属沟道进行直接液体冷却的装置和方法
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112352312A | Publication Date: 2021-02-09 | Application Number: 201980044141.4 | Filing Date: 2019-11-12 | Inventor： 帕丹姆·贾殷 李元 特克久·康 马德胡苏丹·延加尔 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/473 | Abstract: 公开了一种用于直接液体冷却的装置。所述装置包括设置在基板上的封装组件。所述装置还包括：金属沟道层，该金属沟道层具有多个沟道，该金属沟道层设置在封装组件的顶部上；以及顶部密封件，该顶部密封件设置在金属沟道层上。所述顶部密封件具有至少一个进口和至少一个出口，用于直接液体冷却。所述金属沟道层包括铜或银。所述封装组件还可以包括硅沟道。另外，还公开了制造所述装置的方法。 | |||
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4 | CN112369131A |
冷却数据中心中的电子设备
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112369131A | Publication Date: 2021-02-12 | Application Number: 201980043200.6 | Filing Date: 2019-10-25 | Inventor： 马德胡苏丹·克里希南·延加尔 克里斯托弗·格雷戈里·马隆 李元 约尔格·帕迪拉 权云星 特克久·康 诺曼·保罗·约皮 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H05K7/20 | Abstract: 一种服务器托盘封装，包括：包括多个数据中心电子设备的母板组件；和液体冷板组件。液体冷板组件包括：安装到母板组件的基部，该基部和母板组件限定至少部分地包围该多个数据中心电子设备的空间；和顶部，该顶部安装到基部，并且包括热量传递部件，该热量传递部件包括第一数目的入口端口和第二数目的出口端口，该第一数目的入口端口和该第二数目的出口端口与通过热量传递部件限定的冷却液体流动路径流体连通，入口端口的第一数目与出口端口的第二数目不同。 | |||
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5 | CN112074950A |
用于高性能专用集成电路(ASIC)应用的大型深沟槽电容器管芯填充
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112074950A | Publication Date: 2020-12-11 | Application Number: 201980027093.8 | Filing Date: 2019-11-11 | Inventor： 权云成 金楠勋 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/538 | Abstract: 公开了一种处理器组件和包括处理器组件的系统。该处理器组件包括：中介件，该中介件设置在基板上；集成电路，该集成电路设置在中介件上；存储器电路，该存储器电路设置在中介件上并耦合到集成电路；和电容器，该电容器嵌入中介件中。电容器包括至少由非平面电介质结构分隔的第一非平面导体结构和第二非平面导体结构。电容器包括第一电容器端子，该第一电容器端子将第一非平面导体结构电耦合到集成电路中的第一电压端子。电容器包括第二电容器端子，该第二电容器端子将第二非平面导体结构电耦合到集成电路中的第二电压端子。电容器包括氧化物层，该氧化物层将电容器与中介件电隔离。 | |||
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6 | CN112005367A |
用于容纳液体粘合剂渗出的集成电路基板
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN112005367A | Publication Date: 2020-11-27 | Application Number: 201980021015.7 | Filing Date: 2019-11-12 | Inventor： 权云成 浦田良平 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/13 | Abstract: 提供了具有用于容纳液体粘合剂的特征的集成电路基板以及用于制造这种基板的方法。一种器件包括第一基板层(220)和第二基板层(210)，该第二基板层(210)被粘附到该第一基板层(220)，使得：第一基板层(220)的顶表面的一部分被暴露以限定腔(230)的底部，并且与第一基板层(220)的暴露的顶表面相邻的第二基板层(210)的边缘限定腔(230)的边缘。该器件包括集成电路管芯(240)，该集成电路管芯(240)通过液体粘合剂被粘附到第一基板层(220)的暴露的顶表面。第一基板层(220)能够在集成电路管芯(240)的区域和腔(230)的边缘之间在腔(230)的底部中限定沟槽(260a，260b)，使得该沟槽(260a，260b)能够接收从集成电路管芯(240)和第一基板层(220)的顶表面之间渗出的液体粘合剂。 | |||
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7 | CN111837234A |
用于高性能处理器的高带宽存储器封装
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN111837234A | Publication Date: 2020-10-27 | Application Number: 201980018366.2 | Filing Date: 2019-03-28 | Inventor： 权云成 金楠勋 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/498 | Abstract: 提供了集成部件封装和组装集成部件封装的方法。集成部件封装可以包括凸块节距松弛层。高带宽存储器部件经由第一集合的凸块接合件连接在凸块节距松弛层的第一侧上直接机械地耦合到凸块节距松弛层。高带宽存储器部件经由第一集合的凸块接合件连接在凸块节距松弛层的第一侧上直接电耦合到凸块节距松弛层。凸块节距松弛层经由第二集合的凸块接合件连接机械地耦合到基板的第一侧。高带宽存储器部件经由凸块节距松弛层和第二集合的凸块接合件连接电耦合到基板，并且第二集合的凸块接合件连接的凸块节距大于第一集合的凸块接合件连接。 | |||
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8 | CN111929780A |
带有光子和竖直电力输送的ASIC封装
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN111929780A | Publication Date: 2020-11-13 | Application Number: 202010817738.2 | Filing Date: 2020-08-14 | Inventor： 权云星 纳姆胡恩·金 特克久·康 浦田良平 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: G02B6/43 | Abstract: 本申请涉及一种带有光子和竖直电力输送的ASIC封装。IC封装可以包括基板。IC管芯可以安装到基板。一个或多个光子模块可以附接到基板，并且一个或多个串行化器/并行化器(SerDes)接口可以将IC管芯连接到一个或多个光子模块。IC管芯可以是专用集成电路(ASIC)管芯，并且一个或多个光子模块可以包括光子集成电路(PIC)和光纤阵列。一个或多个光子模块可以安装到一个或多个附加基板，该附加基板可以经由一个或多个插座附接到基板。 | |||
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9 | CN111837293A |
嵌入式气隙传输线
Substantial Examination
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Publication/Patent Number: CN111837293A | Publication Date: 2020-10-27 | Application Number: 201980018638.9 | Filing Date: 2019-04-03 | Inventor： 理查德·罗伊 皮埃尔-卢卡·坎廷 特克久·康 权云成 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01P3/08 | Abstract: 提供了嵌入式气隙传输线和制造方法。一种具有气隙传输线的设备可以包括第一导电平面、具有与所述第一导电平面接触的底表面的核心电介质层、具有与所述核心电介质层的顶表面接触的底表面的导体、以及第二导电平面，所述第二导电平面定位在所述导体的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙将所述导体与所述第二导电平面分开。所述导体的所述顶表面与所述第二导电平面的所述底表面分开了第一距离，所述第一距离沿垂直于所述第一导电平面的轴线测量，并且所述导体的所述底表面与所述第一导电平面分开了第二距离，所述第二距离大于沿所述轴线测量的所述第一距离。 | |||
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10 | CN108735688A |
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Substantial Examination
Title (English):
Integration of silicon photonic ic for high data rates
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Publication/Patent Number: CN108735688A | Publication Date: 2018-11-02 | Application Number: 201810213158.5 | Filing Date: 2018-03-15 | Inventor： 刘红 浦田良平 权云成 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/31 | Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而，导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感，该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。 | |||
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11 | CN108735687A |
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Substantial Examination
Title (English):
Integration of silicon photonic ic for high data rates
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Publication/Patent Number: CN108735687A | Publication Date: 2018-11-02 | Application Number: 201810213052.5 | Filing Date: 2018-03-15 | Inventor： 刘红 浦田良平 权云成 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/31 | Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而，导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感，该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。 | |||
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12 | CN208256644U |
用于高数据速率的硅光子IC的集成
Grant
Title (English):
Integration of silicon photon ic for high data rate
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Publication/Patent Number: CN208256644U | Publication Date: 2018-12-18 | Application Number: 201820356268.2 | Filing Date: 2018-03-15 | Inventor： 刘红 浦田良平 权云成 特克久·康 | Assignee: 谷歌有限责任公司 | IPC: H01L23/31 | Abstract: 本申请涉及用于高数据速率的硅光子IC的集成。高速应用中的信号完整性是取决于基础设备性能和电子封装方法的。使用导线接合的成熟的板上芯片封装(COB)封装技术使其成为高速光学收发器的大规模生产的成本的有利选项。然而，导线接合引入了与接合导线的长度相关的寄生电感，该寄生电感限制用于更高的数据吞吐量系统的可扩展性。根据第一建议的配置的高速光学收发器封装通过使用倒装芯片接合使组件垂直地集成来使封装相关的寄生电感最小化。根据所第二种提出的配置的高速光学收发器封装使用芯片载体和倒装芯片接合利用组件的水平平铺来最小化封装相关的寄生电感。 |
3.Current Quota