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No. Publication Number Title Publication/Patent Number Publication/Patent Number Publication Date Publication Date
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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1 CN111273436A
激光照射方法
Public
Publication/Patent Number: CN111273436A Publication Date: 2020-06-12 Application Number: 201911233109.9 Filing Date: 2019-12-05 Inventor: 奥村展   白种   李东成   Assignee: 三星显示有限公司   IPC: G02B26/10 Abstract: 一种激光照射方法包括:第一扫描,其中通过使用点激光束沿Y方向移动基板的表面上的激光照射区域,在具有X方向上的宽度和Y方向上的长度的第一区域中扫描激光束;以及第二扫描,其中通过使用点激光束沿Y方向移动基板的表面上的激光照射区域,在具有X方向上的宽度和Y方向上的长度的第二区域中扫描激光束。第二区域的中心与第一区域的中心在X方向上间隔开。
2 CN111834411A
显示面板及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN111834411A Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 202010294628.2 Filing Date: 2020-04-15 Inventor: 白种   郑在佑   苏炳洙   Assignee: 三星显示有限公司   IPC: H01L27/32 Abstract: 公开了显示面板及用于制造显示面板的方法,所述显示面板包括基底衬底、位于基底衬底上的电路层以及位于电路层上的显示元件层,其中,电路层包括位于基底衬底上并包含硼和氟的有源层、位于有源层上的控制电极以及位于有源层与控制电极之间的控制电极绝缘层,其中,有源层包括核心层和表面层,核心层中硼的浓度大于氟的浓度;表面层位于核心层上并且表面层中氟的浓度大于硼的浓度。
3 CN111129158A
显示装置及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN111129158A Publication Date: 2020-05-08 Application Number: 201911046650.9 Filing Date: 2019-10-30 Inventor: 白种   郑在祐   苏炳洙   Assignee: 三星显示有限公司   IPC: H01L29/786 Abstract: 提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括:基板;所述基板上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括有源层,所述有源层包括源极区、漏极区以及所述源极区和所述漏极区之间的沟道区;以及在所述基板上并电连接到所述第一薄膜晶体管的显示器件。所述源极区、所述漏极区和所述沟道区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂,所述第二掺杂剂不同于所述第一掺杂剂。所述沟道区中的所述第一掺杂剂的浓度小于所述源极区和所述漏极区中的所述第一掺杂剂的浓度。
4 CN110828333A
退火装置
Public
Title (English): Annealing device
Publication/Patent Number: CN110828333A Publication Date: 2020-02-21 Application Number: 201910732929.6 Filing Date: 2019-08-09 Inventor: 苏炳洙   高仁哲   白种   郑在佑   Assignee: 三星显示有限公司   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明涉及退火装置。退火装置包括:被配置为容纳基板的主体;被配置为产生要被传输到主体的微波的微波产生单元;被配置为将微波从微波产生单元传输到主体的入射单元;以及布置在入射单元与主体之间的衍射单元。衍射单元被配置为在微波被传输到主体之前使微波穿过衍射单元。
5 CN111211057A
显示装置及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN111211057A Publication Date: 2020-05-29 Application Number: 201911148619.6 Filing Date: 2019-11-21 Inventor: 梁泰勋   金基范   白种   苏炳洙   李宗璨   郑雄喜   郑在祐   Assignee: 三星显示有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 公开了显示装置及其制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案和栅电极,位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区,沟道区包括晶体硅,并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部,并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80%或更多。