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1
CN112530857A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112530857A Publication Date: 2021-03-19 Application Number: 201910887415.8 Filing Date: 2019-09-19 Inventor: 于海龙   谭晶晶     郭雯   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内具有第一金属层;在所述衬底上形成介质层,所述介质层内具有暴露出第一金属层顶部表面的第一开口;采用第一溅射处理对第一开口底部暴露出的第一金属层表面进行轰击,使所述第一金属层表面的金属材料溅射到所述第一开口侧壁表面形成第一粘附层;采用第一金属选择性生长工艺在所述第一粘附层表面以及所述第一金属层暴露出的表面形成第二金属。在本发明的技术方案中,通过在第一开口侧壁表面形成第一粘附层,进而在第一粘附层的侧壁与第一金属层的表面形成第二金属层,以此提升第二金属层与第一开口的侧壁表面之间的结合性,有效的减小了外部的杂质进入到所述第一开口内造成金属污染。
2
CN112490180A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490180A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 201910866417.9 Filing Date: 2019-09-12 Inventor: 张田田   张浩   肖张茹     Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内具有半导体材料结构;在衬底表面形成介质层,所述介质层内具有暴露出半导体材料结构顶部表面的第一开口;在第一开口侧壁表面形成绝缘层,绝缘层内掺杂有改性离子;在半导体材料结构表面、以及介质层顶部表面形成初始接触层;在初始接触层表面形成保护层;在保护层顶部表面以及绝缘层的侧壁表面形成填充第一开口的导电插塞;进行退火处理,使绝缘层、改性离子以及导电插塞反应,在导电插塞的侧壁表面形成阻挡层。在本发明的技术方案中,形成阻挡层的厚度降低,减小了占据导电插塞与保护层形成的空间,有效增大了导电插塞、保护层与接触层之间的接触面积,进而减小了接触电阻。
3
CN112397442A
半导体器件及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112397442A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 201910744276.3 Filing Date: 2019-08-13 Inventor: 张田田     童哲源   肖张茹   于海龙   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其形成方法,其形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有层间介质层;刻蚀所述层间介质层形成接触孔,所述接触孔暴露出所述基底表面;在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成金属层,且所述金属层填充满所述接触孔。本发明利用阻挡层中的离子能够较好地吸附这种电负性较大的离子,因此阻挡层能够起到有效地阻挡电负性较大的离子发生扩散,从而避免电负性较大的离子扩散,减少对半导体器件造成损伤,从而使得形成的半导体器件的性能得到提高。
4
CN112349651A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349651A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201910733254.7 Filing Date: 2019-08-09 Inventor: 张浩     谭晶晶   张田田   许增升   郭雯   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底表面具有第一介质层;在所述第一介质层内形成第一开口,且所述第一开口底部暴露出部分基底表面;在所述第一开口内形成初始第一插塞;回刻蚀所述初始第一插塞,在所述第一介质层内形成凹槽和位于凹槽底部的第一插塞;在所述凹槽内形成第二插塞,且所述第一插塞的材料和第二插塞的材料不同;在所述第二插塞和第一介质层表面形成第二介质层;刻蚀部分所述第二介质层,在所述第二介质层内形成第二开口,且第二开口底部暴露出第二插塞的顶部表面;在所述第二开口内形成第三插塞,且所述第三插塞底部和第二插塞表面相接触。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
5
CN112349652A
半导体结构及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349652A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201910733492.8 Filing Date: 2019-08-09 Inventor: 张浩     谭晶晶   张田田   肖张茹   许增升   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底表面具有介质层;在介质层内形成开口,且开口底部暴露出部分基底表面;在开口底部和侧壁表面、以及介质层表面形成材料膜;在材料膜表面形成阻挡膜;去除开口底部的阻挡膜,在开口侧壁表面和介质层表面形成初始阻挡层;形成初始阻挡层之后,在开口内以及介质层表面形成导电材料膜;采用退火工艺,使开口底部的基底和材料膜、位于材料膜表面的导电材料膜相互反应,在开口底部形成接触层;形成接触层之后,平坦化导电材料膜、初始阻挡层以及材料膜,直至暴露出介质层表面,在开口侧壁形成阻挡层和位于阻挡层表面的插塞,且插塞位于接触层表面。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
6
CN106939411B
氮化钛的形成方法
Grant
Title (English): Formation method of titanium nitride
Publication/Patent Number: CN106939411B Publication Date: 2019-01-22 Application Number: 201610003779.1 Filing Date: 2016-01-04 Inventor: 徐建华   刘英明     何*   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: C23C14/35 Abstract: 一种氮化钛的形成方法,包括:第一步骤,将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行氮化钛的物理气相沉积;第二步骤,将遮挡片置于所述物理气相沉积腔室中进行纯钛的物理气相沉积;第三步骤,对所述物理气相沉积腔室进行冲净处理;第一过程,在进行m次所述第一步骤后,进行1次所述第二步骤;第二过程,在重复n次所述第一过程后,先进行k次所述第一步骤,再进行1次所述第三步骤;m,n和k为大于1的整数。所述形成方法能够使得在氮化钛的形成过程中,避免物理气相沉积腔室内表面和聚焦环表面的氮化钛容易掉落到相应晶圆表面,从而提高晶圆上芯片的良率。
7
CN105990221B
形成金属互连的方法
Grant
Title (English): Method of forming metal interconnections
Publication/Patent Number: CN105990221B Publication Date: 2019-01-29 Application Number: 201510057248.6 Filing Date: 2015-02-04 Inventor: 刘继全   徐建华     Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 本发明提供了一种形成金属互连的方法,在原子层沉积前,首先利用预清洁步骤,将接触孔底部暴露的金属铜表面的氧化铜去除,然后通过预处理步骤,使接触孔底部暴露的金属铜表面悬挂氢键,由于氮化钽在悬挂氢键的金属铜表面成核困难,因此,在接触孔侧壁形成第一扩散阻挡层时,在经过预清洁和预处理后的接触孔底壁表面不会形成第一扩散阻挡层,由此,降低了接触电阻。
8
CN106158612B
半导体结构的形成方法
Grant
Title (English): Method of forming semiconductor structure
Publication/Patent Number: CN106158612B Publication Date: 2019-05-28 Application Number: 201510176691.5 Filing Date: 2015-04-14 Inventor: 徐建华   王小娜   付小牛     Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/28 Abstract: 一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底上形成有伪栅结构;形成覆盖半导体衬底和伪栅结构侧壁的介质层,介质层的表面与伪栅顶部表面齐平;去除所述伪栅结构,形成凹槽;在所述凹槽的侧壁和底部以及介质层的表面形成高K栅介质层;在所述高K栅介质层上形成第一铝金属层,所述第一铝金属层填充满凹槽;在第一铝金属层上形成牺牲层,所述牺牲层包括位于第一铝金属层上的第一粘附层、位于第一粘附层上的扩散阻挡层,以及位于扩散阻挡层上的第二粘附层;在所述牺牲层上形成第二铝金属层;采用化学机械研磨工艺去除介质层表面的第二铝金属层、牺牲层和第一铝金属层,在凹槽中形成金属栅电极。本发明的方法防止凹陷缺陷的产生。
9
CN106939411A
氮化钛的形成方法
Grant
Title (English): Formation method of titanium nitride
Publication/Patent Number: CN106939411A Publication Date: 2017-07-11 Application Number: 201610003779.1 Filing Date: 2016-01-04 Inventor: 徐建华   刘英明     何*   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: C23C14/35 Abstract: 一种氮化钛的形成方法,包括:第一步骤,将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行氮化钛的物理气相沉积;第二步骤,将遮挡片置于所述物理气相沉积腔室中进行纯钛的物理气相沉积;第三步骤,对所述物理气相沉积腔室进行冲净处理;第一过程,在进行m次所述第一步骤后,进行1次所述第二步骤;第二过程,在重复n次所述第一过程后,先进行k次所述第一步骤,再进行1次所述第三步骤;m,n和k为大于1的整数。所述形成方法能够使得在氮化钛的形成过程中,避免物理气相沉积腔室内表面和聚焦环表面的氮化钛容易掉落到相应晶圆表面,从而提高晶圆上芯片的良率。
10
CN205171005U
一种电镀装置
Grant
Title (English): An electroplating device
Publication/Patent Number: CN205171005U Publication Date: 2016-04-20 Application Number: 201520999683.6 Filing Date: 2015-12-04 Inventor: 徐建华   谭晶晶     Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: C25D17/06 Abstract: 一种电镀装置,用于对待镀工件进行电镀,包括控制装置、机械臂和电镀槽;所述控制装置连接于所述机械臂,所述电镀槽设置于所述机械臂相对应的下方;所述电镀槽内设置有电镀液;所述机械臂包括相互连接的驱动部和夹持部;所述驱动部适于驱动所述夹持部上下运动和/或旋转预设角度;所述夹持部上设有金属环,所述待镀工件固定于所述金属环中;所述待镀工件的外径与所述金属环的内径相同,且所述待镀工件与所述金属环位于同一平面上。通过增加金属环将局部空洞缺陷形成在金属环上,以牺牲金属环来保证晶圆电镀的完整性,并通过电镀过程中将晶圆倾斜成一个角度进入电镀液并将晶圆旋转来保证电镀效果,从而提高晶圆电镀的品质。
11
CN106158612A
半导体结构的形成方法
Grant
Title (English): Method of forming semiconductor structure
Publication/Patent Number: CN106158612A Publication Date: 2016-11-23 Application Number: 201510176691.5 Filing Date: 2015-04-14 Inventor: 徐建华   王小娜   付小牛     Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/28 Abstract: 一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底上形成有伪栅结构;形成覆盖半导体衬底和伪栅结构侧壁的介质层,介质层的表面与伪栅顶部表面齐平;去除所述伪栅结构,形成凹槽;在所述凹槽的侧壁和底部以及介质层的表面形成高K栅介质层;在所述高K栅介质层上形成第一铝金属层,所述第一铝金属层填充满凹槽;在第一铝金属层上形成牺牲层,所述牺牲层包括位于第一铝金属层上的第一粘附层、位于第一粘附层上的扩散阻挡层,以及位于扩散阻挡层上的第二粘附层;在所述牺牲层上形成第二铝金属层;采用化学机械研磨工艺去除介质层表面的第二铝金属层、牺牲层和第一铝金属层,在凹槽中形成金属栅电极。本发明的方法防止凹陷缺陷的产生。
12
CN105990221A
形成金属互连的方法
Grant
Title (English): Method of forming metal interconnections
Publication/Patent Number: CN105990221A Publication Date: 2016-10-05 Application Number: 201510057248.6 Filing Date: 2015-02-04 Inventor: 刘继全   徐建华     Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/768 Abstract: 本发明提供了一种形成金属互连的方法,在原子层沉积前,首先利用预清洁步骤,将接触孔底部暴露的金属铜表面的氧化铜去除,然后通过预处理步骤,使接触孔底部暴露的金属铜表面悬挂氢键,由于氮化钽在悬挂氢键的金属铜表面成核困难,因此,在接触孔侧壁形成第一扩散阻挡层时,在经过预清洁和预处理后的接触孔底壁表面不会形成第一扩散阻挡层,由此,降低了接触电阻。
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CN102543820B
浅沟槽隔离结构及其形成方法
Grant
Title (English): Isolation Structure and Formation Method of Shallow Groove
Publication/Patent Number: CN102543820B Publication Date: 2014-11-05 Application Number: 201010592926.6 Filing Date: 2010-12-16 Inventor: 符云飞   任万春   郭世璧     Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/762 Abstract: 一种浅沟槽隔离结构形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内形成有浅沟槽;在所述浅沟槽表面形成衬垫介质层;在所述衬垫介质层表面形成第一隔离介质层;在所述第一隔离介质层表面形成填充满所述浅沟槽的第二隔离介质层;对所述衬垫介质层、第一隔离介质层、第二隔离介质层进行退火处理。相应地,本发明还提供利用上述方法所形成的浅沟槽隔离结构,采用本发明所提供的浅沟槽隔离结构及其形成方法可以提高浅沟槽隔离结构的应力,从而提高MOS器件沟道区载流子的迁移速率,进而提高MOS器件的性能。
14
CN101901841B
一种电容器及其制造方法
Grant Assignment
Title (English): A Capacitor and Its Manufacturing Method
Publication/Patent Number: CN101901841B Publication Date: 2013-03-13 Application Number: 200910052270.6 Filing Date: 2009-05-31 Inventor: 向阳辉   刘艳   黄晓辉   曾贤成     郭世璧   庞军玲   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L29/92 Abstract: 本发明提供了一MIM电容器及其制造方法,其中,所述电容器包括衬底;第一金属层,其形成于所述衬底之上;介电层,其覆盖所述第一金属层的表面;第二金属层,其形成于所述介电层的表面,其中,所述第一金属层是由多个金属颗粒连续排列而成。所述电容器的制造方法包括:提供一衬底;形成一第一金属层于所述衬底之上,使得所述第一金属层具有多个金属颗粒连续排列而成的结构;形成一介电层于所述第一金属层之上;形成一第二金属层于所述介电层之上。采用本发明提供的电容器及其制造方法,能够有效地提高MIM电容器的电容密度,并且工艺简单便捷,功耗较小。
15
CN102376579A
NMOS晶体管的制作方法
Rejection Assignment
Title (English): nmos transistor fabrication method
Publication/Patent Number: CN102376579A Publication Date: 2012-03-14 Application Number: 201010263330.1 Filing Date: 2010-08-24 Inventor: 鲍宇     张彬   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 本发明提供一种NMOS晶体管的制作方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成栅极结构,并在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极;形成覆盖栅极结构表面以及半导体衬底表面的拉应力层;去除覆盖在栅极结构顶部的拉应力层;在剩余的拉应力层表面以及栅极顶部形成压应力层,压应力层的硬度比拉应力层的硬度大;进行热退火处理;依次去除压应力层和剩余的拉应力层。本发明通过在拉应力层上再覆盖压应力层,由于覆盖在栅极上的拉应力层已经去除,故该压应力层直接作用于栅极,对栅极产生向下的压力,该向下的压力转化成沿着沟道长度方向产生的单轴拉伸应变增大,进一步增加电子迁移率,从而使NMOS晶体管具有更高的运转速度。
16
CN102468236A
金属氧化物半导体器件的形成方法
Rejection
Title (English): Formation of metal oxide semiconductor devices
Publication/Patent Number: CN102468236A Publication Date: 2012-05-23 Application Number: 201010532034.7 Filing Date: 2010-10-29 Inventor: 鲍宇   张彬     付云飞   Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/8238 Abstract: 金属氧化物半导体器件的形成方法,包含以下步骤:提供包含PMOS晶体管和NMOS晶体管的衬底;在所述PMOS晶体管表面形成压应力层,所述压应力层的材料为二氧化硅;在所述NMOS晶体管表面形成拉应力层。相应地,本发明还提供通过本发明所提供的方法形成的金属氧化物半导体器件。本发明所提供金属氧化物半导体器件的形成方法是在PMOS晶体管表面沉积一层由二氧化硅材料形成的压应力层,所形成的压应力层在后续退火过程中可以保持压应力,从而可以提高PMOS晶体管的性能。
17
CN102468171A
一种改善应力层应力作用的方法
Rejection Assignment
Title (English): A Method to Improve Stress Action of Stress Laye
Publication/Patent Number: CN102468171A Publication Date: 2012-05-23 Application Number: 201010534190.7 Filing Date: 2010-11-05 Inventor:   向阳辉   杨瑞鹏   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/336 Abstract: 一种改善应力层应力作用的方法,包括以下步骤:提供一衬底,所述衬底正面形成有栅极、栅极侧壁隔离层,在所述衬底的背面同时形成有沉积氮化硅层;对所述栅极进行掺杂离子注入工艺;在所述衬底正面上淀积形成氧化硅层;去除位于所述衬底背面的沉积氮化硅层;在所述氧化硅层表面形成应力层;进行高温退火工艺。综上所述,本发明在衬底正面形成氧化硅层后,浸泡去除衬底背面的沉积氮化层,再沉积应力层并进行高温退火,从而防止沉积氮化层削弱应力层的应力作用,从而改善应力层的应力记忆作用。
18
CN102832112A
金属硅化物形成方法
Rejection
Title (English): Metal silicide formation methods
Publication/Patent Number: CN102832112A Publication Date: 2012-12-19 Application Number: 201110165003.7 Filing Date: 2011-06-17 Inventor: 鲍宇     平延磊   肖海波   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L21/28 Abstract: 本发明提供了一种金属硅化物形成方法,在形成金属硅化物阻挡层之前在硅衬底上先沉积一层氟硅玻璃薄膜作为缓冲层,氟硅玻璃薄膜中的氟元素可以扩散入硅衬底中,氟元素的引入可抑制在生成金属硅化物初期时金属突然集中进入硅衬底中,并且可以固定已经扩散到硅衬底中的金属元素,进而减小缺陷。
19
CN102468434A
相变存储器的制作方法
Rejection
Title (English): Method of making phase change memory
Publication/Patent Number: CN102468434A Publication Date: 2012-05-23 Application Number: 201010548610.7 Filing Date: 2010-11-17 Inventor: 符云飞   程永亮   郭世璧     Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明提供了一种相变存储器的制作方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成层间介质层和与所述层间介质层齐平的多晶硅层,所述层间介质层环绕所述多晶硅层;部分刻蚀所述多晶硅层,在剩余的多晶硅层上方形成沟槽;在所述沟槽底部形成粘附金属层,所述粘附金属层的材质为金属硅化物;在所述接触金属层上方形成相变层,所述相变层填充满所述沟槽。本发明提高了制作的相变存储器的良率。
20
CN102543820A
浅沟槽隔离结构及其形成方法
Grant
Title (English): Shallow trench isolation structure and its formation method
Publication/Patent Number: CN102543820A Publication Date: 2012-07-04 Application Number: 201010592926.6 Filing Date: 2010-12-16 Inventor: 符云飞   任万春   郭世璧     Assignee: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L21/762 Abstract: 一种浅沟槽隔离结构形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内形成有浅沟槽;在所述浅沟槽表面形成衬垫介质层;在所述衬垫介质层表面形成第一隔离介质层;在所述第一隔离介质层表面形成填充满所述浅沟槽的第二隔离介质层;对所述衬垫介质层、第一隔离介质层、第二隔离介质层进行退火处理。相应地,本发明还提供利用上述方法所形成的浅沟槽隔离结构,采用本发明所提供的浅沟槽隔离结构及其形成方法可以提高浅沟槽隔离结构的应力,从而提高MOS器件沟道区载流子的迁移速率,进而提高MOS器件的性能。
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