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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
CN112420644A
包括低K介电层的半导体芯片
Public
Publication/Patent Number: CN112420644A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010316950.0 Filing Date: 2020-04-21 Inventor: 李瑌真   卢晙镛   崔慜贞   韩正勋     Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/48 Abstract: 提供了一种半导体芯片,该半导体芯片包括:器件层,位于基底上,器件层包括多个半导体器件;布线结构和下布线间介电层,均位于器件层上,下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数;上布线间介电层,布置在下布线间介电层上;隔离凹陷,沿着基底的边缘布置,隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上,并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面;以及覆盖介电层,覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。
2
CN112447670A
具有再分布图案的集成电路装置
Public
Publication/Patent Number: CN112447670A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010915149.8 Filing Date: 2020-09-03 Inventor:   梁辰列   高廷旼   白承德   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/528 Abstract: 一种集成电路装置包括布线结构、第一布线间绝缘层、第二布线间绝缘层、再分布图案和覆盖绝缘层。布线结构包括具有多层布线结构的布线层和通孔插塞。第一布线间绝缘层围绕基板上的布线结构。第二布线间绝缘层在第一布线间绝缘层上,并且再分布通孔插塞通过第二布线间绝缘层连接到布线结构。再分布图案在第二布线间绝缘层上包括焊盘图案和虚设图案。各个图案的厚度大于各个布线层的厚度。覆盖绝缘层覆盖一些再分布图案。虚设图案是在平行于基板的水平方向上延伸的线的形式。
3
CN111081640A
半导体器件及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN111081640A Publication Date: 2020-04-28 Application Number: 201910649354.1 Filing Date: 2019-07-18 Inventor:   张爱熙   韩承宪   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/00 Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法,其中,通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括:衬底,其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域;位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜,其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料;位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构,其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案,所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料;以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜,其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。
4
CN110828392A
半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装
Public
Title (English): Semiconductor devices and semiconductor packages including the semiconductor device
Publication/Patent Number: CN110828392A Publication Date: 2020-02-21 Application Number: 201910635252.4 Filing Date: 2019-07-15 Inventor: 韩承宪     白南奎   A·n·张   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/31 Abstract: 本申请提供了半导体器件和半导体封装。半导体器件具有半导体芯片区域和切割线区域,所述半导体芯片区域包含半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分,所述切割线区域包含连接到所述钝化膜的第一部分的所述钝化膜的第二部分、从钝化膜的第二部分的远端突出的第一绝缘膜、以及第一布线的至少一部分。第一绝缘膜的第一部分沿着钝化膜的第二部分的远端设置,第一绝缘膜的第二部分横向突出超过第一绝缘膜的第一部分,并且第一布线横向突出超出第一绝缘膜的第二部分。
5
CN110767636A
半导体封装
Public
Title (English): Semiconductor packaging
Publication/Patent Number: CN110767636A Publication Date: 2020-02-07 Application Number: 201910201970.0 Filing Date: 2019-03-15 Inventor: 张a·n   白南奎     韩承宪   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L25/065 Abstract: 一种半导体封装,包括:封装基板;多个外部连接,封装基板下方;主芯片,在封装基板上;至少一个从芯片,在主芯片上;多个第一凸块和多个第二凸块,在封装基板与主芯片之间;以及多根引线,将封装基板与至少一个从芯片相连。封装基板包括:多条第一路径,将多个第一凸块与多个外部连接相连;以及多条第二路径,将多个第二凸块与多根引线相连。封装基板的上表面包括沿第一方向延伸的第一边和第二边以及沿第二方向延伸的第三边和第四边。
6
CN109841576A
半导体器件、包括其的半导体晶片及半导体封装
Public
Title (English): Semiconductor devices including semiconductor wafers and semiconductor packaging
Publication/Patent Number: CN109841576A Publication Date: 2019-06-04 Application Number: 201811432624.5 Filing Date: 2018-11-28 Inventor: 金善大     白南奎   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/00 Abstract: 本发明提供一种半导体器件、包括其的半导体晶片和半导体封装。该半导体器件包括基板,基板包括第一区域和在俯视图中至少部分地围绕第一区域的第二区域。保护图案设置在基板的第二区域上,并在俯视图中至少部分地围绕基板的第一区域。保护沟槽交叠保护图案并沿着保护图案在俯视图中至少部分地围绕基板的第一区域。保护沟槽的宽度不同于保护图案的宽度。
7
CN108573918A
衬底、分割衬底的方法及半导体器件
Substantial Examination
Title (English): Substrate, method of substrate segmentation and semiconductor devices
Publication/Patent Number: CN108573918A Publication Date: 2018-09-25 Application Number: 201810188499.1 Filing Date: 2018-03-07 Inventor:   金善大   白亨吉   白南奎   申承勋   元东勋   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L21/78 Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括:制备衬底,所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构;在所述晶体半导体层中形成非晶区;以及在形成所述非晶区之后,在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。
8
CN107452687A
半导体装置
Substantial Examination
Title (English): semiconductor device
Publication/Patent Number: CN107452687A Publication Date: 2017-12-08 Application Number: 201710271947.X Filing Date: 2017-04-24 Inventor: 金善大   白亨吉     白南奎   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L23/00 Abstract: 本发明提供一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体基板,包括主芯片区域及与主芯片区域相邻的划线通道区域,划线通道区域包括与主芯片区域相邻的第一区及与第一区相邻的第二区;绝缘层,安置在半导体基板上;第一压印结构,在绝缘层的与第一区对应的第一区域中安置在所述绝缘层的第一表面上;第二压印结构,在绝缘层的与第二区对应的第二区域中安置在所述绝缘层的第一表面上;以及挡坝结构,在与第一压印结构对应的位置处设置在绝缘层的第一区域中,挡坝结构在和绝缘层的与半导体基板相邻的第二表面所垂直的方向上延伸。
9
CN101689457B
等离子体显示板
Lapses
Title (English): plasma display panel (PDP)
Publication/Patent Number: CN101689457B Publication Date: 2012-04-04 Application Number: 200780053616.3 Filing Date: 2007-12-31 Inventor: 金昌贤     Assignee: LG电子株式会社   IPC: H01J11/12 Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括:前基板;彼此平行地定位于所述前基板上的扫描电极和维持电极;位于所述扫描电极和所述维持电极上的上介电层;与所述前基板相对设置的后基板;以及间隔壁,其位于所述前基板和所述后基板之间并对放电单元进行分隔。所述上介电层包括玻璃基材料和作为颜料的钴(Co)基材料。所述间隔壁包含小于或等于1,000ppm的铅(Pb)。
10
CN101689457A
等离子体显示板
Lapses
Title (English): plasma display panel (PDP)
Publication/Patent Number: CN101689457A Publication Date: 2010-03-31 Application Number: 200780053616.3 Filing Date: 2007-12-31 Inventor: 金昌贤     Assignee: LG电子株式会社   IPC: H01J17/49 Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括:前基板;彼此平行地定位于所述前基板上的扫描电极和维持电极;位于所述扫描电极和所述维持电极上的上介电层;与所述前基板相对设置的后基板;以及间隔壁,其位于所述前基板和所述后基板之间并对放电单元进行分隔。所述上介电层包括玻璃基材料和作为颜料的钴(Co)基材料。所述间隔壁包含小于或等于1,000ppm的铅(Pb)。
11
CN101026063A
采用多面取技术的等离子显示器的暴光装置及其方法
Revocation
Title (English): The Blizzard Device of Plasma Display Using Multi-sided Extraction Technology and Its Method
Publication/Patent Number: CN101026063A Publication Date: 2007-08-29 Application Number: 200610023940.8 Filing Date: 2006-02-17 Inventor: 徐泳佑   李尚龙     Assignee: 乐金电子(南京)等离子有限公司   IPC: H01J9/02 Abstract: 本发明涉及一种采用多面取技术的等离子显示器的暴光装置及其方法。所述等离子显示器的暴光装置与一个单位面板相对应,并被设置于表面印刷有规定模型的单板模型遮罩的直下方,它通过暴光工序可以将上述印刷在模型遮罩表面上的规定模型设置在各个玻璃基板上的单位面板上。同时,它还包含有移送装置,这样,当位于上述玻璃基板上的单位面板上的规定模型设置完成之后,就可以依次将上述玻璃基板进行移送,然后,使位于下一个位置上的单位面板与上述单板模型遮罩相对应,使上述单位面板依次进行暴光。因此,通过一个单板模型遮罩就可以在多个单位面板上形成均匀的模型。从而就可以节约模型遮罩的制作费用,并可以使面板间的误差达到最小化的程度。
12
CN101026061A
等离子显示器的制造方法
Revocation
Title (English): Method of manufacture of plasma display
Publication/Patent Number: CN101026061A Publication Date: 2007-08-29 Application Number: 200610023939.5 Filing Date: 2006-02-17 Inventor: 徐泳佑   李尚龙     Assignee: 乐金电子(南京)等离子有限公司   IPC: H01J9/00 Abstract: 本发明涉及一种等离子显示器的制造方法,包括:在构成多个上部单位面板的第1母板玻璃基板和构成多个下部单位面板的第2母板玻璃基板之间涂布密封材料的步骤;在第1、2母板玻璃基板的边沿设置多个第1挤压装置,然后根据将第1、2母板玻璃基板上的各个单位面板截断的截面的实际情况而设置至少一个以上的第2挤压装置,然后,再将上述第1母板玻璃基板和上述第2母板玻璃基板粘合到一起的步骤;根据上述粘合的第1母板玻璃基板和上述第2母板玻璃基板的截面的实际情况而进行切削和研磨的步骤。本发明不仅可以防止显示器的放电特性降低,而且可以减少制造工序,并可以提高收率。
13
CN1204589C
彩色阴极射线管中的荫罩
Lapses
Title (English): Shadow cover in colored cathode ray tubes
Publication/Patent Number: CN1204589C Publication Date: 2005-06-01 Application Number: 01137169.2 Filing Date: 2001-08-29 Inventor: 金永九   金相文     Assignee: LG电子株式会社   IPC: H01J29/07 Abstract: 彩色CRT的荫罩包括,一个电子反射膜,形成于从荫罩的表面开始直到每一个孔的内表面;或一个电子反射膜形成于荫罩面对着电子枪的表面上;或在荫罩的表面上及荫罩孔的锥形内表面上以及另一电子反射膜形成在荫罩面对着电子枪的表面上所形成的电子反射膜的上面,由此减轻了荫罩的热变形,具有减轻隆起的结果,防止了电子束的误着屏和彩色CRT的色散,提高了色纯度。
14
CN1341947A
彩色阴极射线管中的荫罩
Lapses
Title (English): Shadow cover in colored cathode ray tubes
Publication/Patent Number: CN1341947A Publication Date: 2002-03-27 Application Number: 01137169.2 Filing Date: 2001-08-29 Inventor: 金永九   金相文     Assignee: LG电子株式会社   IPC: H01J29/07 Abstract: 彩色CRT的荫罩包括,一个电子反射膜,形成于从荫罩的表面开始直到每一个孔的内表面;或一个电子反射膜形成于荫罩面对着电子枪的表面上;或在荫罩的表面上及荫罩孔的锥形内表面上以及另一电子反射膜形成在荫罩面对着电子枪的表面上所形成的电子反射膜的上面,由此减轻了荫罩的热变形,具有减轻隆起的结果,防止了电子束的误着屏和彩色CRT的色散,提高了色纯度。