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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
CN112447723A
半导体装置及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112447723A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010626680.3 Filing Date: 2020-07-01 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一具有一第一晶格常数的基底、一第一字元线设置于该基底和多个应力区域相邻设置于该第一字元线的侧壁的下部部分。所述多个应力区域具有一第二晶格常数,且该第二晶格常数和该基底的第一晶格常数不同。
2
CN112614817A
半导体元件及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112614817A Publication Date: 2021-04-06 Application Number: 202010686574.4 Filing Date: 2020-07-16 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L23/488 Abstract: 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容结构、多个钝化层以及一垫结构,该电容结构位在该基底上,该多个钝化层位在该电容结构上,该垫结构位在该多个钝化层中。该垫结构包括一垫下导电层以及一垫上导电层,该垫下导电层包含镍,该垫上导电层位在该垫下导电层上。该垫上导电层包含钯、钴或其组合。
3
CN112582415A
半导体元件及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112582415A Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 202010662106.3 Filing Date: 2020-07-10 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底;一介电结构,设置在该基底上;一位元线下接触点,设置在该介电结构中;一复合去耦结构,设置在该介电结构与该位元线下接触点之间,其中该复合去耦结构包括一气隙以及一介电间隙子;一位元线上接触点,设置在该位元线下接触点上;以及一位元线,设置在该位元线上接触点上。
4
CN112635464A
半导体装置及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112635464A Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 202010914861.6 Filing Date: 2020-09-03 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开提出了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一基底、一第一位元线、一第二位元线、一第一虚设位元线及一第二虚设位元线。该基底包括一中央阵列区域和一边缘阵列区域,该边缘阵列区域围绕该中央阵列区域。该第一位元线设置于该中央阵列区域的上方。该第二位元线设置于该中央阵列区域的上方,且该第二位元线是高出并偏移自该第一位元线。该第一虚设位元线设置于该边缘阵列区域的上方。该第二虚设位元线设置于该第一虚设位元线的正上方。
5
CN112349718A
半导体元件及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349718A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 202010547876.3 Filing Date: 2020-06-16 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、埋藏在该基板中的多个第一位元线接触、分别相应地定位在所述多个第一位元线接触上的多个第一位元线、以及定位在该基板上方的多个第二位元线。所述多个第二位元线的底表面定位在比所述多个第一位元线的顶表面高的一垂直水平上。
6
CN112447721A
半导体装置及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112447721A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010573753.7 Filing Date: 2020-06-22 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一基底、多个电容结构、一第一半导体元件和一第二半导体元件。该基底包括一阵列区域和一外围区域,该外围区域环绕该阵列区域。该多个电容结构设置于该阵列区域的上方。该第一半导体元件设置于该外围区域的上方,且该第一半导体元件具有一第一阈值电压。该第二半导体元件于该外围区域的上方,且该第二半导体元件具有一第二阈值电压。其中,该第一半导体元件的第一阈值电压不同于该第二半导体元件的第二阈值电压。
7
CN112447673A
半导体元件及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112447673A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010645872.9 Filing Date: 2020-07-07 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L23/538 Abstract: 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底;一低层次位元线,位于该基底上;一高层次位元线底接触点,位于该基底上,并邻近该低层次位元线设置;以及多个第一气隙,邻近该低层次位元线设置。
8
CN112582397A
半导体装置及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112582397A Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 202010692723.8 Filing Date: 2020-07-17 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/06 Abstract: 本申请公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一栅极结构,其包括内凹设置的一栅极底部绝缘层、一栅极顶部绝缘层设置于该栅极底部绝缘层上、一栅极顶部导电层设置于该栅极顶部绝缘层上以及一栅极填充层设置于该栅极顶部导电层上,以及一电容结构,包括内凹设置的一电容底部绝缘层、一电容底部导电层设置于该电容底部绝缘层上、一电容顶部绝缘层设置于该电容底部导电层上、一电容顶部导电层设置于该电容顶部绝缘层上以及一电容填充层设置于该电容顶部导电层上。该栅极底部绝缘层和该电容底部绝缘层是由相同材料所形成。
9
CN112447725A
半导体装置及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112447725A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010636439.9 Filing Date: 2020-07-03 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L27/108 Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一基底、一导电特征部件设置于该基底上、一覆盖层设置于该导电特征部件的顶面及多个电容结构设置于该基底的上方。该导电特征部件包括钨。该覆盖层包括氮化钨。
10
CN112542446A
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112542446A Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202010698132.1 Filing Date: 2020-07-20 Inventor:   Assignee: 南亚科技股份有限公司   IPC: H01L23/528 Abstract: 本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法,该半导体元件结构包含一第一导电结构以及一第二导电结构,设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子以及一第二间隙子,该第一间隙子设置在该第一导电结构上,该第二间隙子设置在该第二导电结构上。该半导体元件结构还包括一第三间隙子与一第四间隙子,该第三间隙子设置在该第一间隙子的一侧壁上,该第四间隙子设置在该第二间隙子的一侧壁上。该第三间隙子的一下部贴近该第四间隙子的一下部,而该第三间隙子的该下部与该第四间隙子的该下部覆盖一气隙。