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Application Number Application Number Filing Date Filing Date
Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
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EP3746776A1
METHOD AND ELECTRON BEAM SYSTEM FOR THE ADDITIVE PRODUCTION OF A WORKPIECE
Publication/Patent Number: EP3746776A1 Publication Date: 2020-12-09 Application Number: 19703265.9 Filing Date: 2019-01-29 Inventor: LÖwer thorsten   Assignee: pro-beam GmbH & Co. KGaA   IPC: G01N23/203
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EP3592486A1
ELECTRON BEAM INSTALLATION AND METHOD FOR WORKING POWDERED MATERIAL
Publication/Patent Number: EP3592486A1 Publication Date: 2020-01-15 Application Number: 18708632.7 Filing Date: 2018-02-26 Inventor: Hansen, Björn   Huber, Gerhard   LÖwer thorsten   Assignee: pro-beam GmbH & Co. KGaA   IPC: B22F3/105
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WO2019149678A1
METHOD AND ELECTRON BEAM SYSTEM FOR THE ADDITIVE PRODUCTION OF A WORKPIECE
Publication/Patent Number: WO2019149678A1 Publication Date: 2019-08-08 Application Number: 2019052066 Filing Date: 2019-01-29 Inventor: Löwer thorsten   Assignee: Pro-Beam AG & Co. KGAA   IPC: G05B19/4099 Abstract: The invention relates to a method and an electron beam system for the additive production of a workpiece (80), as follows: provision of a powdery material in a powder bed (24) in an electron beam system (10); locally and selectively melting the material in the powder bed (24) with a moving electron beam (16); detecting backscattered electrons (42), which are backscattered by the material or the workpiece (80), using a backscattered electron detector (38, 40); evaluating the backscattered electrons (42) with an evaluation unit (36).
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DE102018102082A1
Verfahren und Elektronenstrahlanlage zur additiven Herstellung eines Werkstücks
Publication/Patent Number: DE102018102082A1 Publication Date: 2019-08-01 Application Number: 102018102082 Filing Date: 2018-01-30 Inventor: Löwer thorsten   Assignee: Pro-Beam AG & Co. KGAA   IPC: G01N23/225 Abstract: Ein Verfahren und eine Elektronenstrahlanlage zur additiven Herstellung eines Werkstücks (80) arbeiten wie folgt: Bereitstellen eines pulverförmigen Werkstoffes in einem Pulverbett (24) in einer Elektronenstrahlanlage (10); Örtlich selektives Schmelzen des Werkstoff im Pulverbett (24) mit einem bewegten Elektronenstrahl (16); Erfassen von Rückstreuelektronen (42), die von dem Werkstoff oder dem Werkstück (80) zurückgestreut werden, mit einem Rückstreuelektronendetektor (38, 40); Auswerten der Rückstreuelektronen (42) mit einer Auswerteeinheit (36)
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DE102017105193A1
Elektronenstrahlanlage sowie Verfahren zum Bearbeiten von pulverförmigem Werkstoff
Publication/Patent Number: DE102017105193A1 Publication Date: 2018-09-13 Application Number: 102017105193 Filing Date: 2017-03-10 Inventor: Huber, Gerhard   Löwer thorsten   Hansen, Björn   Assignee: Pro-Beam AG & Co. KGAA   IPC: C04B35/64 Abstract: Eine Elektronenstrahlanlage (10), die zur Bearbeitung von pulverförmigem Werkstoff verwendet wird, weist ein Pulverbehältnis (18, 19, 20), welches ein Pulverbett (22) aus dem zu bearbeitenden pulverförmigen Werkstoff aufnehmen kann, auf. Ferner weist sie einen Elektronenstrahlerzeuger (14) auf, der dazu eingerichtet ist, einen Elektronenstrahl (16) auf lateral unterschiedliche Orte des Pulverbettes (22) zu richten. Um das Verblasen des pulverförmigen Werkstoffs bei der Bearbeitung mit dem Elektronenstrahl zu reduzieren, weist die Elektronenstrahlanlage (14) eine Fritt-Einrichtung (34, 35) auf, welche durch Anlegen einer Wechselspannung zwischen mindestens zwei Elektroden (19, 30, 31) zumindest bereichsweise über das Pulverbett (22) hinweg ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt, welches den pulverförmigen Werkstoff des Pulverbetts (22) verbindet.
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EP2314410B1
Thermal material processing method with an electron beam with compensation of geometrical and magnetical errors of the positioning of the electron beam on a workpiece
Publication/Patent Number: EP2314410B1 Publication Date: 2013-04-17 Application Number: 10013486.5 Filing Date: 2010-10-09 Inventor: Löwer thorsten   Fath, Jürgen   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: B23K15/00 Abstract: The thermal material processing method comprises focusing an electron beam on the surface of a workpiece, effecting a relative movement between the working spot of the electron beam and the workpiece in which the working spot of a process contour follows, and controlling the relative movement between the working spot and the workpiece according to control parameter that diverts a control arrangement from a stored ideal processing contour. A determination of an effective processing contour is carried out before the processing method. The thermal material processing method comprises focusing an electron beam on the surface of a workpiece, effecting a relative movement between the working spot of the electron beam and the workpiece in which the working spot of a process contour follows, and controlling the relative movement between the working spot and the workpiece according to control parameter that diverts a control arrangement from a stored ideal processing contour. A determination of an effective processing contour is carried out before the processing method in which the working spot of the electron beam carries out the relative movement against the workpiece after the stored data of the ideal processing contour with processing parameter for the thermal treatment. The ideal processing contour is superimposed to corresponding relative movement at points of a scanning movement (15, 16) that is directed transverse to ideal processing contour. The intensity of the electron beam reflected from the workpiece is measured in dependent upon the deflection of the scan movement. The emitted intensities are adjusted to each other so that the representation of the workpiece arises in which the deviation of the effective processing contour is applied from the ideal processing contour on the axis of the progress of the relative movement in the direction of the processing contour and in a second axis. The processing contour is a joint between two components to be connected with the workpiece. The effective processing contour is adjusted to corresponding control parameter so that the working spot of the electron beam lies during the progress of the relative movement towards the effective processing contour. The relative movement between the working spot of the electron beam and the workpiece is carried put in the processing parameter suited for thermal treatment or is mechanically carried out through the movement of the workpiece and/or the electron beam source. The relative movement between the working spot of the electron beam and the workpiece is electrically carried out through deflection of the electron beam. The direction of the scanning movement is vertical to the tangent at the corresponding point of the ideal processing contour. Before the determination of the effective processing contour by controlled electron beam, an image of the workpiece is produced and the information is obtained over the position within a coordination system, and the deviations of the position are mechanically or electrically compensated by an actual position.
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EP1382411B1
Method of measuring the intensity profile of an electron beam, particularly of a beam of an electron beam processing device, and/or measuring of an optics for an electron beam and/or adjusting of an optics for an electron beam, measuring structure for such a method and electron beam processing device
Publication/Patent Number: EP1382411B1 Publication Date: 2011-10-05 Application Number: 03015282.1 Filing Date: 2003-07-07 Inventor: Löwer thorsten   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: B23K15/00 Abstract: Process for measuring the intensity profile of an electron beam (10) of an electron beam processing device and/or measuring a lens (15) for an electron beam and/or adjusting a lens for an electron beam comprises relatively moving the electron beam on different positions (20, 22) with respect to a measured structure, the positions having different back-scattering properties. A stream of electrons is measured from the measured structure in a backward direction of scattered electrons (24) depending on the relative movement of the electron beam and the measured structure. Independent claims are also included for the following: (1) process for compensating for deviating errors; (2) measured structure used in the process; and (3) electron beam processing device.
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EP2314410A1
Thermal material processing method with an electron beam with compensation of geometrical and magnetical errors of the positioning of the electron beam on a workpiece
Publication/Patent Number: EP2314410A1 Publication Date: 2011-04-27 Application Number: 10013486.5 Filing Date: 2010-10-09 Inventor: Löwer thorsten   Fath, Jürgen   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: B23K15/00 Abstract: Es wird ein thermisches Materialbearbeitungsverfahren beschrieben, bei dem in bekannter Weise zwischen dem Arbeitsfleck eines Elektronenstrahles und einem Werkstück eine Relativbewegung bewirkt wird. Vor der eigentlichen thermischen Behandlung wird eine effektive Bearbeitungskontur (14) ermittelt, indem der Arbeitsfleck des Elektronenstrahls (11) nach den gespeicherten Daten einer idealen Bearbeitungskontur (13) mit verminderter Energiedichte oder höherer Geschwindigkeit eine Relativbewegung gegenüber dem Werkstück ausführt und dieser Relativbewegung eine Scan-Bewegung überlagert wird, die quer zur idealen Bearbeitungskontur (13) gerichtet ist. Die Intensität des von dem Werkstück zurückgestreuten Elektronenstrahls wird in Abhängigkeit von der Auslenkung der Scan-Bewegung gemessen und hieraus eine bildhafte Darstellung der "abgewicklelten" effektiven Bearbeitungskontur (14) gewonnen. Auf diese Weise können, sowohl geometrische als auch magnetisch bedingte Abweichungen der Auftreffstellen des Elektronenstrahls auf das Werkstück kompensiert werden.
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EP2041770B1
METHOD AND DEVICE FOR MACHINING WORKPIECES
Publication/Patent Number: EP2041770B1 Publication Date: 2011-10-12 Application Number: 07725671.7 Filing Date: 2007-05-30 Inventor: Friedberger, Alois   LÖwer thorsten   Fricke, Sören   Schmid, Ulrich   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: H01J37/256
10
EP2041770A1
METHOD AND DEVICE FOR MACHINING WORKPIECES
Publication/Patent Number: EP2041770A1 Publication Date: 2009-04-01 Application Number: 07725671.7 Filing Date: 2007-05-30 Inventor: Friedberger, Alois   LÖwer thorsten   Fricke, Sören   Schmid, Ulrich   Assignee: EADS Deutschland GmbH   pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: H01J37/256
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EP1382411A3
Method of measuring the intensity profile of an electron beam, particularly of a beam of an electron beam processing device, and/or measuring of an optics for an electron beam and/or adjusting of an optics for an electron beam, measuring structure for such a method and electron beam processing device
Publication/Patent Number: EP1382411A3 Publication Date: 2004-02-11 Application Number: 03015282.1 Filing Date: 2003-07-07 Inventor: Löwer thorsten   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: B23K15/00 Abstract: Zur Messung des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls wird der Elektronenstrahl (10) auf eine Meßstruktur (16) geleitet, die Stellen (20, 22) mit unterschiedlichen Rückstreueigenschaften aufweist, und Rückstreuelektronen (24), die bei einer Abrasterung der Meßstruktur (16) durch den Elektronenstrahl (10) mittels einer Ablenkeinheit (14) entstehen, werden von einem Sensorring (26) gemessen. Die Meßstruktur (16) ist vorzugsweise in ein Elektronenstrahlschweißgerät ein- und ausbaubar und besteht aus einer Graphitplatte (18), von der eine Wolframnadel (22) senkrecht wegsteht.
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EP1382411A2
Method of measuring the intensity profile of an electron beam, particularly of a beam of an electron beam processing device, and/or measuring of an optics for an electron beam and/or adjusting of an optics for an electron beam, measuring structure for such a method and electron beam processing device
Publication/Patent Number: EP1382411A2 Publication Date: 2004-01-21 Application Number: 03015282.1 Filing Date: 2003-07-07 Inventor: Löwer thorsten   Assignee: pro-beam AG & Co. KGaA   IPC: B23K15/00 Abstract: Zur Messung des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls wird der Elektronenstrahl (10) auf eine Meßstruktur (16) geleitet, die Stellen (20, 22) mit unterschiedlichen Rückstreueigenschaften aufweist, und Rückstreuelektronen (24), die bei einer Abrasterung der Meßstruktur (16) durch den Elektronenstrahl (10) mittels einer Ablenkeinheit (14) entstehen, werden von einem Sensorring (26) gemessen. Die Meßstruktur (16) ist vorzugsweise in ein Elektronenstrahlschweißgerät ein- und ausbaubar und besteht aus einer Graphitplatte (18), von der eine Wolframnadel (22) senkrecht wegsteht.