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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
CN212322638U
一种自动插拔测试治具
Grant
Publication/Patent Number: CN212322638U Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202021123062.9 Filing Date: 2020-06-17 Inventor: 谢志高   Assignee: 东莞市俊熙智能科技有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本实用新型涉及检测技术领域,尤其是涉及一种自动插拔测试治具,包括工作台,工作台顶面设有支架,支架的上端安装有横板,横板的底面安装有驱动机构,驱动机构下端安装有连接板,驱动机构驱动连接板上下移动,连接板的底面设有多个夹持块,连接块的左右两端设有滑动机构,工作台的顶面还安装有检测块,检测块设置在连接块的下方,检测块顶面成型有插接槽,本实用新型的结构简单合理,能够实现自动化内存条插拔检测,大提高了检测可靠性。
2
CN112309492A
内存芯片超频测试模块及其方法
Public
Publication/Patent Number: CN112309492A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910710991.5 Filing Date: 2019-08-02 Inventor: 洪康宁   Assignee: 全何科技股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明为一种内存芯片超频测试模块及其方法,应用在两阶段的内存芯片测试制程中,筛检不同速度的内存芯片,包含测试盘区、定位暂存盘、至少一预测试机台、多个测试机台以及机械手臂,机械手臂电性连接测试盘区、定位暂存盘、预测试机台以及测试机台,预测试机台设置在定位暂存盘及测试机台的中间,对内存做第一阶段的测试及筛选,经过第一阶段预测试机台筛选通过的内存,将在测试机台进行完整的内存芯片测试。提高效率、准确度及减少误判。
3
CN107452427B
一种存储设备数据完整性的测试方法及系统
Grant Assignment
Publication/Patent Number: CN107452427B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201710657120.2 Filing Date: 2017-08-03 Inventor: 邢鹏飞   Assignee: 苏州浪潮智能科技有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明涉及存储设备测试技术领域,提供一种存储设备数据完整性的测试方法及系统,方法包括:控制在测试主机端和存储设备之间建立交互通讯通道;在测试主机端执行测试数据源写指令,并控制在所述存储设备上预先写入测试数据源;当判断测试数据源写动作完成时,对所述存储设备执行系统破坏,并执行系统恢复动作;当系统恢复完成时,在所述测试主机端执行测试数据源验证指令,并控制在所述存储设备上读取数据预先写入的测试数据源;当判断读取的测试数据源与预先写入的测试数据源是否匹配,若匹配则确定测试通过,从而实现对存储设备存储数据完整性的验证测试,测试流程简单,测试效率和准确率较高,给测试用户提供便利,也便于批量测试。
4
CN112216339A
DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112216339A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 202011136998.X Filing Date: 2020-10-22 Inventor: 孙成思   孙日欣   刘冲   雷泰   Assignee: 深圳佰维存储科技股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,对待测试的DRAM先以预设突发长度为单位进行基于第一预设读写单元的突发读写访问操作,再进行基于第二预设读写单元的突发读写访问操作,第一预设读写单元与第二预设读写单元不同,由于预设读写单元的读写访问是从预设读写单元的两端同时向中间进行读写,并且通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据,因此,更贴近用户使用的环境,且相较于现有的突发访问测试,通过使用掩码从而实现在一个突发长度内实现按位访问,更能够激发cell与cell之间的故障,提高了测试DRAM时的故障覆盖率。
5
CN112309489A
环境控制设备
Public
Publication/Patent Number: CN112309489A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910683821.2 Filing Date: 2019-07-26 Inventor: 蔡振龙   基因·罗森塔尔   Assignee: 第一检测有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开一种环境控制设备,包含:设备本体、处理装置、多个温度调节装置。设备本体包含多个容置室。各容置室中设置有温度调节装置。各温度调节装置具有加热器及致冷器。当承载有多个芯片的芯片测试装置设置于容置室中,芯片测试装置被供电,且温度调节装置的加热器或致冷器被控制作动时,芯片测试装置将对其所承载的多个芯片进行测试。
6
CN112259153A
MRAM阵列的测试电路
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112259153A Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201910663110.9 Filing Date: 2019-07-22 Inventor: 熊保玉   刘少鹏   何世坤   Assignee: 中电海康集团有限公司   浙江驰拓科技有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种MRAM阵列的测试电路,包括:字线译码器、行选择器以及测试阵列,所述测试阵列的其中一列为测试列,所述测试阵列的全部行以每两行为一组合行,所述测试列上的位于每个组合行的第一行上的存储单元为测试单元,所述测试单元的MTJ底电极连接至所在组合行的第二行的字线,该字线作为测试信号线输出测试信号,其中,所述字线译码器,用于根据输入的地址信号,选中所述测试阵列的其中一组合行的第一行的字线,该字线在选中后被拉高;所述行选择器,用于根据所述字线译码器的选择结果,将选中的组合行的第二行的字线选择连接至测试信号端。本发明能够对MRAM阵列中的其中一列上的多个存储单元进行参数测试。
7
CN107705818B
一种访问时间测量电路和访问时间测量方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107705818B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201610642238.3 Filing Date: 2016-08-08 Inventor: 仇超文   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种访问时间测量电路和访问时间测量方法。所述访问时间测量电路包括:多个测量支路,每一所述测量支路均包括依次串联连接的静态随机存取存储器、辅助延迟链模块和延迟触发模块;以及一参考支路,所述参考支路的输出端分别连接至每一所述延迟触发模块的第一输入端。本发明的访问时间测量电路和访问时间测量方法可以同时测量多个SRAM的访问时间,大大缩短了测试时间,并且提高了测量的精度。
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CN112242177A
存储器测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112242177A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201910640379.5 Filing Date: 2019-07-16 Inventor: 周奕   Assignee: 北京地平线机器人技术研发有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备,其中,该方法包括:获取功能数据;基于功能数据的类型,确定待测试数据与参考数据;确定待测试数据与参考数据的比较结果;基于比较结果,确定对存储器的测试结果。本公开实施例有效地利用了功能数据,实时地对存储器进行测试,提高了测试存储器的效率,由于功能数据的类型多样,从而可以更全面地对存储器进行测试。
9
CN112382334A
用于行动内存的测试装置以及测试方法
Public
Publication/Patent Number: CN112382334A Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202011230058.7 Filing Date: 2020-11-06 Inventor: 张磊   陈世兴   颜振亮   罗文良   姜文贵   Assignee: 润昇系统测试(深圳)有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种用于行动内存的内存测试装置以及内存测试方法。内存测试装置包括主机以及多个测试板。主机提供多个测试流程。所述多个待测内存芯片以一对一方式或多对一方式被对应设置在所述多个测试板上。各所述多个测试板包括至少一应用处理器。应用处理器分別一对一方式与对应待测内存芯片直接连接。被启动后的各所述多个测试板的应用处理器接收储存在对应测试板的所述多个测试流程的至少其中之一,并基于所述多个测试流程的至少其中之一对对应待测内存芯片进行测试。
10
CN109994147B
一种固态硬盘的测试装置及方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109994147B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910291329.0 Filing Date: 2019-04-11 Inventor: 王绍奎   Assignee: 环旭电子股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开了一种固态硬盘的测试装置及方法,涉及固态硬盘测试领域,该测试装置包括:主板,所述主板上具有至少两个PCIE x4通道,每个PCIE x4通道中前两个通道和后两个通道分别作为两个通道组;固态硬盘通过选择芯片与主板上的三个通道组连接。本发明采用常规的主板和通用的选择芯片组成的测试装置只需导通选择芯片不同的连接关系即可实现固态硬盘不同模式时PCIE通道的需求,切换时无需重新更新配置文件,切换时间较短,提高了测试效率;且无需特别零件的定制,成本低廉,易于推广。
11
CN112185455A
SRAM通用测速电路
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185455A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011108516.X Filing Date: 2020-10-16 Inventor: 李鑫   曾永红   晋超超   徐艺轩   Assignee: 天津津航计算技术研究所   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明属于SRAM存储硬件系统技术领域,具体涉及一种SRAM通用测速电路。所述SRAM通用测速电路包括:SRAM读操作测速模块、SRAM写操作测速模块、SRAM读写速度综合模块和总线接口模块;为了解决硬件系统在适配不同型号的SRAM时无法自动识别SRAM的最大读写速度而导致的无法发挥SRAM最佳性能的问题。该电路通过对SRAM读写速度采用特定算法进行多次试探性采样确定SRAM的读写速度。该电路可以通过硬件实现模块化并嵌入到硬件电路系统中,使系统具备自动识别SRAM读写速度的功能,在系统更换SRAM后不用更改系统代码和状态,提高了系统的兼容性、易用性和可维护性,具有十分重要的应用意义。
12
CN110459260B
自动测试切换装置、方法和系统
Grant
Publication/Patent Number: CN110459260B Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 201910604913.7 Filing Date: 2019-07-05 Inventor: 李创锋   邹念锋   Assignee: 深圳市金泰克半导体有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本申请涉及硬件测试领域,提出一种自动测试切换装置、方法和系统,自动测试方法以测试终端内自启动测试模块对存储装置进行测试,所述测试终端内包括多个所述自启动测试模块,包括步骤:配置切换装置,在连接于所述测试终端的状态下能自动生成输入至所述测试终端的切换指令;将所述切换装置连接于所述测试终端以向所述测试终端输入切换指令;根据输入的所述切换指令执行自启动测试模块的切换。可根据获取的自动切换装置生成的切换指令,测试终端可以实施自动切换,不需要操作人员再以外接输入装置进行手动控制。
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CN110047557B
一种企业级固态硬盘功能测试装置及方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110047557B Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 201910315289.9 Filing Date: 2019-04-18 Inventor: 茅逸熙   刘光明   曹海涛   周红吉   周静   宋国军   李顺亮   陈莉   李雨婷   Assignee: 环旭电子股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开了一种企业级固态硬盘功能测试装置及方法,涉及企业级固态硬盘测试领域,该测试装置包括:测试主机、电源调控板、基板、控制板和外板;外板上设有与企业级固态硬盘的规格相匹配的适配卡和测试支架,适配卡与基板上的插槽连接,基板上的插槽的数量为多个,企业级固态硬盘插入测试支架插槽下的适配卡进行功能测试;电源调控板的数量与基板上的插槽的数量相匹配、且对应连接,测试时分别调控每个企业级固态硬盘的电压;控制板插接在基板上,并通过网线与测试主机通信连接。本发明的测试装置灵活多变、适用于不同规格的企业级固态硬盘,应用范围广泛,整个测试装置可同时测试多个企业级固态硬盘,具有良好的测试效率。
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CN109147862B
NVM测试加速方法及系统
Grant
Publication/Patent Number: CN109147862B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201811003043.X Filing Date: 2018-08-30 Inventor: 吕品   关媛   张海峰   唐晓柯   袁远东   邵明驰   Assignee: 北京智芯微电子科技有限公司   国网信息通信产业集团有限公司   国家电网有限公司   国网江苏省电力有限公司南京供电分公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统,该NVM测试加速方法包括如下步骤:通过测试命令打入第一NVM操作指令,其中,第一NVM操作指令包括数据和地址信息;对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息;基于第一NVM操作指令,产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号,其中,基于第一NVM操作指令,第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器;基于第一控制信号,并根据数据和地址,进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据;以及基于第一NVM操作指令,对输出数据进行比较处理,并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间,从而降低测试成本,并显著提升测试效率。
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CN109215726B
存储器测试方法及其存储器装置
Grant
Publication/Patent Number: CN109215726B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201710811894.6 Filing Date: 2017-09-11 Inventor: 陈毓明   Assignee: 华邦电子股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种对存储器装置进行测试的存储器测试方法及其存储器装置,包括:从所述存储器的存储器阵列读取测试数据;以及将所述测试数据编码成包括第一数据及第二数据的编码数据。所述第一数据及所述第二数据分别表示所述读取测试数据中的二进位状态的数目及错误比特。
16
CN109509507B
SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109509507B Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 201811301868.X Filing Date: 2018-11-02 Inventor: 陈静   王硕   王本艳   柴展   葛浩   Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所   中国科学院大学   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法,包括:发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置;设置于步进机台上的被测模块,与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对;与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块,用于为被测模块提供电源,并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块,将数据写入SRAM存储单元,待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后,将SRAM存储单元配置为保持状态;开启脉冲激光辐射装置,对被测模块进行逐点辐照;当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时,检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低,基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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CN112309490A
内存测试方法
Public
Publication/Patent Number: CN112309490A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201910683860.2 Filing Date: 2019-07-26 Inventor: 蔡振龙   基因·罗森塔尔   Assignee: 第一检测有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开一种内存测试方法,是在对内存进行预烧测试、高温测试、低温测试及常温测试的过程中,将相对应的测试结果数据及测试参数写入该内存中。本发明还公开一种内存测试方法,是在对内存进行预烧测试、高温测试、低温测试及常温测试后,将相对应的测试结果数据及测试参数写入该内存中。通过本发明的内存测试方法完成测试的内存,内存内部将储存有测试结果数据及测试参数,而相关人员将可通过读取多个数据轻易地追踪该内存的测试历程。
18
CN112259152A
MRAM阵列的测试电路
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112259152A Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201910662241.5 Filing Date: 2019-07-22 Inventor: 熊保玉   刘少鹏   何世坤   Assignee: 中电海康集团有限公司   浙江驰拓科技有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明提供一种MRAM阵列的测试电路,包括:列译码器、列选择器、字线译码器、行选择器以及测试阵列,测试阵列的一条对角线上的存储单元为测试单元,所述测试单元的MTJ底电极连接至晶体管漏极,且所述测试单元的MTJ底电极连接至所述测试单元所在行的的测试信号线,除所述测试单元以外的全部存储单元的MTJ底电极与晶体管漏极处于断开状态,且MTJ底电极和晶体管漏极浮空;通过列译码器和列选择器,将位线信号端和源线信号端选择连接至测试单元所在列的位线和源线;通过字线译码器和行选择器,将测试单元所在行的测试信号线选择连接至测试信号端。本发明能够对MRAM阵列中的一条对角线上的多个存储单元进行参数测试。
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CN112365917A
非易失存储器指令组合验证方法、装置、存储介质和终端
Public
Publication/Patent Number: CN112365917A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011407586.5 Filing Date: 2020-12-04 Inventor: 朱雨萌   唐维强   张新展   陈胜源   张宇   Assignee: 深圳市芯天下技术有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器指令组合验证方法、装置、存储介质和终端,使用向量映射指令集的方式,确定好指令组合维度后,复制向量为组合维度个数,再对这些向量中的元素进行遍历组合,生成对应的新组合向量,再将新组合向量中的元素一一映射到对应的指令,生成指令组合集,依次将这些遍历指令组合集发送到测试平台进行测试验证;这样既能确保组合指令测试激励的高效产生,同时不产生重复,冗余的测试,亦省去随机指令中收集覆盖率以及判断指令组合覆盖率是否满足的过程,提高测试效率;通过设置不同组合维度可以确定不同指令组合情况,具有一定可控性,验证人员可以根据实际情况选择适合组合维度,以在测试时间和测试穷尽度上取得平衡。
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CN112397136A
一种半导体存储器测试软件的参数测试方法和装置
Publication/Patent Number: CN112397136A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202110082956.0 Filing Date: 2021-01-21 Inventor: 彭梓莹   邓标华   Assignee: 武汉精鸿电子技术有限公司   武汉精测电子集团股份有限公司   IPC: G11C29/56 Abstract: 本申请涉及一种半导体存储器测试软件的参数测试方法和装置,涉及半导体存储器测试技术领域,该方法包括以下步骤:根据半导体存储器的参数信息设定多种测试参数组合;根据半导体存储器的参数信息,设定多组预设错误数量组合;分别根据各预设错误数量组合配置半导体存储器,利用各测试参数组合测试配置后的各半导体存储器,并将各自对应的测试结果与对应的预设错误数量组合比对,验证各测试参数组合是否合理。本申请对测试参数进行合理设定并组合,对半导体存储器的坏块情况进行模拟,利用高效的验证方式对不同的测试参数组合进行验证,以求获得准确度较高的测试参数作为测试依据,从而充分保障了测试的可靠性。
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