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1
CN110085515B
晶片接合方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110085515B Publication Date: 2021-04-13 Application Number: 201910358104.2 Filing Date: 2019-04-30 Inventor: 周娴   晁阳   黄晓橹   Assignee: 德淮半导体有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法,其包括:提供第一晶片和第二晶片,所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层,所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层,所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料;对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理,以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须;以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层,以接合所述第一晶片和第二晶片。
2
CN112670170A
一种提高硅片键合力的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112670170A Publication Date: 2021-04-16 Application Number: 202011615431.0 Filing Date: 2020-12-30 Inventor: 刘佳晶   丁正建   王宣欢   于乐   张凯   方小磊   Assignee: 长春长光圆辰微电子技术有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供一种提高硅片键合力的方法,其特征在于,通过等离子化学气相沉积,在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜;将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题,并且改善了硅片本身的使用局限性,拓展了可用的硅片范围,提高了键合硅片的键合强度,保证了产品的成品率和质量。
3
CN109686657B
晶圆间键合结构的形成方法、晶圆的键合方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109686657B Publication Date: 2021-04-13 Application Number: 201811440530.2 Filing Date: 2018-11-29 Inventor: 高林   蒋阳波   王光毅   Assignee: 长江存储科技有限责任公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 一种晶圆间键合结构的形成方法以及晶圆的键合方法,其中晶圆间键合结构的形成方法,包括:提供基底;在所述基底上形成停止层,所述停止层中形成有通孔,所述停止层与金属层材料层的研磨比大于氮化硅与金属层材料层的研磨比;在所述停止层上形成金属材料层,所述金属材料层填充满所述通孔;平坦化所述金属材料层直至停止层,在通孔中形成键合金属层,所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。本发明的方法防止了键合金属层表面凹陷缺陷的产生,提高了键合的强度。
4
CN111383915B
异质键合结构的制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN111383915B Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 201811619162.8 Filing Date: 2018-12-28 Inventor: 欧欣   黄凯   李文琴   赵晓蒙   鄢有泉   李忠旭   王曦   Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法,包括步骤:提供第一衬底及第二衬底,第一衬底具有第一键合面,第二衬底具有第二键合面,将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理;在退火处理温度下进行退火处理;进行冷却处理,以降温至第一温度,第一温度低于键合温度;调整上步得到结构的温度至室温,以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法,在进行退火处理加固之后,对加固后的结构进行冷却处理,冷却至键合温度以下,从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力,降低了异质键合结构内部的残余热应力,从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。
5
CN112420551A
基板接合装置和使用其制造半导体器件的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112420551A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010805107.9 Filing Date: 2020-08-12 Inventor: 金会哲   金兑泳   李学骏   罗勋奏   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明构思提供了基板接合装置和通过使用该基板接合装置制造半导体器件的方法。该基板接合装置包括配置为支撑第一基板的第一接合卡盘、以及配置为支撑第二基板使得第二基板面对第一基板的第二接合卡盘。第一接合卡盘包括:第一基座;第一可变形板,在第一基座上,配置为支撑第一基板,并且配置为变形使得第一基座与第一可变形板之间的距离变化;以及第一压电片,在第一可变形板上,并且配置为响应于施加到其的电力而变形以使第一可变形板变形。
6
CN109904063B
MEMS器件及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109904063B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201910014728.2 Filing Date: 2019-01-08 Inventor: 王健鹏   Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明公开了一种MEMS器件,包括:MEMS器件的主体部分形成于第一硅晶圆上,CMOS集成电路形成于第二硅晶圆上。第一和第二硅晶圆之间通过共晶健合结构实现共晶健合;共晶健合结构的第一键合层包括形成于第一硅晶圆上的锗层,第二键合层为形成于第二硅晶圆表面的顶层金属层;在第一硅晶圆上还形成有由第一介质层进行光刻刻蚀同时形成的限制结构和键合衬底层,第一介质层的刻蚀的面内均匀性大于硅刻蚀的面内均匀性,第一键合层形成在键合衬底层的表面并延伸到外部的硅并形成和硅的接触。本发明还公开了一种MEMS器件的制造方法。本发明能提高器件的面内均匀性,从而提高器件的性能。
7
EP3796365A2
METHOD AND DEVICE FOR BONDING SUBSTRATES
Publication/Patent Number: EP3796365A2 Publication Date: 2021-03-24 Application Number: 20202038.4 Filing Date: 2013-09-25 Inventor: Wimplinger, Markus   Dragoi, Viorel   Flötgen, Christoph   Assignee: EV Group E. Thallner GmbH   IPC: H01L21/18 Abstract: Die Erfindung ein Verfahren zum Erzeugen eines elektrisch leitfähigen Direktbonds zwischen einer Bondseite eines ersten Substrats (1) und einer Bondseite eines zweiten Substrats (14) in einem zur Umgebung gasdicht schließbaren und mit Vakuum beaufschlagbaren Arbeitsraum (22), - in dem mindestens eine der Bondseiten in einer Plasmakammer (4) modifiziert wird, wobei das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (14) in die Plasmakammer (4) geladen werden, wobei Bestandteile eines in einer externen Quelle erzeugten Plasmas, insbesondere Ionen, in die Plasmakammer (4) transportiert werden, wobei in der Plasmakammer (4) die Stöchiometrie einer Oxidschicht (2) auf mindestens einer der Bondseiten geändert wird, indem Atome an der Oberfläche eines Substrats durch Stoßprozesse ionisierter und durch elektrische und/oder magnetische Felder beschleunigter Atome eines ionisierten Sputtergases abgetragen werden, -und anschließend in einer Bondkammer (5) das Bonden der Bondseite des ersten Substrats (1) mit der Bondseite des zweiten Substrats (14) erfolgt.
8
CN112201574A
多层晶圆键合方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201574A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011056815.3 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 陈俊宇   叶国梁   曾甜   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆,第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层、嵌设于第一介质层中的第一金属层以及第一键合垫;在第一介质层远离第一衬底的一侧表面形成第一保护层,以覆盖第一键合垫;将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合,且第一保护层位于第一介质层与第一载片晶圆之间;在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第二键合垫;通过第二键合垫将第一待键合晶圆与一底晶圆键合;去除第一载片晶圆及第一保护层,使第一键合垫暴露;以及通过第一键合垫将第一待键合晶圆与一第二待键合晶圆键合。该方法能够防止键合垫被键合胶污染,同时在去除键合胶的过程中,能够防止键合垫被损坏。
9
CN112397376A
晶圆键合方法及晶圆键合系统
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112397376A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202011272848.1 Filing Date: 2020-11-13 Inventor: 张银   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供一种晶圆键合方法和晶圆键合系统,由于在键合之前使第一晶圆按照预定形变量发生形变,并根据预定形变量、第一晶圆具有的第一形变量以及第二晶圆具有的第二形变量计算以获得第二晶圆对应的理论形变量。从而可根据该理论形变量调整施加在每一第二晶圆上的作用力的大小,如此以降低键合后晶圆的形变量,解决晶圆键合良率较低的问题。
10
CN106935489B
包含电和光学互连的半导体晶片接合
Grant
Publication/Patent Number: CN106935489B Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 201710265039.X Filing Date: 2012-05-04 Inventor: H.s.埃尔-霍罗里   庄奇理   K.亚达瓦利   范谦   Assignee: 奥斯坦多科技公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法是通过如下实现的:将一个晶片上的光学互连与第二晶片上的光学互连融合,将一个晶片上的电互连与第二晶片上的电互连融合,并且将一个晶片上的介电中间接合层与第二晶片上的介电中间接合层融合,以接合晶片连同晶片之间的电互连和光学互连。所述方法也适用于接合半导体晶片以在晶片之间提供高密度的电互连。
11
CN109686658B
半导体器件与其制作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109686658B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201811526241.4 Filing Date: 2018-12-13 Inventor: 李彬   李志华   唐波   张鹏   王桂磊   杨妍   刘若男   Assignee: 中国科学院微电子研究所   IPC: H01L21/18 Abstract: 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括:在第一衬底的表面上依次设置第一介质层、波导层和第二介质层形成第一待键合结构;形成包括第二衬底和设置在第二衬底表面上的第二预探测层的预探测结构,第二预探测层包括沿远离第二衬底方向依次叠置的第一子结构层和第二子结构层或者第二预探测层包括第二子结构层,第二子结构层的生长温度大于第一子结构层的生长温度;在第二子结构层的表面上设置第三介质层,形成第二待键合结构,第二介质层和第三介质层的材料相同;将第一待键合结构和第二待键合结构键合,形成键合结构;至少去除第二衬底,预探测结构中只剩余第二子结构层。该制作方法制备得到的探测器中的暗电流较小。
12
CN112582296A
晶圆键合装置及方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112582296A Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 201910935165.0 Filing Date: 2019-09-29 Inventor: 郭耸   朱鸷   赵滨   Assignee: 上海微电子装备(集团)股份有限公司   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合装置及方法,承载模块用于承载晶圆,所述承载模块周向设置有若干晶圆定位单元和若干晶圆分隔单元,分别用于夹持晶圆和分隔重合的两个晶圆,驱动模块同步驱动所述晶圆定位单元和所述晶圆分隔单元按照一设定时序沿所述承载模块的径向往复移动,通过设置所述晶圆定位单元和所述晶圆分隔单元的时序,可以在所述晶圆键合装置中实现晶圆的定位、夹持和键合,不需要额外的夹具和对准机,从而提高了键合的效率,降低了制备成本,并且整机质量小,占用空间也较小,内部结构紧凑且可靠性很高。
13
CN112185807A
一种多晶圆堆叠结构的形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185807A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011065998.5 Filing Date: 2020-09-30 Inventor: 叶国梁   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供的多晶圆堆叠结构的形成方法,通过将前次键合后的修边工艺推移至后次键合前的键合孔中填充金属层之后,使得前次键合引起的边缘间隙区域,以及前次键合后直至后次键合前的键合孔中填充金属层之间形成的可能出现不良区域不在同一平面上,并且边缘间隙区域和可能出现不良区域的投影部分重叠,可以减少推移后的修边工艺的修边宽度,从而提高了多晶圆堆叠结构的有效面积,还去除了可能出现不良区域,避免了不良的产生(键合垫的形成过程中铜环的形成)。
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CN112201573A
多层晶圆键合方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201573A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011052418.9 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 刘天建   叶国梁   曾甜   占迪   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本申请提供一种多层晶圆键合方法。该方法包括提供第一待键合晶圆和第一载片晶圆;第一待键合晶圆包括第一衬底、位于第一衬底的一侧表面的第一介质层和嵌设于第一介质层中的第一金属层;第一载片晶圆包括第一载片衬底及位于第一载片衬底的一侧表面的第一载片介质层;将第一待键合晶圆与第一载片晶圆键合,且第一介质层与第一载片介质层接触;在第一衬底远离第一介质层的一侧表面形成第二介质层与第一键合垫,且第一键合垫与第一金属层电连接;将第一待键合晶圆的第二介质层与一底晶圆键合;去除第一载片晶圆并将第一介质层与第二待键合晶圆键合。该方法能够提高晶圆与载片晶圆之间的对准精度,且二者键合的稳定性受温度影响较小。
15
CN109192682B
晶圆键合方法及装置
Grant
Publication/Patent Number: CN109192682B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201811038014.7 Filing Date: 2018-09-06 Inventor: 刘洋   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/67 Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合方法及装置。该方法包括:利用第一晶圆卡盘固定第一晶圆,利用第二晶圆卡盘固定第二晶圆,利用第一施压组件对第一晶圆以朝向第二晶圆的方向施加压力,以及利用第二施压组件对第二晶圆以朝向第一晶圆的方向施加压力,以使第一晶圆的第一贴合部和第二晶圆的第二贴合部相互靠近移动并贴合,使第一晶圆脱离第一晶圆卡盘,使第二晶圆脱离第二晶圆卡盘,第一晶圆和第二晶圆完全贴合并完全键合。本发明中的晶圆键合方法的晶圆键合对准精度较高。
16
CN112397377A
第一芯片与晶圆键合方法、芯片堆叠结构
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112397377A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202011281397.8 Filing Date: 2020-11-16 Inventor: 占迪   刘天建   曾甜   郭万里   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提供了一种第一芯片与晶圆键合方法、芯片堆叠结构,包括:提供第一层第一芯片,第一芯片包括第一金属层;提供晶圆,所述晶圆包括第二金属层;将第一芯片与晶圆键合;形成绝缘层和开孔,所述绝缘层覆盖第一芯片周侧的晶圆或填充若干第一芯片在晶圆上的间隙;在第一芯片外围的绝缘层内形成开孔,互连结构位于开孔中,第一金属层、第二金属层和互连结构三者电连接,实现第一芯片与晶圆的电性连接。无需在第一芯片内部制作TSV,降低了第一芯片内部连线的设计难度,节省了第一芯片面积。无TSV结构,避免了衬底和TSV间的电性(如绝缘性、寄生电容等)问题,且不需考虑第一芯片厚度差异对通孔刻蚀的影响,降低了工艺难度。
17
CN112542378A
半导体器件的制作方法及半导体器件
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112542378A Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202011388107.X Filing Date: 2020-12-01 Inventor: 曾甜   占迪   叶国梁   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括:提供置顶晶圆,包括顶芯衬底;提供第一晶圆,包括第一衬底;将置顶晶圆与第一晶圆正面对正面相键合,并使置顶晶圆的正面朝上,第一晶圆的正面朝下;在第一衬底背面形成包括有第一互连层键合垫的第一互连层;提供第二晶圆;将第二晶圆的正面与第一互连层相键合,使第二晶圆结合至第一晶圆上,形成键合结构,第二晶圆的正面朝下;翻转键合结构,以将顶芯衬底背面置顶,并使所述第一晶圆的正面朝上,所述第二晶圆的正面朝上,并在顶芯衬底中形成焊盘引出点。本发明能够使置顶晶圆底部所有晶圆的正面都朝上,统一晶圆的电路设计和工艺流程,降低工艺复杂度,且提高结构灵活性。
18
CN112382558A
基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112382558A Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202011142806.6 Filing Date: 2020-10-22 Inventor: 钟振扬   陈培宗   张宁宁   张立建   樊永良   蒋最敏   Assignee: 复旦大学   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域,具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法,是在含有量子阱的半导体表面,制备金属微纳米结构,形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结,该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场,可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制,从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构;所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列;本发明方法简单易行,在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构,甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系,为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。
19
CN112349804A
柔性太阳能电池的制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349804A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201910726164.5 Filing Date: 2019-08-07 Inventor: 黄欣萍   陆书龙   龙军华   李雪飞   邢志伟   Assignee: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳能电池的制作方法,该方法包括如下步骤:在柔性塑料衬底上形成第一子电极层;在刚性衬底上形成外延层,在外延层的背向刚性衬底的一面上形成第二子电极层;将第一子电极层的背向柔性塑料衬底1的一面与第二子电极层的背向外延层的一面之间进行键合,以形成第一电极;去除刚性衬底。本发明解决了现有的柔性塑料衬底材料的耐热性较低,在生长Ⅲ‑Ⅴ太阳电池的外延层结构的时候容易挥发,生长困难,导致无法正常制作太阳电池的问题。
20
CN108807153B
基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法
Grant
Publication/Patent Number: CN108807153B Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 201810306975.5 Filing Date: 2018-04-08 Inventor: 吴立枢   孔月婵   郭怀新   戴家赟   Assignee: 中国电子科技集团公司第五十五研究所   IPC: H01L21/18 Abstract: 本发明提出的是一种基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法,其结构自下而上为金刚石、硅纳米层、氮化镓外延层,氮化镓外延层的表面设有漏极、栅极和源极;其制备方法包括:1)清洗;2)涂敷粘合材料;3)临时键合;4)去除碳化硅衬底;5)溅射硅纳米层;6)进行活化并室温键合;7)去除粘合材料;8)制备晶体管。优点:利用表面活化室温键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起,相比传统的高温键合工艺来说,降低了高温带来的应力问题,同时也不会因为高温对氮化镓外延层造成破坏。
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