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1
CN112289688A
一种重新布线层的制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112289688A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 201910662137.6 Filing Date: 2019-07-22 Inventor: 尹佳山   周祖源   吴政达   林正忠   Assignee: 中芯长电半导体(江阴)有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法,所述制备方法至少包括以下步骤:1)提供一衬底;2)于所述衬底上表面形成扩散阻挡层;3)采用化学镀法于所述扩散阻挡层上表面形成金属种子层;4)通过涂胶、曝光、显影工艺,于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层;5)于所述光刻胶层未覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属线层;6)去除所述光刻胶层;7)去除所述金属线层未覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层。采用化学镀法代替传统的溅射法,可以获得侧边与平面的厚度一致的金属种子层,有利于提高后续电镀金属线层的厚度均匀性及结合力。
2
CN110867384B
一种半导体结构制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110867384B Publication Date: 2021-04-27 Application Number: 201810980356.4 Filing Date: 2018-08-27 Inventor: 张玉贵   方建智   彭康钧   李建财   Assignee: 合肥晶合集成电路股份有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明提供一种半导体结构制造方法,涉及半导体技术领域。该方法提供一种半导体堆叠结构,所述半导体堆叠结构包括基底以及依次堆叠在所述基底上的过渡层、金属层和捕获层,在所述半导体堆叠结构在进行热处理并形成半导体结构时,过渡层能够在形成半导体结构的过程中提供硅补偿,避免出现金属层与基底反应速度过快以及形成的半导体结构空洞、表面不平整以及粗糙度较大等问题,降低了半导体结构的表面电阻,提高了制程工艺的稳定性以及良品率。
3
CN110010487B
一种立式焊接的射频芯片系统级封装工艺
Grant
Publication/Patent Number: CN110010487B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201811176985.8 Filing Date: 2018-10-10 Inventor: 冯光建   郑赞赞   马飞   程明芳   郭丽丽   刘长春   丁祥祥   郁发新   Assignee: 浙江集迈科微电子有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种立式焊接的射频芯片系统级封装工艺,包括如下步骤:101)支撑板初步处理步骤、102)支撑板二次处理步骤、103)封装步骤;本发明提供增加了产品单位面积的芯片集成度的一种立式焊接的射频芯片系统级封装工艺。
4
CN110010488B
一种密闭型系统级封装光电模块工艺
Grant
Publication/Patent Number: CN110010488B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201811177021.5 Filing Date: 2018-10-10 Inventor: 冯光建   丁祥祥   刘长春   马飞   程明芳   郭丽丽   郑赞赞   郁发新   Assignee: 浙江集迈科微电子有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种密闭型系统级封装光电模块工艺,包括如下步骤:101)载板与玻璃板键合步骤、102)密封盖板步骤、103)封装步骤;本发明提供实现光电芯片的完全密闭,大大降低了制造成本的一种密闭型系统级封装光电模块工艺。
5
CN112216616A
一种QFN芯片散热焊盘钢网的设计方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112216616A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 202011007591.7 Filing Date: 2020-09-23 Inventor: 李享   武守坤   石恒荣   刘荣翔   郑亚平   胡容刚   林映生   Assignee: 深圳市金百泽电子科技股份有限公司   北京金百泽科技有限公司   惠州市金百泽电路科技有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种QFN芯片散热焊盘钢网的设计方法,包括S1、获取QFN芯片焊盘信息,所述QFN芯片要素信息包括芯片焊盘的尺寸,芯片焊盘的间距,芯片焊盘的阻焊信息;S2、根据QFN芯片焊盘信息设置钢网的形状、阵列方式及间距;S3、在所述QFN芯片焊盘上创建阵列式钢网;QFN芯片钢网进行阵列式分块设计,中间留有覆盖阻焊油的通道,焊接时助焊剂产生的气体可以从通道中排出,减少因气体排出受阻而造成的焊接不良问题;由于QFN芯片散热焊盘焊接点在器件底部,阵列式钢网设计可有效避免和周边器件的桥接,开路;在满足电气性能的同时可增加QFN芯片的使用寿命,节约生产成本。
6
CN112185822A
一种能对芯片进行除锡的植锡板制作装置
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185822A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011131651.6 Filing Date: 2020-10-21 Inventor: 刘非   Assignee: 温州啃途电子科技有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种能对芯片进行除锡的植锡板制作装置,包括底座以及设置于所述底座上侧的放置底座,本发明用于芯片修复的技术领域,将一块芯片固定在本装置上,本装置能自动将芯片上的旧接触点加热除去,若芯片的接触点排列方式没有现成的相应植锡板时装置能自动扫描芯片的触点并记录,之后只需向本发明中放入一块用于制作的金属板后本装置即能自动将针对该种芯片的植锡板制作出来,制作部分利用机械传动能适应不同的芯片的触点排列方式。
7
CN112447528A
集成电路的制作方法
Public
Publication/Patent Number: CN112447528A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010888477.3 Filing Date: 2020-08-28 Inventor: 萧志民   赖建文   刘如淦   赖志明   苏伟硕   张育祯   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 一种集成电路的制作方法,利用极紫外光制程及单个或多个自对准沉积制程的组合在一个基材上制作一个具有四条信号线的集成电路单位晶胞。极紫外光制程及自对准沉积制程在一个位于基材上的硬遮罩上制作多个间隔物。这些间隔物定义了一个位于基材的单位晶胞上的多个信号线的微影图样。极紫外光制程及自对准沉积制程制作出具有相较于被极紫外光制程所定义的各种特征还微小的更精准被定位的多个信号线。
8
CN112563144A
一种引线框架表面处理工艺
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112563144A Publication Date: 2021-03-26 Application Number: 202011548015.3 Filing Date: 2020-12-24 Inventor: 任志军   黄伟   朱春阳   马伟凯   刘松源   段升红   李昌文   徐治   秦小波   陈迅   Assignee: 新恒汇电子股份有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 一种引线框架表面处理工艺,属于引线框架表面处理技术领域。现有技术中对引线框架的表面处理普遍采用的方法是喷砂粗化或使用化学粗化液进行粗化,现有认知中采用一种粗化方式即会对引线框架造成足够的粗化效果,但是并没有考虑到粗化过程中引线框架表面会出现不同的粗化程度,而不同的粗化程度对下游进行封装中因为粗化程度不同出现焊线作业性差现象。本发明发现了粗化一致性对后续工艺的影响,利用在化学粗化后增设一次物理喷砂粗化,提高引线框架粗化效果的同时提高粗化一致性,并加入例如超声波除杂工艺与抗氧化工艺,提高引线框架表面处理的质量。
9
CN112435931A
一种简易高效的植球装置
Substantial Examination Assignment
Publication/Patent Number: CN112435931A Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202011262695.2 Filing Date: 2020-11-12 Inventor: 杨东升   师建行   尹庭辉   刘思怡   沈国策   Assignee: 南京国博电子有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明涉及一种简易高效的植球装置,包括真空吸附平台及网板,真空吸附平台有两路独立的真空,分别对待植球芯片及网板进行真空吸附固定;网板通过硅片或玻璃制作,网板上表面通过腐蚀形成腔体,中部通过腐蚀或激光切割形成与待植球芯片对应的通孔。植球时,先通过一路真空管路吸附待植球芯片,另一路真空管路吸附助焊剂印刷网板,然后印刷助焊剂,接着取下网板;接着通过另一路真空管路吸附植球网板进行植球后垂直取下植球网板,然后将已植球芯片放入炉中回流即可。优点:该装置制造周期短、加工成本低、使用简易方便,便于不同产品间的简便切换。通过硅片做网板解决了传统钢网存在的翘曲,实现超小球的高精度、高效率植球工艺。
10
CN112713092A
两步焊接掩模限定的设计
Public
Publication/Patent Number: CN112713092A Publication Date: 2021-04-27 Application Number: 202011143841.X Filing Date: 2020-10-23 Inventor: K·辛哈   全炫锡   Assignee: 美光科技公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本申请涉及一种两步焊接掩模限定的设计。一种用于BGA封装的设备包括安装在衬底上的焊盘。所述设备还包括设置在所述衬底上的阻焊层和设置在所述阻焊层上的缓冲层。所述阻焊层可以具有第一孔并且所述缓冲层可以具有第二孔。所述第一孔和所述第二孔被对准,使得所述焊盘的至少一部分被暴露以产生焊接掩模限定的安装焊盘。所述第二孔的直径大于所述第一孔的直径。
11
CN112185821A
一种可调值的LTCC基板内埋电阻的设计方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185821A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011054827.2 Filing Date: 2020-09-28 Inventor: 刘发   徐鑫   肖刚   赵国良   张健   Assignee: 西安微电子技术研究所   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种可调值的LTCC基板内埋电阻的设计方法,通过优化内埋电阻的设计,将内埋电阻设计为串联的电阻网络,并将电阻间的互连关系采用层间互连呈现于表层,即可为基片底部表层,亦可为顶部表层,最终通过激光对表层的互连进行选择性的打断,从而实现对内埋电阻的调值,进而提高内埋电阻的精度及基片的成品率。在工艺平台不变的情况下,采用优化内埋电阻设计的方法,将内埋电阻设计为串联的电阻网络,并将电阻间的互连关系采用层间互连呈现于表层,最终通过激光对表层的互连进行选择性的打断,从而实现对内埋电阻的调值,提高内埋电阻的精度及基片的成品率。对于推广内埋电阻的使用,提高LTCC基板的集成度及成品率具有显著的效果。
12
CN112331565A
高密度引线框架蚀刻方法
Public
Publication/Patent Number: CN112331565A Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 202011146339.4 Filing Date: 2020-10-23 Inventor: 熊志   Assignee: 泰兴市永志电子器件有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 高密度引线框架蚀刻方法,涉及半导体集成电路技术领域。包括如下步骤:S1:对铜带进行清洗;S2:将干膜挤压在铜带上,铜带分为成品区和非成品区,非成品区的铜带与干膜之间通过胶粘接,再通过紫外光照射形成耐腐蚀的保护层;S3:将绘制的产品图形覆盖在成品区的保护层上,再经过曝光、显影得到抗腐蚀掩膜;S4:将蚀刻液喷淋到铜带表面进行腐蚀,去除未形成抗腐蚀掩膜部位的金属,再剥离抗腐蚀掩膜得到引线框架;S5、将引线框架周向的非成品区裁剪去除。本发明将铜带分为成品区和非成品区,非成品区通过胶与干膜粘粘结,并在产品成型后去除非产品区,使铜面和干膜更好的贴合,实现了高精密、低线距产品的正常生产,保证产品质量。
13
CN112271138A
一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112271138A Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 202011281351.6 Filing Date: 2020-11-16 Inventor: 杨官瑜   Assignee: 河南航晨纳米材料有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明提供一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备,包括由真空腔室壁平面包绕的真空腔室,真空腔室的内部安装有放卷轴和收卷轴,在放卷轴和收卷轴之间还设置有冷却轴,真空腔室壁平面的外侧设有分子泵法兰接口,还设有离子注入法兰接口和磁过滤沉积法兰接口,该用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备,通过磁过滤技术,过滤掉弧源产生的大颗粒和中性原子,得到无大颗粒的纯等离子束,可以在低的基体温度下沉积优质涂层,利用磁过滤阴极真空弧制备出高质量的纳米复合膜;通过真空腔室的设计以及电磁场的调整,达到等离子体的长时间大面积稳定引出,使用性能优良。
14
CN108122781B
半导体结构及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108122781B Publication Date: 2021-04-06 Application Number: 201710475432.1 Filing Date: 2017-06-21 Inventor: 何彦勳   曾嘉毅   林志勳   庄坤苍   许永隆   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 一种半导体结构的制造方法,包含:形成第一特征及第二特征于半导体基材的切割区域中,第一特征与第二特征彼此电性隔离;形成层间介电层于第一特征与第二特征之上;以及形成第一接触与第二接触于层间介电层中,第一接触连接第一特征,且第二接触连接第二特征。
15
CN110517960B
一种COF基板高强度凸块的制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110517960B Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 201910784085.X Filing Date: 2019-08-23 Inventor: 戚爱康   王健   计晓东   孟庆园   孙彬   沈洪   李晓华   Assignee: 江苏上达电子有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明涉及一种COF基板高强度凸块的制造方法,属于COF基板技术领域。依次进行第一次光刻胶工序,第一蚀刻工序,湿法全蚀刻,第二光刻胶工序,第二蚀刻工序,压合工序,第三光刻胶工序,第三蚀刻工序,电镀铜工序,第四光刻胶工序,电镀镍金工序;与通过传统的电镀处理所形成的凸块相比,凸块的高度偏差会减小。即使是同样的电镀处理,在采用无电解电镀的情况下,比使用有电解电镀时,凸块高度偏差变小,电解电镀因电流集中等原因,镀层的增长速度容易发生波动,而无电解电镀的情况下,不会发生这种现象,整体上镀层会均匀地增长。与传统的电镀处理形成的凸块相比,能够降低凸块的高度偏差,提高生产效率。
16
CN112490131A
一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490131A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011357077.6 Filing Date: 2020-11-27 Inventor: 韩传余   李廷廷   王小力   Assignee: 西安交通大学   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明涉及集成电路的引线框架制备,具体涉及一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法,以解决现有刻蚀法加工过程中的光刻胶只能一次性使用,使得生产成本过高的技术问题。本发明引线框架制备方法包括:将金属薄板或聚合物薄膜材料加工成引线框架图形的掩模板,掩模板的一面涂布PDMS等粘性聚合物材料;将掩模板带有粘性聚合物材料的一面与待刻蚀铜基材紧密贴合,在真空中压紧;放置于温度为40~100℃、浓度为0.1g/ml~0.6g/ml的FeCl溶液中进行刻蚀;将刻蚀好的铜基材从掩模板上取下,得到需要的引线框架。本发明采用可重复利用的掩模板,实现高密度和多脚引线框架的生产,在很大程度上保证了刻蚀精度,降低了制作成本。
17
CN106449422B
一种铜核球的制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN106449422B Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 201610788275.5 Filing Date: 2016-08-31 Inventor: 王梦茜   冯艳华   王瑞   Assignee: 大丰市德讯科技有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种铜核球的制备方法,包括以下步骤:电解铜块,将铜块原料通过电解工序制成熔融态铜液;将熔融态的铜液注入成型器具腔内,所述成型器具的下端设有若干根毛细管;从成型器具顶端向下通入氮气;铜液氮气包裹下于毛细管末端成型。本发明制得的铜核球在焊锡的接合可靠性评估中,显示优良的效果,以电镀SAC305的铜核球和SAC305锡球进行比较,铜核球落下测试远远超过锡球,温度循环测试则和锡球的结果一样。总而言之,本发明制得的铜核球和SAC305锡球有著同等的耐热疲劳性,并可克服高银材料不佳的耐落下冲击性等多重优点,同时能够保证产品的良品率。
18
CN112582275A
形成导电特征的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112582275A Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 202011021844.6 Filing Date: 2020-09-25 Inventor: 郭宏瑞   蔡惠榕   汪嘉伟   张育慈   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本公开实施例提供一种形成导电特征的方法,所述方法包括:在衬底之上形成晶种层;在晶种层上形成图案化掩模层,其中图案化掩模层具有暴露出晶种层的开口;在开口中形成导电材料;移除图案化掩模层,以暴露出部分的晶种层;以及使用包含保护剂的刻蚀溶液移除所述部分的晶种层,从而形成导电特征,其中保护剂具有多个活性部位以吸附在导电材料上。
19
CN110010486B
一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺
Grant
Publication/Patent Number: CN110010486B Publication Date: 2021-04-06 Application Number: 201811176982.4 Filing Date: 2018-10-10 Inventor: 冯光建   王永河   马飞   程明芳   郭丽丽   郑赞赞   陈雪平   郁发新   Assignee: 浙江集迈科微电子有限公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺,包括如下步骤:101)盖板上制作金属墙步骤、102)底座初步处理步骤、103)底座二次处理步骤、104)封装步骤;本发明提供整个密闭结构的制作工艺简单化的一种密闭结构的系统级射频芯片封装工艺。
20
CN112349599A
一种芯片基板的制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112349599A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 202011247992.X Filing Date: 2020-11-10 Inventor: 索思亮   匡晓云   陶文伟   曹扬   陈立明   黄开天   Assignee: 南方电网科学研究院有限责任公司   IPC: H01L21/48 Abstract: 本发明公开了一种芯片基板的制作方法,包括以下步骤:1)提供一玻璃纤维基板,在所述玻璃纤维基板的一上表面及一下表面,各形成一黏着剂层;2)在形成有黏着剂层的玻璃纤维基板上进行冲孔,并在冲孔后的玻璃纤维基板的上表面和下表面压附铜箔,同时烘烤使该铜箔透过黏着剂层于玻璃纤维基板结合;3)在玻璃纤维基板的上、下表面的铜箔层处形成导电柱,在铜箔的表面形成封装胶体,所述封装胶体包覆在导电柱并覆盖在铜箔上;4)研磨导电柱处的封装胶体,直至导电柱露出在封装胶体外;拆板,以露出在玻璃纤维基板上的铜箔,并在所述铜箔上形成电镀层;该芯片基板的制作方法能够实现轻薄化芯片。
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