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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
181
CN111668243A
影像传感器及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111668243A Publication Date: 2020-09-15 Application Number: 201910231312.6 Filing Date: 2019-03-26 Inventor: 钟志平   黄文澔   何明祐   毕嘉慧   Assignee: 力晶科技股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有主动面与背面的基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。第一隔离结构设置于主动面处的基底中以界定出主动区。光二极管与存储节点设置于主动区中的基底中且彼此间隔开。晶体管设置于光二极管与存储节点之间且分别与两者电连接。第二隔离结构设置于背面处的基底中且与第一隔离结构连接。反光层具有位于主动面上的第一部分、位于第一与第二隔离结构中的第二部分以及位于背面上的第三部分,其中第二部分连接第一与第三部分,且第三部分不与光二极管的整体重叠。微透镜设置于反光层上。
182
CN107768392B
半导体装置及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107768392B Publication Date: 2020-09-25 Application Number: 201710980840.2 Filing Date: 2017-10-20 Inventor: 陈世杰   黄晓橹   Assignee: 德淮半导体有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:衬底,包括沟槽以及由所述沟槽分隔开的透射区;缓冲层,形成在所述衬底之上并且覆盖所述沟槽的表面和所述透射区;以及辐射调节层,形成在所述缓冲层之上,所述辐射调节层包括在处于所述沟槽中的所述缓冲层之上的第一部分以及在处于所述透射区之上的所述缓冲层之上的第二部分,所述第一部分由辐射反射材料或者辐射吸收材料形成,所述第二部分由辐射透射材料形成。
183
CN107680978B
一种半导体光放大器及成像设备
Grant
Publication/Patent Number: CN107680978B Publication Date: 2020-09-29 Application Number: 201710864063.5 Filing Date: 2017-09-22 Inventor: 胡菁   夏若彬   张杰   Assignee: 浙江大华技术股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器及成像设备,所述光放大器包括衬底,还包括:红色增益层、绿色增益层、蓝色增益层和与衬底及每个增益层对应的每个电极层;所述红色增益层、绿色增益层和蓝色增益层生长在所述衬底上;对应的所述每个电极层分别设置在所述衬底、红色增益层、绿色增益层和蓝色增益层上,且每个增益层的两侧为电极层。在本发明实施例中,对光信号中的红光、绿光和蓝光分别进行了光放大,并实现了彩色成像。
184
CN106847848B
固态成像装置和电子设备
Grant
Publication/Patent Number: CN106847848B Publication Date: 2020-10-02 Application Number: 201611254577.0 Filing Date: 2013-03-28 Inventor: 小林实希子   山下和芳   Assignee: 索尼公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置和电子设备。这里所披露的是固态成像装置,其包括:半导体基体;光敏二极管,形成在半导体基体上,并且用于执行光电转换;像素部,提供有像素,该像素的每一个具有光敏二极管;第一配线,形成为通过接触部电连接到像素部的半导体基体,并且在第一方向上延伸到像素部之外;第二配线,由与第一配线不同的配线层制作,并且形成为在与第一方向不同的第二方向上延伸到像素部之外;以及接触部,用于将第一配线和第二配线彼此电连接。
185
CN110707116A
图像传感器单元
Substantial Examination
Title (English): Image Sensor Unit
Publication/Patent Number: CN110707116A Publication Date: 2020-01-17 Application Number: 201910986798.4 Filing Date: 2019-10-17 Inventor: 黄晓橹   张盛鑫   魏代龙   金子贵昭   Assignee: 德淮半导体有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明涉及一种图像传感器单元,包括基板;感光元件,所述感光元件形成于所述基板中并且响应于入射光生成电荷;浮动扩散区,所述浮动扩散区用于接收并存储来自所述感光元件的电荷;以及转移晶体管,所述转移晶体管被配置为能够将保留在所述感光元件中的电荷转移到所述浮动扩散区以在之后用于形成图像。所述转移晶体管包括形成于基板上的栅极介质层以及形成于栅极介质层上的栅极电极层,所述栅极介质层进一步包括隧道氧化物层、形成于隧道氧化物层上的电荷存储层、形成于电荷存储层上的阻挡氧化物层。
186
CN110649055A
改善CIS芯片炫光问题的晶圆级封装方法以及封装结构
Substantial Examination
Title (English): A wafer-level packaging method and packaging structure for improving cis chip glare
Publication/Patent Number: CN110649055A Publication Date: 2020-01-03 Application Number: 201910925284.8 Filing Date: 2019-09-27 Inventor: 马书英   刘轶   郑凤霞   李凯   万石保   Assignee: 华天科技(昆山)电子有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了改善CIS芯片炫光问题的晶圆级封装方法以及封装结构,其可以减少光线的透过和反射,提高CIS芯片的成像质量,封装方法包括以下步骤:提供玻璃载板,在玻璃载板上采用黑色光刻材料制作围堰;将CIS晶圆与玻璃载板键合在一起;对CIS晶圆进行刻蚀使得CIS晶圆上的焊盘露出;在CIS晶圆的感光区上制作金属遮光层:在CIS晶圆上形成钝化层,然后在钝化层上开窗将CIS晶圆上的焊盘露出;在钝化层上制作重布线层,通过重布线层连接CIS晶圆上的焊盘;采用黑色光刻材料在重布线层上形成阻焊层,在阻焊层上开窗并制作焊球,焊球与重布线层连接。
187
CN107611152B
背照式CMOS传感器的封装方法
Grant
Title (English): Encapsulation Method of Receptive cmos Senso
Publication/Patent Number: CN107611152B Publication Date: 2020-02-04 Application Number: 201710792005.6 Filing Date: 2017-09-05 Inventor: 陈彦亨   林正忠   Assignee: 中芯长电半导体(江阴)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种背照式CMOS传感器的封装方法,包括:重新布线层;背照式CMOS传感器结构,固定连接于所述重新布线层的第二面;逻辑芯片,设置于所述重新布线层的第一面;封装材料,包覆于所述逻辑芯片;穿孔,形成于所述封装材料中;金属引线结构,制作于所述穿孔中,以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。本发明采用重新布线层的方法实现背照式CMOS传感器、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接,具有封装体积小,传感性能及器件可靠性高的优点;只需预先在封装材料中制作金属柱便可实现重新布线层的电性引出,不需要进行硅穿孔等工艺,可以大大节省工艺成本。
188
CN110896082A
具有新型布局的图像传感器
Substantial Examination
Title (English): Image Sensor with New Layout
Publication/Patent Number: CN110896082A Publication Date: 2020-03-20 Application Number: 201910455231.4 Filing Date: 2019-05-28 Inventor: 徐辰   王欣   莫要武   邵泽旭   石文杰   Assignee: 思特威(上海)电子科技有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种具有新型布局结构的图像传感器。所述图像传感器包括由多个按行和列设置的像素单元构成的像素阵列,每个所述像素单元包括感光单元,所述感光单元包括光电二极管和传输晶体管;所述传输晶体管沿一倾斜角度设置于所述光电二极管的角部;所述传输晶体管的设置结构形成一开口,浮动扩散点设置于所述开口处;源极跟随晶体管设置于所述像素单元的角部位置,并靠近所述浮动扩散点。所述像素单元还可包括一转换增益控制晶体管,置于所述复位晶体管同一边侧。本发明提出的新型结构布局图像传感器,像素单元的浮动扩散点电容小,像素电路转换增益高,能有效提高图像传感器的性能。
189
CN107316878B
背照式CMOS图像传感器的制备方法
Grant
Title (English): Fabrication method of back-shot cmos image senso
Publication/Patent Number: CN107316878B Publication Date: 2020-03-13 Application Number: 201610266685.3 Filing Date: 2016-04-26 Inventor: 张进创   管术俊   陈立峰   叶文源   Assignee: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司   中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明揭示了一种背照式CMOS图像传感器的制备方法,包括:提供一衬底,所述衬底具有前侧以及与所述前侧相对的背侧;对所述衬底的前侧进行离子注入,在所述衬底中形成一具有一定厚度的掺杂埋层,所述掺杂埋层具有一平均深度,所述离子注入的能量大于等于1000Kev;在所述衬底的前侧制备图像传感器结构;对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层;在所述衬底的背侧制备微透镜结构。本发明的背照式CMOS图像传感器的制备方法经济、简单,能够防止暗电流。
190
CN110828492A
像素结构
Substantial Examination
Title (English): Pixel structure
Publication/Patent Number: CN110828492A Publication Date: 2020-02-21 Application Number: 201910460922.3 Filing Date: 2019-05-30 Inventor: 吴扬   郁飞霞   张宇轩   Assignee: 恒景科技股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明涉及一种影像传感器的像素结构,包括:基底;结晶层,具有第一掺杂类型且形成在基底之上;光二极管区域,形成在结晶层之中;源极跟随器的栅极,形成在结晶层的上表面上;复位栅极,形成在结晶层的上表面之上;掺杂区,具有第二掺杂类型,形成在结晶层中且形成在复位栅极与源极跟随器的栅极之间。其中第一掺杂类型不同于第二掺杂类型,并且光二极管区域在结晶层的上表面之下连接至掺杂区以形成防渲染路径。
191
CN107611147B
多芯片塑胶球状数组封装结构
Grant
Title (English): Multi-chip plastic spherical array packaging structure
Publication/Patent Number: CN107611147B Publication Date: 2020-02-18 Application Number: 201610541551.8 Filing Date: 2016-07-11 Inventor: 杨若薇   辛宗宪   杜修文   Assignee: 胜丽国际股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明为多芯片塑胶球状数组封装结构,多芯片塑胶球状数组封装结构包括:基板、第一芯片、第一封胶体、挡体、第二芯片、光学组件以及第二封胶体。基板具有上表面及与上表面相对的下表面。第一芯片设置于下表面且电性连接于基板。第一封装胶体包覆第一芯片。档体以第一表面设置于下表面并包围第一封胶体。第二芯片设置于上表面且电性连接于基板。光学组件以共晶接合结构设置于第二芯片。第二封胶体包覆第二芯片、光学组件及共晶接合结构。光学组件使得与第二芯片所感测波长范围一致的光线通过。借由本发明的实施,芯片上的密封及真空效果良好。
192
CN107591420B
感测器封装结构
Grant
Title (English): Sensor Encapsulation Structure
Publication/Patent Number: CN107591420B Publication Date: 2020-02-18 Application Number: 201610868073.1 Filing Date: 2016-09-30 Inventor: 杜修文   辛宗宪   陈建儒   Assignee: 胜丽国际股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 一种感测器封装结构,包括:基板、设置于上述基板的感测芯片、电性连接上述基板与感测芯片的多条金属线、位置对应于感测芯片的透光层、及能使透光层稳定地黏固于感测芯片与基板的黏接体。远离基板的感测芯片顶面包含有感测区及围绕于感测区的间隔区,并且顶面具有至少一第一边缘与至少一第二边缘,第一边缘与间隔区的距离大于第二边缘与间隔区的距离。感测芯片在顶面的第一边缘与间隔区之间形成有多个连接垫,而第二边缘与间隔区之间未形成有任何连接垫。黏接体包覆感测芯片外侧缘、第一边缘与间隔区之间的顶面部位、及透光层外侧缘,而每条金属线的至少部分埋置于黏接体内。借此,上述感测器封装结构能够适用来封装较小尺寸的感测芯片。
193
CN110783358A
半导体器件及其制造方法
Substantial Examination
Title (English): Semiconductor Devices and Their Manufacturing Methods
Publication/Patent Number: CN110783358A Publication Date: 2020-02-11 Application Number: 201911214656.2 Filing Date: 2019-12-02 Inventor: 杨帆   胡胜   Assignee: 武汉新芯集成电路制造有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:形成沟槽填充结构于像素区的衬底中,且沟槽填充结构中的填充材料的侧壁和衬底之间还夹有高K介质层;覆盖缓冲介质层于像素区的衬底表面上;刻蚀缓冲介质层,以形成至少暴露出沟槽填充结构的顶部侧壁外围的部分衬底和/或沟槽填充结构的至少部分顶部的第一开口;填充第一导电金属层于第一开口中,以与暴露出的部分衬底和/或沟槽填充结构电性连接;形成金属栅格层于缓冲介质层上且与第一导电金属层电性连接。本发明的技术方案使得金属栅格层与暴露出的部分衬底和/或沟槽填充结构电性连接,进而使得能够对半导体器件进行电学性能方面的优化和改善。
194
CN110783352A
具有用于参考像素的选择性光屏蔽的图像传感器
Public
Title (English): Image sensor with selective light shielding for reference pixels
Publication/Patent Number: CN110783352A Publication Date: 2020-02-11 Application Number: 201910640080.X Filing Date: 2019-07-16 Inventor: 李允基   金范锡   朴钟勋   朴俊城   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 图像传感器包括光电转换层,该光电转换层包括多个第一光电转换元件和与第一光电转换元件相邻的多个第二光电转换元件。遮光层屏蔽第二光电转换元件并且在其中具有相应的开口,该相应的开口向第一光电转换元件中的相应第一光电转换元件提供光传输。图像传感器还包括位于光电转换层上的微透镜的阵列,每个微透镜与第一光电转换元件中的至少一个和第二光电转换元件中的至少一个重叠。
195
CN110911426A
固体摄像装置
Substantial Examination
Title (English): Solid camera equipment
Publication/Patent Number: CN110911426A Publication Date: 2020-03-24 Application Number: 201910159550.0 Filing Date: 2019-03-04 Inventor: 板桥康   那须勇人   Assignee: 东芝电子元件及存储装置株式会社   株式会社东芝   IPC: H01L27/146 Abstract: 实施方式提供一种即使不设置阻挡金属膜也能够使布线层抵抗应力的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具备:衬底;像素,设置在所述衬底的表面;多个布线层,设置在所述衬底之上,包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层;绝缘层,设置在所述多个布线层之间;阻挡金属膜,设置在所述第一布线层的表面,并且,未设置在所述第二布线层的表面;以及多个插塞,设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间,将所述第一布线层和所述第二布线层连接。所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。
196
CN106992193B
图像传感器
Publication/Patent Number: CN106992193B Publication Date: 2020-03-27 Application Number: 201610235997.8 Filing Date: 2016-04-15 Inventor: 林宗澔   郭武政   林国峰   萧玉焜   Assignee: 采钰科技股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 一种图像传感器,包括一感测层、多个滤光单元、以及一格状结构。滤光单元设置于感测层上。栅格结构设置于滤光单元上,且包括多个栅格部。栅格部形成多个栅格群,且每一栅格群相互分离。
197
CN110943100A
超薄成像芯片及其形成方法、成像模组及其形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN110943100A Publication Date: 2020-03-31 Application Number: 201911213570.8 Filing Date: 2019-12-02 Inventor: 王腾   王威   姜迪   Assignee: 多感科技(上海)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 一种超薄成像芯片及其形成方法以及一种成像模组及其形成方法,所述超薄成像芯片的形成方法包括:提供图像传感器,包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层,所述衬底具有指定厚度;在所述衬底内形成对应于像素面成像区域的透光区。所述超薄成像芯片的厚度较小。
198
CN110867461A
一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备
Substantial Examination
Title (English): A single chip integrated method, sensor and imaging device for hyperspectral image senso
Publication/Patent Number: CN110867461A Publication Date: 2020-03-06 Application Number: 201911174534.5 Filing Date: 2019-11-26 Inventor: 高建峰   白国斌   李俊杰   杨涛   李俊峰   王文武   Assignee: 中国科学院微电子研究所   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种高光谱图像传感器的单片集成方法,包括:在CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上形成底反射层;采用多次薄膜沉积工艺和多次光刻、刻蚀工艺的方法在底反射层上形成多个台阶结构,构成透明空腔层;在透明空腔层上沉积薄膜形成顶反射层。本发明提供的高光谱图像传感器的单片集成方法,通过控制薄膜沉积工艺条件,实现对透明空腔层各个台阶的厚度的精准控制,优化了现有技术采用刻蚀工艺导致的不均匀性累积的问题。本发明还提供一种高光谱图像传感器和含有高光谱图像传感器的成像设备。
199
CN110797357A
摄像面板及其制造方法
Substantial Examination
Title (English): Camera panels and their manufacturing methods
Publication/Patent Number: CN110797357A Publication Date: 2020-02-14 Application Number: 201910693584.8 Filing Date: 2019-07-30 Inventor: 美崎克纪   Assignee: 夏普株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 摄像面板在基板的一面侧包括光电转换层(15)。另外,摄像面板包括:电极(14b),其与光电转换层(15)的一个面连接;偏置布线(16),其与电极(14b)连接;以及保护膜(17),其由对含有氢氟酸的蚀刻剂具有耐蚀性的材料构成,且覆盖偏置布线(16)的侧面。
200
CN106816447B
采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法
Grant
Title (English): Image Sensor and Preparation Method for Photoelectric Conversion with Quantum Dot Films
Publication/Patent Number: CN106816447B Publication Date: 2020-02-14 Application Number: 201611224497.0 Filing Date: 2016-12-27 Inventor: 杨冰   周伟   胡少坚   耿阳   肖慧敏   Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司   成都微光集电科技有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法,包括:衬底,在衬底表面设置有底部隔离层;位于底部隔离层上的N层隔离层;每层隔离层中设置有相应层的金属通孔,相邻的上层金属通孔和下层金属通孔一一对应且相连接;其中,N为整数且N≥2;金属电极,位于最顶层金属通孔顶部;量子点薄膜,位于金属电极和暴露的最顶层隔离层表面。本发明的图像传感器具有有更强的光线敏感度,更大的动态范围和更优化的成像稳定性,还能够确保在小尺寸的像素的设计中,也可以获得高质量的输出图像。