Country
Full text data for US,EP,CN
Type
Legal Validity
Legal Status
Filing Date
Publication Date
Inventor
Assignee
Click to expand
IPC(Section)
IPC(Class)
IPC(Subclass)
IPC(Group)
IPC(Subgroup)
Agent
Agency
Claims Number
Figures Number
Citation Number of Times
Assignee Number
No. Publication Number Title Publication/Patent Number Publication/Patent Number Publication Date Publication Date
Application Number Application Number Filing Date Filing Date
Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
121
CN112204765A
光电转换元件和光电转换元件的制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112204765A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201980034718.3 Filing Date: 2019-05-13 Inventor: 齐藤阳介   宫地左伊   菅野雅人   氏家康晴   长谷川雄大   榎修   根岸佑树   Assignee: 索尼公司   索尼半导体解决方案公司   IPC: H01L51/42 Abstract: 根据本发明一个实施例的第一光电转换元件包括:第一电极;第二电极,所述第二电极被布置为与所述第一电极相对;和光电转换层,所述光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含发色团、富勒烯或其衍生物和空穴传输材料,其中,所述发色团和所述富勒烯或其衍生物在所述光电转换层中通过交联基团至少部分地彼此结合。
122
CN112166504A
摄像装置
Public
Publication/Patent Number: CN112166504A Publication Date: 2021-01-01 Application Number: 201980034585.X Filing Date: 2019-04-03 Inventor: 籾内雄太   高冈裕二   Assignee: 索尼半导体解决方案公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 根据本发明,重新布线区域(22)设置在摄像元件(20)的正面(像素形成表面)FA上的除像素区域(21)以外的区域中。模制部分(30)形成在除正面FA以外的摄像元件(20)的周围。连接外部端子和设置在重新布线区域(22)中的焊盘(23)的重新布线层(41b)、(42b)、和(43b)经由绝缘层(41a)、(42a)和(43a)形成在摄像元件(20)和模制部分(30)的像素形成表面侧。因此,即使减小焊盘之间的间隔,也能连接到基板,摄像装置(10)的安装表面也位于像素形成表面侧,并且可以减小尺寸和高度。
123
US10888299B2
Method and apparatus for x-ray imaging and gain calibration of detector and detector bracket
Publication/Patent Number: US10888299B2 Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 15/360,622 Filing Date: 2016-11-23 Inventor: Chen, Peijun   Zhao, Wei   Tan, Yongtao   Saunders, Rowland   Assignee: GENERAL ELECTRIC COMPANY   IPC: A61B6/00 Abstract: The present invention provides an X-ray detection device and an apparatus and method for calibrating an X-ray detector, the method for calibrating an X-ray detector comprising: retrieving a calibration parameter stored in the X-ray detector relative to the X-ray detector; and calibrating the X-ray detector according to the calibration parameter.
124
US2021005654A1
IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD
Publication/Patent Number: US2021005654A1 Publication Date: 2021-01-07 Application Number: 17/027,486 Filing Date: 2020-09-21 Inventor: Fukuoka, Shinpei   Assignee: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION   IPC: H01L27/146 Abstract: The present technology relates to an imaging element, an imaging device, and a manufacturing apparatus and a method that facilitate electric charge transfer. An imaging element of the present technology includes a vertical transistor that has a potential with a gradient in at least part of a charge transfer channel that transfers electric charge of a photoelectric conversion unit. Also, an imaging device of the present technology includes: an imaging element including a vertical transistor that has a potential with a gradient in at least part of a charge transfer channel that transfers electric charge of a photoelectric conversion unit; and an image processing unit that performs image processing on captured image data obtained by the imaging element. Further, a manufacturing apparatus of the present technology includes a vertical transistor manufacturing unit that manufactures a vertical transistor having a potential with a gradient in at least part of a charge transfer channel that transfers electric charge of a photoelectric conversion unit. The present technology can be applied to imaging elements, imaging devices, and manufacturing apparatuses and methods, for example.
125
CN112219280A
光接收元件、测距模块和电子设备
Public
Publication/Patent Number: CN112219280A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201980038147.0 Filing Date: 2019-06-21 Inventor: 片山泰志   Assignee: 索尼半导体解决方案公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明涉及能够减少电荷传输期间的信号劣化的光接收元件、测距模块和电子设备。所述光接收元件包括像素,所述像素至少包括:第一电荷保持单元和第二电荷保持单元,它们每者保持由光电二极管产生的电荷;第一传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第一电荷保持单元;和第二传输晶体管,其将所述电荷传输到所述第二电荷保持单元,其中,所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管均由包括垂直栅电极部的垂直晶体管构成。本技术可以应用于例如通过间接ToF方法执行测距的光接收元件等。
126
CN109804616B
摄像装置
Grant
Publication/Patent Number: CN109804616B Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201780059121.5 Filing Date: 2017-05-17 Inventor: 田岛和幸   岛野健   宇津木健   Assignee: 株式会社日立制作所   IPC: H04N5/225 Abstract: 摄像装置具备:图像传感器,将被取入到在摄像面以阵列状排列的多个像素的光学像变换为图像信号并输出;调制部,设置于图像传感器的受光面,调制光的强度;以及图像处理部,对从图像传感器输出的输出图像实施图像处理,调制部具有:光栅基板;以及第1光栅图案,形成于与接近图像传感器的受光面的面对置的光栅基板的第1面。光栅图案由间距相对从至少一个基准坐标的原点起的距离成反比的多个同心圆分别构成,多个同心圆在光栅图案内相互不重叠,基准坐标被配置为相对受光面的中央的法线对称。由此,提高配置有由间距相对从原点起的距离成反比的多个同心圆构成的衍射光栅基板的摄像装置的分辨率。
127
CN108878572B
感光元件、光电传感探测基板及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108878572B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201810752989.X Filing Date: 2018-07-10 Inventor: 黄睿   Assignee: 京东方科技集团股份有限公司   IPC: H01L31/105 Abstract: 本公开是关于一种感光元件、光电传感探测基板及光电传感探测基板的制造方法,涉及光电技术领域。本公开的感光元件包括第一电极层、光电转化层、第二电极层、绝缘层和第三电极层。光电转化层设于第一电极层。第二电极层设于光电转化层远离第一电极层的表面。绝缘层覆盖光电转化层的侧面和第二电极层远离光电转化层的至少部分表面,且绝缘层为透明材质。第三电极层覆盖绝缘层,用于将进入绝缘层内的至少部分光线反射至光电转化层的侧面。本公开的感光元件可提高光电流,使光电传感探测基板的信噪比提升。
128
CN107871726B
堆叠半导体衬底之间的接触沟槽
Grant
Publication/Patent Number: CN107871726B Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201710179654.9 Filing Date: 2017-03-23 Inventor: F·罗伊   Assignee: 意法半导体(克洛尔2)公司   IPC: H01L23/538 Abstract: 第一半导体衬底层支撑第一晶体管,该第一晶体管包括由该衬底层的掺杂区域形成的第一源漏。第二半导体衬底层支撑第二晶体管,该第二晶体管包括由该衬底层的掺杂区域形成的第二源漏。该第二半导体衬底层被叠置于该第一半导体衬底层之上并且通过绝缘层与该第一半导体衬底层分隔开。金属布线从与用于该第一源漏的该掺杂区域的电接触延伸,通过该绝缘层,并且穿过该第二半导体衬底层中的电隔离结构以与用于该第二源漏的该掺杂区域进行电接触。该电隔离结构由沟槽隔离或该第二源漏的该掺杂区域本身中的一项形成。该隔离结构的厚度等于该第二半导体衬底层的厚度。
129
CN107615753B
固态摄像器件、用于固态摄像器件的控制方法及电子设备
Grant
Publication/Patent Number: CN107615753B Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201680030242.2 Filing Date: 2016-07-13 Inventor: 榊原雅树   栃木靖久   Assignee: 索尼公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明涉及能够在实现宽动态范围的同时抑制PLS的影响的固态摄像器件、用于固态摄像器件的控制方法以及电子设备。固态摄像器件包括像素阵列单元,在像素阵列单元中排列有多个像素。像素阵列单元中的一部分像素是至少具有一个光电转换元件以及溢出累积电容器的单位像素。此外,固态摄像器件在像素阵列单元中针对一个或多个单位像素还包括一个AD转换器。本发明例如可应用于固态摄像器件。
130
CN212392247U
屏内光学生物特征感测装置
Grant
Publication/Patent Number: CN212392247U Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 202021981259.6 Filing Date: 2020-09-11 Inventor: 范成至   黄振昌   周正三   Assignee: 神盾股份有限公司   IPC: H01L27/32 Abstract: 一种屏内光学生物特征感测装置,至少包括:多个显示单元组,各显示单元组包括一个或多个显示单元;多个光感测元,分别设置于此些显示单元组之间的多个间隙中;以及多个光机结构,分别与此些光感测元相邻地设置,各光机结构至少包括用于阻挡杂散光的一阻光层,此些光感测元通过此些光机结构来感测一物体的生物特征。藉此可以将光学生物特征感测装置整合于显示面板之中,以提供局部或全屏式光学生物特征感测功能。
131
US10888217B2
Imaging module applicable to head-swing endoscope
Publication/Patent Number: US10888217B2 Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 16/246,144 Filing Date: 2019-01-11 Inventor: Domoto, Kazuhiro   Assignee: Fujikura Ltd.   IPC: A61B1/05 Abstract: An imaging module includes: an image-sensing device that includes a terminal group having a plurality of image-sensing terminals; a flexible substrate that includes: a first surface, a second surface on the opposite side of the first surface, and conductors disposed on the first surface and the second surface; a single-core wire unit that: is disposed between the image-sensing device and the flexible substrate, electrically connects the terminal group to the conductors, and includes a plurality of flexible single-core wires; and a coaxial cable that is connected to the conductor.
132
US10890673B2
X-ray detector having a carrier element with protective element along the side faces
Publication/Patent Number: US10890673B2 Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 16/135,048 Filing Date: 2018-09-19 Inventor: Danzer, Ludwig   Geyer, Harald   Wrege, Jan   Assignee: SIEMENS HEALTHCARE GMBH   IPC: G01T1/24 Abstract: An X-ray detector, including a stacking arrangement, includes an evaluation unit and a carrier unit. The evaluation unit and the carrier unit are electrically conductively connected via a plurality of connecting elements. An interspace is formed between the evaluation unit, the carrier unit and the plurality of connecting elements. A protective element is formed on side faces of the carrier unit, arranged essentially parallel to a stacking direction of the stacking arrangement. The protective element is formed in at least one section of the side faces along the entire outer circumference and along the edges of the side faces, facing the evaluation unit.
133
CN112164703A
阵列基板及其制作方法、显示面板
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112164703A Publication Date: 2021-01-01 Application Number: 202010981282.3 Filing Date: 2020-09-17 Inventor: 张愉   江淼   姚江波   陈黎暄   张鑫   Assignee: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。所述方法包括步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成一第一金属层;在所述第一金属层上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层形成一有源层;以及在所述有源层上形成一第二金属层;其中所述有源层包括依次层叠设置的第一器件层和第二器件层,所述第二器件层的材料为二维纳米材料,所述第二器件层具有宽光谱感应性。本申请利用喷墨打印的方法将二维纳米材料构建为光敏膜层,并且通过调节纳米材料的组成,以构建出具有高增益的光电膜层,再与高迁移率膜层进行结合,从而构建出具有迁移率较高且宽光谱光响应的显示设备。
134
CN109411335B
一种像素结构及其制作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109411335B Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201811203556.5 Filing Date: 2018-10-16 Inventor: 金利波   朱翀煜   岳欢   Assignee: 上海奕瑞光电子科技股份有限公司   IPC: H01L21/027 Abstract: 本发明提供一种像素结构及其制作方法,该方法包括:于基板上形成第一金属层和N型重掺杂层;基于第一掩膜板对上述两层进行刻蚀,形成数据线、漏极、源极和底电极;之后形成有源材料层,基于第二掩膜板对有源材料层和N型重掺杂层进行刻蚀,形成第一接触区、第二接触区及N型区,同时形成有源区和本征区;之后形成P型重掺杂层和顶电极材料层,基于第三掩膜板对上述两层进行刻蚀,形成P型区和顶电极;之后形成绝缘层,基于第四掩膜板对其进行刻蚀,形成暴露出顶电极的过孔;之后形成第二金属层,基于第五掩膜板对其进行刻蚀,形成栅电极、公共电极和扫描线。通过本发明解决了现有制作方法中因光刻次数较多导致生产成本较高的问题。
135
EP3414777B1
IMAGE SENSORS WITH ELECTRONIC SHUTTER
Publication/Patent Number: EP3414777B1 Publication Date: 2021-01-06 Application Number: 17811013.6 Filing Date: 2017-06-08 Inventor: Mandelli, Emanuele   Boisvert, David Michael   Bock, Nikolai   Assignee: Invisage Technologies, Inc.   IPC: H01L27/146
136
US10886325B2
Infrared detector devices and focal plane arrays having a transparent common ground structure and methods of fabricating the same
Publication/Patent Number: US10886325B2 Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 15/971,217 Filing Date: 2018-05-04 Inventor: Wei, Yajun   Allen, Steven   Garter, Michael   Greiner, Mark   Forrai, David   Endres, Darrel   Jones, Robert   Assignee: L3 CINCINNATI ELECTRONICS CORPORATION   IPC: H01L27/146 Abstract: Focal plane arrays and infrared detector device having a transparent common ground structure and methods of their fabrication are disclosed. In one embodiment, a front-side illuminated infrared detector device includes a contact layer and a detector structure adjacent to the contact layer. The detector structure is capable of absorbing radiation. The front-side illuminated infrared detector device further includes a common ground structure adjacent the detector structure, wherein the common ground structure is transmissive to radiation having a wavelength in a predetermined spectral band, and the common ground structure has a bandgap that is wider than a bandgap of the detector structure. The front-side illuminated infrared detector device further includes an optical layer adjacent the common ground structure.
137
CN112218014A
图像传感器和包括图像传感器的成像系统
Public
Publication/Patent Number: CN112218014A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 202010543690.0 Filing Date: 2020-06-15 Inventor: W·j·欣特   A·w·m·科尔图斯   Assignee: 泰拉丁达萨有限公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明涉及图像传感器并且涉及包括图像传感器的成像系统。本发明尤其涉及X射线图像传感器和成像系统。根据本发明的图像传感器包括像素阵列,所述像素阵列包含布置在行和列的矩阵中的多个有源像素,以及多个列线,出于输出像素信号的目的相同列中的像素的输出耦合到所述列线。所述图像传感器进一步包括读出电路系统,所述读出电路系统包含多个读出单元,每个读出单元经配置以用于通过所述读出单元的输入节点读出相应的列线。所述图像传感器的特征在于所述图像传感器进一步包括电容单元,例如电容器,以用于将每个输入节点电容式耦合到其对应的列线。
138
CN212322034U
一种LCD面板
Grant
Publication/Patent Number: CN212322034U Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202020740884.5 Filing Date: 2020-05-08 Inventor: 钟慧萍   刘汉龙   郭智宇   刘振东   郑聪秀   Assignee: 福建华佳彩有限公司   IPC: G02F1/1362 Abstract: 本实用新型涉及面板技术领域,特别涉及一种LCD面板,包括屏下指纹探测区域,屏下指纹探测区域包括第一基板,第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层、第一半导体层、第一钝化层、第一平坦层和第一透明层,通过设置第一栅极金属层、第一源极金属层和第一半导体层构成TFT器件,通过设置第一半导体层和第二半导体层构成光电二极管,当有光照射到该器件时会产生光生电流,当TFT器件打开时,电流会被传感线探测,不同位置所探测电荷量的比列不同,使得映射出指纹的纹路,从而实现指纹识别的功能。
139
CN112189258A
内窥镜用摄像装置和内窥镜
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112189258A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 201880093674.7 Filing Date: 2018-07-06 Inventor: 藤森纪幸   Assignee: 奥林巴斯株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 内窥镜用摄像装置(1)具备:作为混合透镜元件(20、30、40)的光学部(10),其接合有多个光学元件(20、29、30、39、40、49),所述多个光学元件中的至少任意一个光学元件在玻璃板(21、31、41)的主面配设有树脂透镜(22、32、42);以及摄像部(50),其接受由所述光学部(10)聚光得到的被摄体像,所述树脂透镜(22、32、42)的表面及所述树脂透镜的周围的所述主面被透明无机膜(23、33、43)覆盖。
140
CN112218010A
图像传感器及捕获数字电子图像的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112218010A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 202010585040.2 Filing Date: 2020-06-24 Inventor: 马渕圭司   真鍋宗平   林赛·格兰特   Assignee: 豪威科技股份有限公司   IPC: H04N5/361 Abstract: 一种图像传感器具有像素阵列,每个像素具有相关联的快门晶体管,快门晶体管被耦接以将取决于像素的曝光的电荷转移到图像存储电容器上,图像存储电容器被配置为被读取到模数转换器中。快门晶体管是N阱中的P型晶体管,阱保持在模拟电源电压处以降低像素对暗电流的灵敏度;在可替换的实施例中,快门晶体管是P型阱中的N型晶体管,阱保持在模拟接地电压处。