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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
161
CN107958912B
半导体装置及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107958912B Publication Date: 2020-11-13 Application Number: 201610902296.5 Filing Date: 2016-10-17 Inventor: 彭文杰   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体工艺技术领域。该制造方法包括:提供基板结构,基板结构包括:半导体基板,基板具有正表面和背表面,以及在基板的正表面中形成有像素区域,像素区域中形成有多个像素,每个像素包括传感器元件;在基板正表面中的像素区域之上形成金属反射层;从基板的背面对基板进行减薄;以及对减薄后的基板背表面进行掺杂并进行激光退火。本发明形成的金属反射层可以在激光退火步骤中反射激光,以及反射半导体基板背表面的半导体材料熔化产生的热辐射,从而减小在激光退火过程中对多层互连结构的损伤,并且更充分的激活基板背表面中的杂质,进而有效降低暗电流,改善器件性能。
162
CN108206193B
图像传感器及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108206193B Publication Date: 2020-11-13 Application Number: 201611180246.7 Filing Date: 2016-12-20 Inventor: 邱慈云   王冲   张海芳   刘煊杰   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法,涉及半导体技术领域。该图像传感器包括:半导体衬底;位于该半导体衬底上的第一有源区;位于该第一有源区之上的掺杂的半导体层;以及位于该半导体层上的接触件;其中,所述该第一有源区包括:第一掺杂区以及与该第一掺杂区邻接的第二掺杂区,该第二掺杂区位于该第一有源区的上表面,且该第二掺杂区由半导体层中的掺杂物经退火扩散至第一掺杂区的表层而成。本发明可以减少漏电流,提高器件性能。
163
CN111524920A
前照式CMOS图像传感器的形成方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111524920A Publication Date: 2020-08-11 Application Number: 201910106605.1 Filing Date: 2019-02-02 Inventor: 徐涛   李杰   郑展   付文   Assignee: 格科微电子(上海)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种前照式CMOS图像传感器的形成方法,包括:依次形成器件层、多层金属层,所述器件层包括感光区域和非感光区域;形成顶层金属层,刻蚀顶层金属层形成预设图案;在感光区域和非感光区域上方依次形成第一阻挡层和介质层;研磨所述介质层,停止至所述非感光区域的第一阻挡层区域表面;在所述研磨后的表面上形成第二阻挡层;刻蚀所述感光区域的第二阻挡层、介质层至暴露出第一阻挡层表面;其中,通过第一阻挡层的阻挡,可以提高研磨和刻蚀工艺的均匀性,并在保证感光区域表面与非感光区域表面相对较低高度差的同时可以获得感光区域相对较短的光程。
164
CN105529342B
图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器
Publication/Patent Number: CN105529342B Publication Date: 2020-10-09 Application Number: 201510673228.1 Filing Date: 2015-10-16 Inventor: 安正查   罗承柱   李景镐   郑荣友   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括:光电二极管,被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷;存储二极管,被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷;以及存储栅极,被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
165
CN107482024B
固体摄像装置和电子设备
Grant
Publication/Patent Number: CN107482024B Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 201710220017.1 Filing Date: 2013-10-10 Inventor: 梅林拓   田谷圭司   井上肇   金村龙一   Assignee: 索尼公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置,其包括:第一半导体部,包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管;第二半导体部,包括第二布线层和多个晶体管,第一和第二半导体部被紧固在一起;第三半导体部,包括第三布线层,第二和第三半导体部被紧固在一起;以及第一导体,与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接,其中,第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸,第二导体还与第二布线层和第三布线层连接,第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧,且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。
166
CN107946335B
一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107946335B Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 201711415006.5 Filing Date: 2017-12-22 Inventor: 吴振兴   林刘毓   刘浩哲   吴绍懋   程子桓   翁良志   刘健群   丘立安   黃乾燿   戴体贤   Assignee: 成都先锋材料有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法,属于影像传感器技术领域。本发明的CMOS影像传感封装结构的制作方法的步骤中,先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面,将挡片晶片固定于透明基材的表面,然后对晶圆进行磨薄,这个过程中,透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力,因而能够将晶圆磨得更薄,CMOS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外,第二安装区具有保护胶层,保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线,整个CMOS影像传感封装结构寿命更长,使用效果更好。并且,制作过程中透明基材是在半导体厂进行的,洁净度更高,可以避免对CMOS影像传感封装结构的污染。
167
CN211743157U
电子装置
Grant
Publication/Patent Number: CN211743157U Publication Date: 2020-10-23 Application Number: 202020395061.3 Filing Date: 2020-03-25 Inventor: A·图尼耶   B·罗德里格斯·冈卡尔维斯   F·罗伊   Assignee: 意法半导体(克洛尔2)公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 提供了一种电子装置。光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的半导体区域和至少一个半导体壁。该至少一个半导体壁至少沿光电二极管的高度延伸并且部分地围绕该半导体区域。
168
CN106298819B
背照式影像感测器及其制作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN106298819B Publication Date: 2020-10-27 Application Number: 201510304134.7 Filing Date: 2015-06-04 Inventor: 谢丞聿   Assignee: 联华电子股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开一种背照式影像感测器及其制作方法,该背照式影像感测器包含有一基底、多个设置于该基底内的感光元件、多个用以隔离该多个感光元件的隔离结构、以及多个凸拱表面。该基底包含有一正面与一相对的背面,而该多个凸拱表面即形成于该基底的该背面,且该多个凸拱表面分别对应于一该感光元件。
169
CN106887441B
光电转换装置及信息处理装置
Grant
Publication/Patent Number: CN106887441B Publication Date: 2020-11-06 Application Number: 201611143924.2 Filing Date: 2016-12-13 Inventor: 和田洋一   池田一   郷田达人   太田径介   长谷川利则   小林昌弘   Assignee: 佳能株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及信息处理装置。一种半导体装置包括:第一光电二极管,其被布置在半导体基板中;第二光电二极管,其被布置在半导体基板中;电荷电压转换部,其连接到第一光电二极管的阴极和第二光电二极管的阳极,并且被构造为将与在第一光电二极管中生成的电子和在第二光电二极管中生成的空穴对应的电荷量转换为电压;以及信号生成部,其被构造为生成与电荷电压转换部的电压对应的信号。
170
CN108630714B
图像传感器及其形成方法、工作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108630714B Publication Date: 2020-11-03 Application Number: 201710173899.0 Filing Date: 2017-03-22 Inventor: 姚国峰   陆珏   张海芳   刘煊杰   Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司   中芯国际集成电路制造(北京)有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其形成方法、工作方法,其中,所述图像传感器包括:衬底,所述衬底包括相对的第一面和第二面,所述衬底包括感光区和连接区,所述感光区衬底中具有感光元件;位于所述感光区衬底第一面上的缓冲层;位于所述缓冲层上的金属网格,所述金属网格包括多条交错连接的金属线,所述金属线围成凹槽,所述金属网格用于连接工作电位;位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。其中,所述金属网格用于接工作电位,则所述金属网格能够在所述衬底中感生出电荷,所述金属网格在所述衬底中感生出的电荷能够阻挡所述感光元件产生的电荷与衬底中的缺陷复合,从而能够减小暗电流,改善所形成图像传感器的性能。
171
CN111863850A
一种深沟槽隔离栅格结构的制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN111863850A Publication Date: 2020-10-30 Application Number: 202010745346.X Filing Date: 2020-07-29 Inventor: 夏小峰   彭翔   Assignee: 上海华力微电子有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其像素结构,以及像素结构中的深沟槽隔离栅格结构的制造方法。上述的深沟槽隔离栅格结构的制造方法具体包括:提供堆叠层,上述堆叠层的顶部为硅外延层;在上述硅外延层中形成栅格状的多个深沟槽;在各个深沟槽中的侧壁和底部依次沉积第一隔离层和第二隔离层;以及在上述第二隔离层的上表面沉积填满各个深沟槽的第三隔离层,以使多个深沟槽中的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层构成多重隔离栅格。根据本发明所提供的制造方法所形成的深沟槽隔离栅格结构,能够有效降低相邻栅格之间的电子串扰,从而能够有效改进包含上述深沟槽隔离栅格结构的CMOS图像传感器及其像素结构的器件性能。
172
CN109638031B
一种高像素CIS晶圆级扇出型封装结构及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109638031B Publication Date: 2020-11-03 Application Number: 201811548617.1 Filing Date: 2018-12-18 Inventor: 孙亚楠   孙鹏   Assignee: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种高像素CIS晶圆级扇出型封装结构,包括:透明基板,所述透明基板具有芯片空腔和感光区域空腔;第一布线层,所述第一布线层设置在所述透明基板上表面和所述芯片空腔内表面;第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述透明基板上表面、所述芯片空腔内表面以及除焊盘之外的第一布线层;芯片焊接结构,所述芯片焊接结构设置在所述芯片空腔区域的所述第一布线层的焊盘上;CIS芯片,所述CIS芯片位于所述芯片空腔中,且倒装焊至所述芯片焊接结构;第二钝化层,所述第二钝化层覆盖所述CIS芯片背面和所述透明基板顶面;第二布线层,所述第二布线层与所述第一布线层电互连;以及外接焊球。
173
US2020350345A1
IMAGE PICKUP DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
Publication/Patent Number: US2020350345A1 Publication Date: 2020-11-05 Application Number: 16/758,547 Filing Date: 2018-10-26 Inventor: Hiramatsu, Katsunori   Assignee: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION   IPC: H01L27/146 Abstract: The present technology relates to an image pickup device and electronic apparatus that enables suppression of dark current. There are included: a photoelectric conversion unit configured to perform a photoelectric conversion; a trench engraved in a semiconductor substrate; a negative fixed charge film having an oxide film, a nitrogen film, and an oxide film on a side wall of the trench; and an electrode film formed in the fixed charge film, oxide film configuring the fixed charge film includes silicon monoxide (SiO), and the nitrogen film includes silicon nitride (SiN). The nitrogen film configuring the fixed charge film can also include a polysilicon film or a high dielectric constant film (high-k film). The resent technology can be applied to, for example, a back-illuminated CMOS image sensor.
174
US10840290B2
Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus
Publication/Patent Number: US10840290B2 Publication Date: 2020-11-17 Application Number: 16/555,067 Filing Date: 2019-08-29 Inventor: Umebayashi, Taku   Tatani, Keiji   Inoue, Hajime   Kanamura, Ryuichi   Assignee: Sony Corporation   IPC: H01L27/146 Abstract: A semiconductor device including a first semiconductor section including a first wiring layer at one side thereof, the first semiconductor section further including a photodiode, a second semiconductor section including a second wiring layer at one side thereof, the first and second semiconductor sections being secured together, a third semiconductor section including a third wiring layer at one side thereof, the second and the third semiconductor sections being secured together such the first semiconductor section, second semiconductor section, and the third semiconductor section are stacked together, and a first conductive material electrically connecting at least two of (i) the first wiring layer, (ii) the second wiring layer, and (iii) the third wiring layer such that the electrically connected wiring layers are in electrical communication.
175
CN108831896B
像素单元顶部的沟槽及其制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108831896B Publication Date: 2020-07-31 Application Number: 201810418160.6 Filing Date: 2018-05-04 Inventor: 宋辉   钱俊   Assignee: 上海华力集成电路制造有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种像素单元顶部的沟槽,像素单元形成于有源区中,在像素单元的周侧形成有多晶硅层,多晶硅层将像素单元的区域全部暴露;顶部介质层覆盖在像素单元和多晶硅层的表面;沟槽通过对顶部介质层的刻蚀形成,沟槽的底部区域的开口边界由多晶硅层的侧面自对准定义,保证沟槽的底部将像素单元的区域全部打开;沟槽的顶部区域的开口边界通过光刻定义,沟槽的顶部区域的开口大于沟槽的底部区域的开口;沟槽的刻蚀工艺以多晶硅层为停止层并使沟槽的顶部区域的开口边界落在多晶硅层上。本发明还公开了一种像素单元顶部的沟槽的制造方法。本发明能防止沟槽的刻蚀工艺对像素单元表面产生损伤,防止像素功能指标恶化。
176
US10804304B2
Image sensors
Publication/Patent Number: US10804304B2 Publication Date: 2020-10-13 Application Number: 16/114,453 Filing Date: 2018-08-28 Inventor: Noh, Hyun-pil   Lee, Chang-keun   Yu, Je-won   Lee, Kang-sun   Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.   IPC: H01L27/146 Abstract: Image sensors are provided. An image sensor includes a semiconductor substrate including a pixel region and an optical black region. The image sensor includes a plurality of photoelectric conversion regions in the pixel region. The image sensor includes a wiring structure on a first surface of the semiconductor substrate. The image sensor includes a light shielding layer on a second surface of the semiconductor substrate in the optical black region. Moreover, the image sensor includes a light shielding wall structure that is in the semiconductor substrate between the pixel region and the optical black region and that is connected to the light shielding layer.
177
US10804308B2
Image sensing device including noise blocking structure
Publication/Patent Number: US10804308B2 Publication Date: 2020-10-13 Application Number: 16/460,932 Filing Date: 2019-07-02 Inventor: Kim, Jong Eun   Kwak, Ho Young   Assignee: SK hynix Inc.   IPC: H01L27/146 Abstract: An image sensing device including a noise blocking structure is disclosed. The image sensing device includes a semiconductor substrate structured to support a plurality of image pixels producing signals response to received incident light, a logic circuit configured to process the signals read out from the image pixels, and a noise blocking structure coupled to the logic circuit to reduce a noise generated by the logic circuit. The noise blocking structure formed to extend in a straight line without any bending portion in a first direction, and to pass through the semiconductor substrate in a second direction that is perpendicular to the first direction.
178
US2020328243A1
IMAGING SYSTEMS WITH IMPROVED NEAR-INFRARED DETECTION PIXELS
Publication/Patent Number: US2020328243A1 Publication Date: 2020-10-15 Application Number: 16/460,715 Filing Date: 2019-07-02 Inventor: Micinski, Stanley   Borthakur, Swarnal   Assignee: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC   IPC: H01L27/146 Abstract: An imaging device may have an array of image sensor pixels that includes infrared image pixels. Backside and frontside reflectors may be incorporated into the infrared pixels to increase effective thicknesses of photosensitive regions within the pixels. In other words, light incident on each pixel may be reflected and traverse the photosensitive region multiple times, thereby allowing silicon in the photosensitive region to absorb infrared light more efficiently. The backside reflector may be interposed between the silicon and a microlens, which may have a toroidal shape to direct light around the backside reflector. If desired, the toroidal lens may have a concave opening. Alternatively, the backside reflector may be ring-shaped, and a spherical microlens may focus light through a center portion of the reflector. A top surface of the silicon layer may be curved to focus light toward the center of the photosensitive region and improve pixel efficiency.
179
CN107039480B
固体摄像器件和电子装置
Grant
Publication/Patent Number: CN107039480B Publication Date: 2020-09-18 Application Number: 201710057336.5 Filing Date: 2012-04-28 Inventor: 山口哲司   Assignee: 索尼半导体解决方案公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了摄像器件和包括该摄像器件的电子装置。所述摄像器件包括:基板,其具有第一侧和作为光入射侧的第二侧;光电转换膜,其布置在基板的第二侧的上方;第一接触端子,其位于像素阵列区域处,使得经由第一接触端子将光电转换膜的电荷传输到第一浮动扩散单元;第二接触端子,其位于像素阵列区域的周边区域处,使得经由第二接触端子将第一电压施加到遮光金属;以及第三接触端子,其位于像素阵列区域的周边区域处,使得经由第三接触端子将第二电压施加到光电转换膜的上部电极。根据本发明,能够减小由于光电转换膜与光电转换层在入射光的光轴方向上的布置位置的差异所引起的灵敏度相对于F值的变化,所以能够降低各颜色的灵敏度的F值依赖。
180
CN104517984B
固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备
Grant
Publication/Patent Number: CN104517984B Publication Date: 2020-09-18 Application Number: 201410520764.3 Filing Date: 2014-09-30 Inventor: 原沢正规   关勇一   狭山征博   Assignee: 索尼公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本技术提供了能够保持焦点检测的精度且抑制图像的图像质量劣化的固体摄像装置、固体摄像装置制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括多个像素,所述多个像素包括用于生成摄取图像的摄像像素和用于检测焦点的焦点检测像素。在该固体摄像装置中,所述焦点检测像素包括:微透镜;接收从所述微透镜入射的光的光电转换部;遮挡入射到所述光电转换部上的光的一部分的遮光部;以及调暗入射到所述光电转换部上的光并且被形成为含有黑色颜料的调暗滤光片。本技术能够被应用于例如CMOS图像传感器。