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1
CN109713001B
一种X射线平板探测器及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109713001B Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201811454893.1 Filing Date: 2018-11-30 Inventor: 杨华   Assignee: 上海奕瑞光电子科技股份有限公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了一种X射线平板探测器及其制备方法。X射线平板探测器包括:基底,该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域;反射层,涂覆于所述基板下表面;Frit封装层,形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上;闪烁体层,形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上;黏胶层,覆盖于所述可见光传感器表面;可见光传感器,位于所述Frit封装层上,与所述基板平行设置;其中,所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。通过Frit封装闪烁体层,改善X射线平板探测器的封装密封性,提高在高温高湿环境条件下的可靠性和延长寿命。
2
CN112289876A
一种封装光窗金属管壳结构
Public
Publication/Patent Number: CN112289876A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011240561.0 Filing Date: 2020-11-09 Inventor: 赵延民   冯广智   李军   Assignee: 珠海市镭通激光科技有限公司   IPC: H01L31/0232 Abstract: 本发明公开了一种封装光窗金属管壳结构,其技术方案的要点是包括有底座,在底座上设有竖直的管桶,在所述管桶的中部设有贯穿所述底座的通光孔。本专利的光窗金属管壳,可解决传统TO管壳上部内凹边沿区域的挡光问题,提高光电器件的光利用率。在制作封装光窗时,将窗口透镜置于金属管壳上方,可兼容多种光窗透镜,如平窗、半球状、非球面、菲涅耳透镜等透镜结构,实现不同出光光效、出光角度等应用需求。减少金属件模具开设数量,节省制造及维护费用和时间,极大节省产品系列开发成本和周期,易于批量、标准化生产。
3
CN112289870A
用于高速率光信号接收的探测器芯片组件
Public
Publication/Patent Number: CN112289870A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011299853.1 Filing Date: 2020-11-19 Inventor: 王中和   刘小红   Assignee: 欧润光电科技(苏州)有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本发明公开了一种用于高速率光信号接收的探测器芯片组件,包括:一探测器芯片;一TIA;至少两根引线,连接所述TIA的输出端,用于实现与外部电路的连接;一电容,位于所述探测器芯片与所述TIA之间;所述电容的一端与所述探测器芯片共地;所述电容与所述TIA并联;以及至少两段金线,第一金线连接所述探测器芯片与所述电容,第二金线连接所述电容与所述TIA。本发明的探测器芯片将接收的高速调制的光信号转换成电信号,电信号通过电感电容输入到TIA,经TIA放大后通过引线输入到外部电路。通过选择合适的电感和电容,本发明可以大大增大探测器芯片的有效接收带宽,从而利用低成本和低带宽探测器芯片实现高速光信号的接收。
4
CN112289869A
一种光电二极管制造用胶体快速注入装置
Public
Publication/Patent Number: CN112289869A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011115636.2 Filing Date: 2020-10-19 Inventor: 张月荣   Assignee: 粤融(广州)科技有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本发明提供一种光电二极管制造用胶体快速注入装置,所述支杆的顶端活动安装在调节架的底部,且支杆的末端固定安装在底架的外端,所述底架的顶端固定安装在模座的下表面,且底架的底端贴合有滑块,所述滑块的外表面固定连接有压缩弹簧,且滑块的内端贴合有推板,所述推板的内侧表面设置有储胶囊,所述储胶囊与模座之间通过连接管固定连接。在活动板向下移动时,调节架的外端向上,从而带动支杆底端的底架向上移动,在底架移动至顶端时,胶体模盖与模座重合后,底架底端与滑块的斜槽脱离后,通过压缩弹簧的推力推动滑块与推板,从而挤压储胶囊挤入胶槽的内部进行注胶,形成胶体,保证注胶成型后的胶体表面处于同一水平线,同时能够快速注胶。
5
CN212542454U
一种钙钛矿电池组件的封装结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212542454U Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202021522188.3 Filing Date: 2020-07-28 Inventor: 黄志锋   蔡龙华   刘志赛   钱家栋   马英壮   田清勇   范斌   Assignee: 昆山协鑫光电材料有限公司   苏州协鑫纳米科技有限公司   IPC: H01L31/048 Abstract: 本实用新型揭示了一种钙钛矿电池组件的封装结构。所述钙钛矿电池组件的封装结构包括钙钛矿电池单元以及相互配合的第一基板和第二基板;第一基板与第二基板通过密封结构环绕密封连接,从而在第一基板与第二基板之间围合形成密闭腔室,钙钛矿电池单元被封装于密闭腔室内;其中,密封结构包括形成在与第一基板边缘邻近区域内的一个以上环形的相对突起部和形成在与第二基板边缘邻近区域内的一个以上环形的相对凹陷部,相对突起部至少局部嵌入相应的相对凹陷部。本实用新型提供的钙钛矿电池组件的封装结构,通过在基板边缘邻近环形区域增加相互嵌套插入结构,能够有效延长水气进入钙钛矿电池内部的路径,提高钙钛矿电池组件的稳定性。
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CN212517218U
一种散热良好的光电子器件
Grant
Publication/Patent Number: CN212517218U Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 202021556599.4 Filing Date: 2020-07-30 Inventor: 孙山峰   Assignee: 无锡新仕嘉半导体科技有限公司   IPC: H01L31/024 Abstract: 本实用新型公开了一种散热良好的光电子器件,包括底座,所述底座的上端两侧均竖直固定连接有多个液压减震器,多个所述液压减震器的上端固定连接有冷却壳体。本实用新型中,本装置通过散热鳍片将光电子器件产生的一部分热量进行吸收传导,从而散发到空气内进行散热,通过蜂窝散热板吸收一部分热量传递给冷却管,再通过微型水泵将储液箱内的冷却液由第一连接管、出液管泵入到冷却管内,冷却液对热量进行吸收,由回流管进入到储液箱内,形成一个循环,从而可以高效的对光电子器件产生的热量进行吸收,设置的液压减震器可以减少底部震动对光电子器件的影响。
7
CN212542448U
一种同轴封装的半导体光探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN212542448U Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202021404960.1 Filing Date: 2020-07-16 Inventor: 李国英   Assignee: 上海矽昊电子技术有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本实用新型公开了一种同轴封装的半导体光探测器,包括基板,所述基板的上表面螺纹连接有罩壳,所述罩壳的上表面中心固接有透镜,所述基板的上表面设有接头,所述接头的内部设有引脚,所述引脚的顶端连接有贴片台。该同轴封装的半导体光探测器,通过基板、罩壳、透镜、接头、引脚、贴片台、半导体光探测器芯片和保质机构之间的配合,同时通过圆形坡槽将引脚与金属盘之间进行焊接,即可完成对半导体光探测器芯片与基板之间的对接安装,期间半导体光探测器芯片与透镜之间的距离较为容易进行把控,利于装配人员进行高效作业进行,不易出现探测器灵敏性欠缺情况出现,使得产品的质量得以保障。
8
CN212277201U
双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN212277201U Publication Date: 2021-01-01 Application Number: 202021459571.9 Filing Date: 2020-07-22 Inventor: 李志强   杨强   马万雄   刘司英   周议如   熊鑫   Assignee: 成都鹰谷米特科技有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本实用新型公开双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器,属于探测器技术领域,包括L型安装板,所述L型安装板的顶部固定有固定板,且固定板的顶部开设有第一滑槽,所述第一滑槽的内部滑动安装有第一滑块,所述第一滑块的顶部固定有支撑板,且支撑板的顶部铰接有硅漂移探测器本体。本实用新型第一滑槽内部第一螺杆的设置,通过第一螺杆与第一滑块螺纹连接,随着第一螺杆的转动,能够带动硅漂移探测器本体在水平方向上进行平移,方便对探测头进行伸缩,方便在不使用时进行隐藏,确保了使用的安全性,第二滑块顶部第三滑槽的设置,通过第三滑槽内部的第二螺杆、第三滑块配合支撑杆进行使用,能够对探测头的角度进行调节,实用性更高。
9
EP3782198A1
COMMUNICATING SENSOR FOR A HOME AUTOMATION SYSTEM, AND HOME AUTOMATION SYSTEM COMPRISING SUCH A SENSOR
Publication/Patent Number: EP3782198A1 Publication Date: 2021-02-24 Application Number: 19720512.3 Filing Date: 2019-04-19 Inventor: Clery, Sébastien   Prevoteau, Mathieu   Assignee: Somfy Activites SA   IPC: H01L31/0203
10
CN212392251U
一种高功率低噪声的光电探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN212392251U Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 202021522813.4 Filing Date: 2020-07-28 Inventor: 徐善辉   杨昌盛   赵齐来   Assignee: 横琴东辉科技有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本实用新型公开一种高功率低噪声的光电探测器其特征在特征在于所述光电探测器包括基座、外壳、电路板、电源接口、滤波电容、运算放大器、精密电阻、光电二极管和信号输出接口,电路板上设置有滤波电容、运算放大器、光电二极管和精密电阻,电源接口和信号输出接口设置于电路板上;外壳盖装于基座上构成容置空间,侧边开设有两个孔;所述外壳上端还设有进光口,所述进光口上设有保护盖;电路板设置于容置空间内,通过在大光敏面光电二极管的底部增加半导体制冷片结合精密电阻的温控系统,实现恒定低温工作环境,有效降低光电探测器在大功率激光信号探测时所引起的热噪声成分,提高测试信号的工作稳定性和精确性。
11
CN112289884A
一种激光冗余的光电集成电路
Public
Publication/Patent Number: CN112289884A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011254632.2 Filing Date: 2020-11-11 Inventor: 冯大增   王奕琼   梁虹   武爱民   Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所   IPC: H01L31/12 Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种激光冗余的光电集成电路。该光电集成电路包括激光器和多模干涉器,激光器的数量为N个,N为大于等于2的整数;多模干涉器包括输入端和至少两个输出端,输入端的数量为M个,M为大于等于N的整数;N个激光器与该M个输入端中的N个输入端一一对应波导连接;多模干涉器用于当N个激光器中存在L个激光器故障时,将剩余N‑L个非故障的激光器确定为目标激光器,并利用目标激光器对应的N‑L个输入端接收该目标激光器产生的光,并将接收到的该光均等分配到该至少两个输出端,L为小于N的自然数。从而使得本发明提供的光电集成电路具有可靠性高和成本低的优点。
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US2021005761A1
OPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Publication/Patent Number: US2021005761A1 Publication Date: 2021-01-07 Application Number: 16/503,318 Filing Date: 2019-07-03 Inventor: Tsai, Yu-pin   Tsai, Tsung-yueh   Lee, Teck-chong   Assignee: Advanced Semiconductor Engineering, Inc.   IPC: H01L31/02 Abstract: An optical device includes a first circuit layer, a light detector, a first conductive pillar and an encapsulant. The first circuit layer has an interconnection layer and a dielectric layer. The light detector is disposed on the first circuit layer. The light detector has a light detecting area facing away from the first circuit layer and a backside surface facing the first circuit layer. The first conductive pillar is disposed on the first circuit layer and spaced apart from the light detector. The first conductive pillar is electrically connected to the interconnection layer of the first circuit layer. The encapsulant is disposed on the first circuit layer and covers the light detector and the first conductive pillar. The light detector is electrically connected to the interconnection layer of the first circuit layer through the first conductive pillar. The backside surface of the light detector is exposed from the encapsulant.
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CN112259634A
光学装置及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112259634A Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 202010625596.X Filing Date: 2020-07-02 Inventor: 陈仁君   Assignee: 日月光半导体制造股份有限公司   IPC: H01L31/12 Abstract: 本发明提供一种光学装置,其包含衬底、光接收组件、封装物、耦合层及光屏蔽层。所述光接收组件安置于所述衬底上。所述封装物覆盖所述光接收组件。所述耦合层安置于所述封装物的至少一部分上。所述光屏蔽层安置于所述耦合层上。
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EP3762970A1
OPTOELECTRONIC MODULES AND WAFER-LEVEL METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME
Publication/Patent Number: EP3762970A1 Publication Date: 2021-01-13 Application Number: 19710812.9 Filing Date: 2019-02-27 Inventor: Yu, Qi Chuan   Rudmann, Hartmut   Wang, Ji   Leong, Kam Wah   Ng, Kim Lung   Assignee: AMS Sensors Singapore Pte. Ltd.   IPC: H01L31/0203
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CN112397594A
一种光电探测器及其制作方法
Publication/Patent Number: CN112397594A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202011218910.9 Filing Date: 2020-11-04 Inventor: 余长亮   Assignee: 烽火通信科技股份有限公司   武汉飞思灵微电子技术有限公司   IPC: H01L31/0203 Abstract: 本发明涉及半导体集成电路技术领域,提供了一种光电探测器及其制作方法。光电探测器区包括与N极相连的半月环形n+扩散区、与P极相连的环形p+扩散区和受光区;其中,受光区位于所述环形p+扩散区的环腔内,所述半月环形n+扩散区设置在与所述环形p+扩散区外环相差指定距离位置;电阻区包括电阻和R极,其中,电阻的两端分别连接R极和光电探测器的N极;其中,R极用于连接给光电探测器供电的管脚VAPD;光电探测器的N极还用于连接第一电容后,由第一电容的另一端完成接地,以便对管脚VAPD输入供电信号进行滤波。本发明解决了10G接入终端设备的光接收灵敏度因5G WiFi串扰而显著劣化的问题。
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CN109524479B
一种半导体芯片封装方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109524479B Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 201811341256.3 Filing Date: 2018-11-12 Inventor: 俞国庆   Assignee: 通富微电子股份有限公司   IPC: H01L31/0216 Abstract: 本申请公开了一种半导体芯片封装方法,所述封装方法包括:提供芯片,所述芯片包括正面和背面,所述芯片的正面设置有感光区和位于感光区周围的焊盘,且所述芯片的正面形成有透明保护层,所述透明保护层覆盖所述芯片的所述感光区和所述焊盘;在所述芯片的背面对应所述焊盘的位置形成通孔,且所述焊盘与所述通孔一一对应,以使得所述焊盘从所述通孔中露出;将所述芯片的所述焊盘透过所述通孔与电路板电连接。通过上述方式,本申请能够提高芯片的感光效果。
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CN112382693A
光电传感器感应对管
Public
Publication/Patent Number: CN112382693A Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202011086693.2 Filing Date: 2020-10-12 Inventor: 陈智军   Assignee: 深圳市诚强光电数码有限公司   IPC: H01L31/16 Abstract: 本发明涉及光电传感器技术领域,特指一种光电传感器感应对管;本发明包括屏蔽盖、基板,基板的正反两面具有平面线路,基板正面配有接收晶元、发射晶元,接收晶元、发射晶元分别配有金线,接收晶元外罩有接收黑胶,发射晶元外罩有发射透明胶,接收黑胶、发射透明胶外盖有屏蔽盖;本发明通过将接收晶元、发射晶元分别焊接于基板的正面,基板的背面采用平面引脚,从而使产品整体结构简洁,包装方便,而且能够直接批量生产,生产效率高,同时,后续组装线路板时,可以采用贴片式回流焊加工生产,提高后续组装生产的效率。
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CN110970509B
背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110970509B Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 201811143763.6 Filing Date: 2018-09-28 Inventor: 苏艳梅   张冶金   种明   孙捷   孙秀艳   Assignee: 中国科学院半导体研究所   IPC: H01L31/02 Abstract: 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法,该方法由以下步骤实现:用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上;用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上;用焊锡将引出线焊在陶瓷片上;用螺丝将热沉固定在金属适配器上;用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上;将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上,从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合,实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装,因为和面阵器件采用相同的光耦合方式,因此可以更精确的预估面阵器件的特性。
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EP3780120A1
OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE
Publication/Patent Number: EP3780120A1 Publication Date: 2021-02-17 Application Number: 19191268.2 Filing Date: 2019-08-12 Inventor: Pertl, Patrik   Eilmsteiner, Gerhard   Assignee: AMS AG   IPC: H01L31/0203 Abstract: An optoelectronic device (1) comprises a substrate (2) with a photosensitive structure (4), a dielectric layer (5) on a main surface (3) of the substrate (2), the dielectric layer (5) having a top surface (6) facing away from the substrate (2). At least one wiring layer (7) is arranged in the dielectric layer (5) in places and at least one contact area (9) is formed by a portion of the at least one wiring layer (7). An opening (11) is formed at the top surface (6) of the dielectric layer (5), the opening (11) extending towards the contact area (9). An optical element (12) is arranged on the top surface (6) of the dielectric layer (5) above the photosensitive structure (4) and an optical filter (13) is arranged on the top surface (6) of the dielectric layer (5), the optical filter (13) being electrically conductive, covering a portion of the optical element (12) and being in electrical contact with the contact area (9). Furthermore, a method for producing an optoelectronic device (1) is provided.
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CN212648250U
一种光敏晶体管的感光组件及光敏晶体管
Grant
Publication/Patent Number: CN212648250U Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202021341625.1 Filing Date: 2020-07-09 Inventor: 朱洪杰   刘琦   党巍   Assignee: 沈阳中光电子有限公司   IPC: H01L31/0232 Abstract: 本实用新型公开了一种光敏晶体管的感光组件及光敏晶体管,该感光组件包括设有凹槽的支架,所述凹槽内容置有芯片,所述凹槽的内周壁与所述芯片的外周壁相对设置;所述凹槽的内周壁的表面为反射面;所述芯片的上表面和外周壁表面为感光区域。本公开的感光组件的芯片的上表面和外周壁表面均为感光区域,从而增加了感光组件的光线接收区域,并且利用凹槽内周壁的反射面,可将射入凹槽内的部分光线反射至芯片的外周壁表面所形成的感光区域上,这样就增加了芯片所接收的光线,从而使芯片产生更大的感光电流,进而在相同的放大倍数的情况下,能够产生更大的输出电流,这样既避免了制备材料选取的难度的问题,又降低了成本,满足实际需求。
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