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1
CN112382676A
基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112382676A Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202011176805.3 Filing Date: 2020-10-29 Inventor: 张宪民   单译琳   陈炀   李凯   Assignee: 华南理工大学   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可以获得宽度更加稳定,具有更高精、更高高宽比的栅线。
2
CN110379866B
基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池
Grant
Publication/Patent Number: CN110379866B Publication Date: 2021-04-06 Application Number: 201910568118.7 Filing Date: 2019-06-27 Inventor: 富容国   张嘎   何苗   宁传旺   陈浩   周岗   钱芸生   刘磊   张俊举   张益军   邱亚峰   Assignee: 南京理工大学   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池,包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极,所述阳极采用GaN基材料,所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层,其中AlN缓冲层生长在衬底层上;n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层,在阳极内部形成一个内建电场,增大了电子在阳极内部的输运速率,提高了电子收集能力,抑制阳极材料的噪声电流,实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。
3
CN112352321A
太阳能电池及太阳能电池的制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112352321A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201980043029.9 Filing Date: 2019-06-22 Inventor: 新井杰也   菅原美爱子   小林贤一   小宫秀利   松井正五   锦织润   Assignee: 亚特比目有限会社   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明有关太阳能电池及太阳能电池的制造方法,其目的为将焊带直接焊接到基板背面的铝电极的孔的一部分上,并且以从孔的边缘稍微突出于铝电极的上侧的方式进行焊接,以增加转换效率并提高背面的焊带的固定强度,且在焊带和基板之间无Ag图案以防止转换效率的降低,并且防止因温度循环测试导致的转换效率的降低。本发明的结构构成为:在基板的整个背面上形成铝电极之后在电极的一部分形成孔、或者形成在基板的整个背面的一部分已形成有孔的铝电极,在孔的内部的基板上直接进行焊接之后焊接焊带、或者将焊带直接焊接到孔的内部的基板上,并且以从孔的边缘突出于铝电极的上侧0.1mm以上的方式进行焊接。
4
CN212303685U
晶体硅太阳能电池背电极图形结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212303685U Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202021944340.7 Filing Date: 2020-09-08 Inventor: 张原   周超   高纪凡   陈红   李森   Assignee: 天合光能股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型属于光伏发电技术领域,尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构,包括位于电池背面上的电极图形,所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点,所述的主栅和pad点为银浆料层,所述的副栅为铝浆料层。本实用新型提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆,增加了pad点数量,设计了副栅汇流条,加强了主栅导流能力,有利于提升短路电流,降低串联电阻,从而提升了组件功率,减少了内部电损耗。同时,为了降低工艺精度要求,设计了副栅渐变加粗结构,保证了副栅基体和pad点的良好接触。
5
CN212725328U
一种提升叠瓦组件CTM的电池片结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212725328U Publication Date: 2021-03-16 Application Number: 202021750305.1 Filing Date: 2020-08-20 Inventor: 王韫清   从海泉   姜昀   王鹏   马擎天   Assignee: 环晟光伏(江苏)有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开了一种提升叠瓦组件CTM的电池片结构,在电池片(1)上设有主栅线(2),其特征在于主栅线(2)的曲率为0.4mm,所述曲率为波谷(3)的切线与波峰(4)的切线之间的水平距离。本实用新型增大正弦波曲率,能有效增大pad点导电胶之间的粘接面积,粘接越充分,可靠性越稳定。新曲率设计结合组件overlap减小,可有效提升电池片焊接处的遮挡面积,增加电池片的受光面积,提升组件CTM。
6
CN112563346A
一种电极结构
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112563346A Publication Date: 2021-03-26 Application Number: 202011449819.8 Filing Date: 2020-12-09 Inventor: 李淼峰   张宇光   王磊   肖希   Assignee: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司   武汉邮电科学研究院有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本申请实施例公开了一种电极结构,包括:行波电极和屏蔽结构;所述行波电极位于所述屏蔽结构形成的半封闭空间内;其中,所述屏蔽结构包括第一部分屏蔽结构和第二部分屏蔽结构,所述第一部分屏蔽结构和所述第二部分屏蔽结构之间具有开口,从而形成半封闭空间。
7
CN212517217U
一种太阳能电池的栅线结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212517217U Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 202021448846.9 Filing Date: 2020-07-21 Inventor: 余建良   李祥   顾辉   李健   Assignee: 浙江鸿禧能源股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池的栅线结构,太阳能电池包括有边框、多根纵向排列的主栅电极、多根横向排列的细栅电极,细栅电极分别与主栅电极相交,细栅电极的两端分别连接边框,主栅电极的两端分别连接边框,相邻主栅电极之间设有若干列防段栅,每一列防段栅由若干防段栅在同一直线上间隔排列构成,防段栅的两端分别连接两个相邻的细栅电极,主栅电极的两侧边缘分别设有若干均匀间隔排列的开口。本实用新型的太阳能电池的栅线结构,通过主栅电极两侧的开口,主栅面积减少,节约了主栅电极银浆用量,电池受光面积增加;主栅电极两侧边长增加,主栅电极两侧的银浆高度高于其它区域,故主栅电极整体焊接拉力无影响。
8
US2021066518A1
METALLIZATION METHOD FOR A SEMICONDUCTOR WAFER
Publication/Patent Number: US2021066518A1 Publication Date: 2021-03-04 Application Number: 17/007,711 Filing Date: 2020-08-31 Inventor: Koestler, Wolfgang   Hagedorn, Benjamin   Assignee: AZUR SPACE Solar Power GmbH   IPC: H01L31/0224 Abstract: A metallization method for a semiconductor wafer having at least the steps: providing a semiconductor wafer having a top side and a bottom side and comprising a plurality of solar cell stacks, wherein each solar cell stack has a Ge substrate forming the bottom side of the semiconductor wafer, a Ge subcell, and at least two III-V subcells in the order mentioned, as well as at least one through-hole, extending from the top side to the bottom side of the semiconductor wafer, with a continuous side wall and a circumference that is oval in cross section, applying a photoresist layer in certain areas as a resist pattern by means of a printing method to the top side and/or to bottom side of the semiconductor wafer, applying a metal layer in a planar manner to exposed regions of the surface of the semiconductor wafer.
9
CN212934624U
一种MWT太阳电池正面电极结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212934624U Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 202021821009.6 Filing Date: 2020-08-27 Inventor: 李旭智   职森森   吴仕梁   路忠林   张凤鸣   Assignee: 江苏日托光伏科技股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开一种MWT太阳电池正面电极结构,所述电极结构包括细栅线、主栅线、电极点;所述细栅线在电池正面均匀细密分布,所述主栅线在电极点位置处交汇,顶角呈锐角;所述主栅线在电极点交汇处线宽最宽,远离电极点位置逐渐变细。本实用新型在MWT太阳电池上采用平行细栅设计,解决回字形细栅与边缘呈45°角,印刷方向无法与细栅平行,印刷难度大的问题;同时对主栅重新设计,增加辨识度,以区别常规电池。
10
CN107408584B
光伏太阳能电池
Grant
Publication/Patent Number: CN107408584B Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 201680014291.7 Filing Date: 2016-03-18 Inventor: 卡琳·克劳斯   F·弗蒂格   R·普罗伊   乌尔里希·耶格尔   S·维尔纳   S·瑞恩   Assignee: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明涉及光伏太阳能电池,其具有至少一个半导体层、至少一个电绝缘的绝缘层和至少一个金属的触点接通结构,其中该绝缘层设置在所述半导体层与触点接通结构之间,且该绝缘层具有多个触点接通缺口,该触点接通结构在触点接通缺口与半导体层在触点接通区中形成电接触,其中在该半导体层中至少在触点接通区分别通过给半导体层掺杂金属而形成一个掺杂区,该触点接通结构至少部分由所述金属构成。本发明的特点是,该触点接通结构有多个触指,每个触指在多个触点接通区上和/或沿多个触点接通区延伸,其中该触指在触点接通区具有局部的横截面增大。
11
CN110190140B
可溶性掩膜真空镀制备光伏电池栅线电极的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110190140B Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 201910463558.6 Filing Date: 2019-05-30 Inventor: 朱学林   Assignee: 江苏欧达丰新能源科技发展有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明公开了一种可溶性掩膜真空镀制备光伏电池栅线电极的方法,用可水溶的镂空掩膜,贴在光伏电池表面,然后在放入真空镀膜设备中,镀上一层金属电极膜层后,揭下镂空掩膜,光伏电池表面留下金属栅线电极。镂空掩膜可以多次使用,达到使用次数后,该镂空掩膜放入水中溶解掩膜,得到要回收的金属,经过清洗后,可以重新用于镀膜靶材的制作。本发明专利的栅线加工材料种类范围广,可以是银、铜、铝等;栅线电极的厚度、宽度可控;栅线电极的材料致密性好,和电池表面的结合强度高。另外,通过可溶性掩膜还可以对多余的沉积金属进行回收和重新利用,大幅度节约了成本。
12
CN212934625U
一种PERC双面电池背面主栅结构
Grant
Publication/Patent Number: CN212934625U Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 202021822210.6 Filing Date: 2020-08-27 Inventor: 廖光明   徐建华   吴仕梁   Assignee: 江苏日托光伏科技股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开一种PERC双面电池背面主栅结构,所述主栅结构包括若干条直主栅线,每条直主栅线上分布6个背电极3;所述直主栅线分为中间段2和端部段1两段,中间段2为两端背电极之间的直主栅线,所述6个背电极3对称分布直主栅的端部段1上;所述背电极部分呈长的回字型,其中回字内部区域印刷银浆或银铝浆,外部区域印刷铝浆。实用新型通过优化PERC双面电池背面主栅结构,可以解决组件EL测试时在两端背电极外侧区域的暗线问题。
13
CN212783468U
一种PERC电池的铝背场结构
Publication/Patent Number: CN212783468U Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202021067392.0 Filing Date: 2020-06-11 Inventor: 刘海金   顾生刚   江中强   Assignee: 天津爱旭太阳能科技有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开了一种PERC电池的铝背场结构,包括第一铝层和第二铝层,第一铝层主要由若干条覆盖在电池背面激光开槽上的铝带组成,第二铝层铺满整个电池背面且覆盖在第一铝层上与之连接,其中,第一铝层的铝空洞比例为0~10%,第二铝层的体电阻率为0.5~3Ω·cm。本实用新型第一铝层和第二铝层采用两种不同的铝浆,第一铝层将电荷从硅片开槽处传输到第二铝层,可形成良好欧姆接触,有利于从开槽处的硅片上吸收电荷;第二铝层浆料的体电阻率低,有利于第二铝层将电荷从第一铝层传输到背电极处。因此,本实用新型铝背兼顾了开槽处低的铝空洞比例和低电阻率,使得电荷传输顺畅,利于电流收集,提高电池电性能。
14
CN109728107B
一种太阳能电池组件
Grant
Publication/Patent Number: CN109728107B Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201711044637.0 Filing Date: 2017-10-31 Inventor: 王娟   郭志球   金浩   Assignee: 浙江晶科能源有限公司   晶科能源有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池组件,电池片受光侧中位于任一短边部的表面与沿所述电池片长边方向相邻的电池片的背光侧中位于另一短边部的表面交叠接触,以串联构成所述电池串,即电池片之间通过短边重叠的方式相互串联,可以有效降低电池片之间重叠部分的面积,从而有效降低电池片之间的电流损失,同时增加了有效光吸收面积,可以提高发电量;并且通常情况下电池片的短边并非为切割面,将电池片短边重叠不会有隐裂,破片等风险,可以有效提高太阳能电池组件的良品率。
15
CN112352320A
太阳能电池及太阳能电池的制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112352320A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201980042980.2 Filing Date: 2019-06-22 Inventor: 新井杰也   菅原美爱子   小林贤一   小宫秀利   松井正五   锦织润   Assignee: 亚特比目有限会社   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明有关太阳能电池及太阳能电池的制造方法,其目的为直接焊接到基板(1)的背面的铝电极(2)的孔的一部分上,并且以突出于铝电极(2)之上0.1mm以上的方式进行焊接,以提高转换效率并获得足够的固定强度。本发明的结构构成为:在基板(1)的整个背面上形成铝电极(2)之后在电极的一部分形成孔、或者形成在基板(1)的整个背面的一部分中已形成有孔的铝电极(2),在孔的内部的基板(1)上进行焊接,并且以从该孔的边缘突出于铝电极(2)的上侧0.1mm以上的方式进行焊接,且使电子分别从焊接过的孔的内部的基板(1)的部分及从孔的边缘突出0.1mm以上的铝电极(2)的部分流入来增加太阳能电池的转换效率。
16
CN112531039A
一种双面电池的背面电极和双面电池
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112531039A Publication Date: 2021-03-19 Application Number: 202011302139.3 Filing Date: 2020-11-19 Inventor: 黄卓   蒋秀林   尹海鹏   Assignee: 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明公开了一种双面电池的背面电极和双面电池,属于太阳能技术领域,解决了现有技术中主栅线对电池的遮挡导致照射在主栅线上光线不能被电池吸收、影响双面电池的光电转换效率的问题。本发明的背面电极包括主栅线、与主栅线垂直的副栅以及多列焊点,每列焊点中,相邻两个焊点通过主栅线连接,多根主栅线平行设置,同一主栅线在宽度上为渐变结构和/或同一主栅线在厚度上为渐变结构。本发明的背面电极和双面电池可用于太阳能电池。
17
CN212848424U
太阳能电池
Grant
Publication/Patent Number: CN212848424U Publication Date: 2021-03-30 Application Number: 202022261656.2 Filing Date: 2020-10-12 Inventor: 李兵   刘娜   杨慧   邓伟伟   蒋方丹   Assignee: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司   阿特斯阳光电力集团股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池,包括硅基底、依次设置在所述硅基底一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的介质层与金属电极;所述金属电极包括贯穿所述介质层并与所述掺杂多晶硅层相接触的底层电极、层叠设置在所述底层电极上的顶层电极。本申请太阳能电池通过将至少部分金属电极设置由底层电极与顶层电极共同构成,保证电池钝化与电性传输性能,减少金属电极与掺杂多晶硅层的接触面积与复合损失,也降低浆料耗量与原料成本。
18
CN212934623U
一种回字型主栅辅助线MWT太阳能电池背面板
Grant
Publication/Patent Number: CN212934623U Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 202021124430.1 Filing Date: 2020-06-17 Inventor: 刘锐   李旭智   职森森   吴仕梁   路忠林   张凤鸣   Assignee: 江苏日托光伏科技股份有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本实用新型公开一种回字型主栅辅助线MWT太阳能电池背面板,所述背面板采用回字主栅辅助线以及铝栅线的形式,将MWT太阳能电池的正极点相连通;所述背面板上设有主栅,所述主栅经过一排或一列正极点,所述主栅在经过两个端部的正极点时,是渐变式的形状;所述回字主栅辅助线的两个相对的顶点为相邻的正极点,另两个相对的顶点为负极点;所述背面板的边缘采用分枝状栅线结构。本实用新型字型主栅辅助线MWT太阳能电池背面板设计可有效解决该变化带来的风险,实现MWT电池成本降低,推动薄片化、大片化发展。
19
EP3138132B1
BONDS FOR SOLAR CELL METALLIZATION
Publication/Patent Number: EP3138132B1 Publication Date: 2021-03-17 Application Number: 15786330.9 Filing Date: 2015-04-23 Inventor: Sewell, Richard Hamilton   Ngamo, Toko Michel Arsène Olivie   Moors, Matthieu   Moschner, Jens Dirk   Assignee: SunPower Corporation   Total Marketing Services   IPC: H01L31/0224
20
CN112466965A
具有延伸电极的背接触太阳能电池片及太阳能电池组件
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112466965A Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 202011307889.X Filing Date: 2020-11-19 Inventor: 徐孟雷   杨洁   郑霈霆   张昕宇   金浩   Assignee: 晶科绿能(上海)管理有限公司   浙江晶科能源有限公司   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明实施例提供一种具有延伸电极的背接触太阳能电池片及太阳能电池组件,具有延伸电极的背接触太阳能电池片包括:基底区,基底区包括面向太阳的受光面和与受光面相对的背光面;正电极和负电极,位于基底区的背光面;在垂直于基底区的厚度方向上,基底区包括核心区和位于核心区相对两侧的连接区;延伸正极,位于连接区的受光面和/或侧面,且与正电极电连接;延伸负极,位于连接区的受光面和/或侧面,且与负电极电连接;本发明实施例旨在提供一种背接触太阳能电池片的结构,以便于后续形成太阳能电池组件,且形成的太阳能电池组件获取较大的受光面积。
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