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1
EP3799136A1
MONOLITHIC MULTI-JUNTION SOLAR CELL WITH EXACTLY FOUR SUBCELLS
Publication/Patent Number: EP3799136A1 Publication Date: 2021-03-31 Application Number: 19000434.1 Filing Date: 2019-09-27 Inventor: Meusel, Matthias   Assignee: AZUR SPACE Solar Power GmbH   IPC: H01L31/0687 Abstract: Monolithische Mehrfach-Solarzelle mit genau vier Teilzellen umfassend, wobei jede der vier Teilzellen einen Emitter und eine Basis aufweist, und die oberste erste Teilzelle eine Schicht aus einer Verbindung mit den Elementen AlInP aufweist und die Gitterkonstante a1 der Schicht zwischen 0,572 nm und 0,577 nm und der Indium-Gehalt zwischen 64% und 75% und der AI-Gehalt zwischen 18% und 32% liegt, und die dritte Teilzelle eine Schicht aus einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInAs aufweist und die Gitterkonstante der Schicht zwischen 0,572 nm und 0,577 nm liegt und der Indium-Gehalt der Schicht größer als 17% ist, und die zweite Teilzelle eine Schicht mit einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInAsP umfasst, wobei die Schicht der Arsen-Gehalt zwischen 22% und 33% der Indium-Gehalt der zwischen 52% und 65% aufweist, und die Gitterkonstante a2 zwischen 0,572 nm und 0,577 nm liegt.
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EP3807938A1
OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING A DILUTE NITRIDE LAYER
Publication/Patent Number: EP3807938A1 Publication Date: 2021-04-21 Application Number: 19735450.9 Filing Date: 2019-06-12 Inventor: Roucka, Radek   Siala, Sabeur   Maros, Aymeric   Assignee: Array Photonics, Inc.   IPC: H01L31/107
3
CN112670357A
一种紫外/红外双色探测器及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112670357A Publication Date: 2021-04-16 Application Number: 202011608657.8 Filing Date: 2020-12-30 Inventor: 黎大兵   郭龙   贾玉萍   孙晓娟   蒋科   石芝铭   Assignee: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本发明提供的紫外/红外双色探测器,包括:自下而上依次层叠设置的衬底层、BN缓冲层、BN三维材料层、插入层及BN二维材料层,所述BN三维材料层及所述BN二维材料层上设有电极,所述BN三维材料层可探测紫外光,所述BN二维材料层可探测红外光,其中利用三维氮化硼材料依靠其宽禁带性能实现对紫外光的响应,利用二维氮化硼材料可与红外光发生共振,产生声子极化子,影响材料电导率,从而实现对红外光的探测。本发明提供的氮化硼紫外/红外双色探测器打破了宽禁带半导体红外透过的传统观念,为实现宽禁带半导体的红外探测奠定了理论基础。
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EP3586376B1
PHOTOVOLTAIC CELL WITH MULTIPLE III-V JUNCTIONS ON A SILICON SUBSTRATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Publication/Patent Number: EP3586376B1 Publication Date: 2021-05-05 Application Number: 18704579.4 Filing Date: 2018-02-19 Inventor: Decobert, Jean   Lelarge, François   Tournie, Eric   Assignee: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives   Thales   IPC: H01L31/0304
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US10978215B2
Series and/or parallel connected alpha, beta, and gamma voltaic cell devices
Publication/Patent Number: US10978215B2 Publication Date: 2021-04-13 Application Number: 15/602,078 Filing Date: 2017-05-22 Inventor: Cabauy, Peter   Olsen, Larry C.   Elkind, Bret J.   Grant, Jesse   Assignee: City Labs, Inc.   IPC: G21H1/06 Abstract: A device for producing electricity. The device includes a substrate having spaced apart first and second surfaces and doped a first dopant type, first semiconductor material layers disposed atop the first substrate surface and doped the first dopant type, and second semiconductor material layers disposed atop the first semiconductor material layers and doped a second dopant type. A first contact is in electrical contact with the second substrate surface or in electrical contact with one of the first semiconductor material layers. A beta particle source emits beta particles that penetrate into the semiconductor material layers; the beta particle source is proximate the uppermost layer of the second plurality of semiconductor material layers. A second contact is in electrical contact with one of the second plurality of semiconductor material layers. In one embodiment, bi-polar contacts (the first and second contacts) are co-located on each major face of the device.
6
CN212277203U
短波红外接收装置
Grant
Publication/Patent Number: CN212277203U Publication Date: 2021-01-01 Application Number: 202021891632.9 Filing Date: 2020-09-02 Inventor: 张义荣   Assignee: 传周半导体科技(上海)有限公司   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本实用新型提供一种短波红外接收装置,包括一半导体衬底;位于所述半导体衬底上的第一接触层;位于所述第一接触层上的倍增层;位于所述倍增层上的电场控制层;位于所述电场控制层上的吸收层;以及位于所述吸收层上的第二接触层。本实用新型短波红外接收装置具有良好的光穿透能力。
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CN112204756A
在缓冲器上方形成的光电子器件
Public
Publication/Patent Number: CN112204756A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201980036324.1 Filing Date: 2019-05-28 Inventor: 艾米·温·关·刘   德米特里·卢比谢夫   乔尔·马克·法斯特诺   斯科特·艾伦·尼尔森   迈克尔·文森特·卡特纳   菲利普·李·弗莱   马修·费特斯   休伯特·克里西克   曾兆权   艾丽德·欧文·摩根   斯图尔特·安德鲁·爱德华兹   Assignee: IQE公司   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明提供了光电子器件,该光电子器件包括经由缓冲层在硅基板上生长的锑基变质光探测器。该器件包括分层结构。分层结构可以包括硅基板,在硅基板上方形成的缓冲层,以及在缓冲层上方形成的红外光探测器。在一些实施方案中,缓冲层包括具有子层的复合缓冲层。例如,复合缓冲层包括在基板上方形成的锗基子层、在锗基子层上方生长的III‑As子层、以及在III‑As子层上方形成的III‑Sb子层。
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CN112530792A
一种铟镓砷材料的制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112530792A Publication Date: 2021-03-19 Application Number: 202011398926.2 Filing Date: 2020-12-04 Inventor: 杨明来   Assignee: 浙江长芯光电科技有限公司   IPC: H01L21/02 Abstract: 本发明公开了一种铟镓砷材料的制备方法,包括:清洁衬底表面;在衬底表面生长第一缓冲层;在第一缓冲层表面生长第二缓冲层;在第二缓冲层上生长铟镓砷吸收层。本发明能在获得高铟组分铟镓砷材料的同时,显著降低铟镓砷材料的位错密度。
9
CN112490303A
n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490303A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011168549.3 Filing Date: 2020-10-28 Inventor: 王光绪   廖小琴   吴小明   陶喜霞   张建立   Assignee: 南昌大学   南昌硅基半导体科技有限公司   IPC: H01L31/0236 Abstract: 本发明公开了一种n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构,所述LED芯片包括基板、粘结保护层、p电极,在p电极的上面设有图形化外延层;图形化外延层从下至上依次包括:p型层、发光层、n型层、n型欧姆接触层;在图形化外延层上面设有钝化层和n电极;n电极与图形化外延层接触的区域为n型欧姆接触层;所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明应用于指示、显示等领域,具有光的品质更佳、光的显指更高等优点,并且更加节能和有利于批量生产。
10
CN110164994B
InGaN/GaN多量子阱太阳能电池
Grant
Publication/Patent Number: CN110164994B Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 201810222584.5 Filing Date: 2018-03-16 Inventor: 姜春艳   井亮   胡卫国   Assignee: 北京纳米能源与系统研究所   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱太阳能电池,包括:包含台面区域的多量子阱结构的外延片,该多量子阱结构的外延片自下而上依次包含:基底;本征GaN缓冲层;第一N型GaN层;以及台面区域,该台面区域自下而上包含:第二N型GaN层,四周经刻蚀形成台面隔离;InGaN/GaN多量子阱吸收层;以及P型GaN层;金属纳米颗粒阵列,分布于多量子阱结构的外延片的台面区域上表面;以及电流扩展层,覆盖于Ag纳米颗粒阵列的上方;其中,该InGaN/GaN多量子阱太阳能电池施加有应力,受到等离子体和压电效应耦合作用的综合调控。该太阳能电池的太阳能转换效率提高了64%,与传统的通过MOCVD的方法来提高太阳能转换效率相比,具有成本低廉、可回收、调控效果显著、性能可靠的优点。
11
CN112563351A
一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112563351A Publication Date: 2021-03-26 Application Number: 202011391007.2 Filing Date: 2020-12-02 Inventor: 龚世杰   郑谢恩   金运姜   Assignee: 中山大学   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本发明公开了一种大功率InGaAs/InP单行载流子光电探测器的设计方法,包括以下步骤:S1:构建基于光吸收层、收集层、阻挡层单行载流子光电探测器;S2:分别构建光吸收层和收集层之间的异质结、阻挡层和光吸收层之间的异质结,给单行载流子光电探测器施加反向偏置电压;S3:根据反向偏置电压的分压结果,增加阻挡层的掺杂浓度提高单行载流子光电探测器饱和电流输出值。本发明通过对光电探测器阻挡层优化,改变阻挡层材料的掺杂浓度,提高了光电探测器饱和输出电流。
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CN110289207B
在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110289207B Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 201910544998.4 Filing Date: 2019-06-21 Inventor: 宁静   闫朝超   王东   张进成   贾彦青   王博宇   Assignee: 西安电子科技大学   IPC: H01L21/02 Abstract: 本发明公开了一种在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法,主要解决现有技术生长氮化镓薄膜由于位错较多而导致质量不高问题。其实现方案是:首先选用具有凸型或凹型图案的图形化的蓝宝石为衬底;然后使用化学气相沉积CVD的方法,在选取好的图形化蓝宝石衬底上直接生长单层或多层石墨烯;接着再使用金属有机物化学气相沉积MOCVD的方法,在生长了单层或多层石墨烯的图形化蓝宝石衬底上生长1‑3um厚度的氮化镓薄膜。本发明减少了在石墨烯上生长氮化镓薄膜的位错,提高了氮化镓薄膜的质量,可用于制作氮化镓基的半导体器件。
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CN110164996B
一种非极性ALGAN基肖特基紫外探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN110164996B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201910411172.0 Filing Date: 2019-05-17 Inventor: 张雄   饶立锋   崔一平   Assignee: 东南大学   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本发明提供一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器,由下至上依次设置衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、AlN/AlGaN超晶格结构、n型掺杂n‑AlGaN层、n型掺杂n‑AlGaN吸收层、AlN势垒增强层、金属薄膜层,在n‑AlGaN层引出欧姆电极,其中0
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EP3803986A1
OPTOELETRONIC DEVICES FORMED OVER A BUFFER
Publication/Patent Number: EP3803986A1 Publication Date: 2021-04-14 Application Number: 19731435.4 Filing Date: 2019-05-28 Inventor: Liu, Amy Wing Kwan   Lubyshev, Dmitri   Fastenau, Joel Mark   Nelson, Scott Alan   Kattner, Michael Vincent   Frey, Philip Lee   Fetters, Matthew   Krysiak, Hubert   Zeng, Zhaoquan   Morgan, Aled Owen   Edwards, Stuart Andrew   Assignee: IQE plc   IPC: H01L31/101
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EP3800672A1
VISIBLE-SWIR HYPER SPECTRAL PHOTODETECTORS WITH REDUCED DARK CURRENT
Publication/Patent Number: EP3800672A1 Publication Date: 2021-04-07 Application Number: 19214976.3 Filing Date: 2019-12-10 Inventor: Zhang, Wei   Malchow, Douglas Stewart   Evans, Michael J.   Bereznycky, Paul L.   Houlihan, Sean   Assignee: Sensors Unlimited, Inc.   IPC: H01L31/0304 Abstract: A method includes forming an assembly of layers including an InP cap layer on an InGaAs absorption region layer, wherein the InGaAs layer is on an n-InP layer, and wherein an underlying substrate layer underlies the n-InP layer. The method includes removing a portion of the InP cap and n-InP layer by dry etching.
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CN109817755B
光电二极管
Grant
Publication/Patent Number: CN109817755B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201910066828.X Filing Date: 2019-01-24 Inventor: 侯孟军   Assignee: 京东方科技集团股份有限公司   IPC: H01L31/107 Abstract: 本申请提供一种光电二极管,所述光电二极管包括衬底、形成于所述衬底上的窗口层、形成于所述窗口层上的具有第一导电类型的第一导电层、形成于所述第一导电层上的吸收层、形成于所述吸收层上的具有第一导电类型的组分渐变层、形成于所述组分渐变层上的倍增层及形成于所述倍增层上的具有第二导电类型的第二导电层。其中,所述衬底的生长方向为[0001]方向,沿由下至上的方向,所述组分渐变层的禁带宽度逐渐减小,所述倍增层的禁带宽度大于所述组分渐变层的禁带宽度的最小值。
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CN112201712A
超晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201712A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202010997397.1 Filing Date: 2020-09-21 Inventor: 刘永锋   张传杰   Assignee: 武汉高芯科技有限公司   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本发明涉及空穴势垒层技术领域,提供了一种超晶格梯度能带空穴势垒层结构,包括n级超晶格层,每级超晶格层均包括由下向上依次生长的InAs层、第一GaSb层、AlSb层以及第二GaSb层,其中,所述InAs层的周期厚度为A,所述GaSb层的厚度周期为所述AlSb层的厚度周期为C,所述第二AaSb层的厚度周期为在第n级超晶格层中,x=n‑1,且在每级超晶格层中,总厚度周期A+B+C均相等。还提供一种红外探测器,包括上述的超晶格梯度能带空穴势垒层结构。本发明通过改变各级超晶格层中AlSb层的插入位置,即处于处,即可实现能带渐变,无需改变超晶格的厚度周期,维持各层生长总时间不变,势垒层导带偏移小,价带偏移大,满足空穴势垒层的设计需求,结构调节灵活,材料容易实现外延生长。
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CN212967721U
具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN-on-Si外延基板
Grant
Publication/Patent Number: CN212967721U Publication Date: 2021-04-13 Application Number: 202022460792.4 Filing Date: 2020-10-29 Inventor: 王晓靁   施能泰   宋高梅   Assignee: 王晓靁   IPC: H01L31/0304 Abstract: 本实用新型公开了具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN‑on‑Si外延基板,在硅晶圆基板上具有多晶向的2D材料超薄中介层,2D材料超薄中介层至少具有一顶层;顶层晶格常数与AlN、AlGaN或GaN高度匹配;2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有GaN单晶外延层,或者,2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有AlGaN或AlN成核辅助层,再在成核辅助层上具有GaN单晶外延层。本实用新型有效克服异质外延晶格不匹配导致氮化镓层缺陷质量问题;缓解部分因热膨胀系数不同导致的热应力问题,有利于用来进行成长高质量GaN外延层,以进行GaN系等宽能隙光电及半导体组件制作。
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CN110137279B
一种具有金属和石墨烯插入层的紫外探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN110137279B Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201910411504.5 Filing Date: 2019-05-17 Inventor: 张雄   张瑾   崔一平   Assignee: 东南大学   IPC: H01L31/0224 Abstract: 本发明提供了一种具有金属和石墨烯插入层的紫外探测器。该紫外探测器的结构自下而上包括:蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN中间层、石墨烯薄膜层、金属纳米结构层、n型n‑AlGaN层、非掺杂i‑AlGaN倍增层、p型p‑AlGaN层、p型p‑GaN层,在n‑AlGaN层上引出n型欧姆电极,在p‑GaN层上引出p型欧姆电极,其中0
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US2021066521A1
LIGHT RECEIVING DEVICE
Publication/Patent Number: US2021066521A1 Publication Date: 2021-03-04 Application Number: 16/999,421 Filing Date: 2020-08-21 Inventor: Iguchi, Yasuhiro   Assignee: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.   IPC: H01L31/0304 Abstract: A light receiving device includes a substrate, a first contact layer disposed on a surface of the substrate, a light receiving layer disposed on the first contact layer, an intermediate layer disposed on the light receiving layer, a wide-gap layer having a pn junction disposed on the intermediate layer, a second contact layer disposed on the wide-gap layer, and a groove formed for pixel isolation by removing the second contact layer and part of the wide-gap layer, wherein the intermediate layer has a wider band gap than the light receiving layer, and wherein the wide-gap layer has a wider band gap than the intermediate layer.
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