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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1
EP3414779B1
SELF-ASSEMBLY PATTERNING FOR FABRICATING THIN-FILM DEVICES
Publication/Patent Number: EP3414779B1 Publication Date: 2021-01-13 Application Number: 17701721.7 Filing Date: 2017-01-27 Inventor: Chirila, Adrian   Reinhard, Patrick   Assignee: Flisom AG   IPC: H01L31/032
2
CN109211850B
基于铜锌锡硫合金量子点的肾上腺素检测方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109211850B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201710552122.5 Filing Date: 2017-07-07 Inventor: 李妍   王璐   张菲   孙玉绣   Assignee: 天津师范大学   IPC: G01N21/64 Abstract: 本发明公开基于铜锌锡硫合金量子点的肾上腺素检测方法,铜锌锡硫合金量子点采用铜盐、锌盐、亚锡盐的低毒金属盐类化合物,高分子聚合物作为包覆稳定剂,滴加硫脲在水热条件下合成出铜锌锡硫合金量子点,随包覆剂的比例增加,发射波长可逐渐从紫外光区移向蓝光区域和可见光区域。在进行肾上腺素检测时,以铜锌锡硫合金量子点为荧光标记物,肾上腺素在0.1‑50μM的范围内与荧光呈线性猝灭关系,最低检测限可为38nM。
3
CN109411554B
一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用
Grant
Publication/Patent Number: CN109411554B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201811049143.6 Filing Date: 2018-09-10 Inventor: 范建东   刘冲   李闻哲   麦耀华   Assignee: 暨南大学   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池领域,具体涉及一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。所述薄膜分子式为MX:CsPbIBr,其中MX的掺杂浓度0.125~0.5%,所述无机钙钛矿型太阳电池从下至上依次包括:透明导电玻璃、空穴传输层、上述钙钛矿层、非有机电子传输层以及金属电极。本发明通过阴阳离子共掺杂所制备的无机钙钛矿薄膜不存在杂相,物相更纯,具有更优异的空气稳定性。本发明的太阳电池,具有更优异的光伏性能,不含有机层电子传输层的器件结构能够大大提升电池整体器件的热稳定性。
4
CN112420877A
一种以卤素化氧化石墨烯为添加剂及空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112420877A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202011442708.4 Filing Date: 2020-12-11 Inventor: 贺本林   孙雪淼   朱景伟   Assignee: 中国海洋大学   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明提供了一种以卤素化氧化石墨烯为添加剂及空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,具体是利用水热法制得卤素化氧化石墨烯,将其混合在钙钛矿前驱液中,采用液相旋涂法在导电基底/二氧化钛电子传输层表面沉积制备含有卤素化氧化石墨烯添加剂的钙钛矿薄膜,之后旋涂卤素化氧化石墨烯空穴传输层,刮涂碳电极组装成钙钛矿太阳能电池。本发明通过合成多功能卤素化氧化石墨烯,并将其用作添加剂及空穴传输层,制备了大晶粒、低缺陷态、高载流子迁移率和能级合适的钙钛矿薄膜,同时减小了界面能级差和能量损失,阻止了水汽的渗透,使电池的效率和稳定性得到了大幅提高。本发明制备工艺简单易行、材料优化空间大、成本低,具有一定的应用前景。
5
CN109761266B
一种自掺杂铜锌锡硫纳米晶光电材料的制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109761266B Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201811612190.7 Filing Date: 2018-12-27 Inventor: 陈玉彬   候路路   王朦胧   师进文   Assignee: 西安交通大学   IPC: C01G19/00 Abstract: 本发明公开了一种自掺杂铜锌锡硫纳米晶光电材料的制备方法,包括如下步骤:室温下,按照一水合乙酸铜、二水合乙酸锌、五水合氯化锡摩尔比为2:1:1为基础比例,通过自掺杂策略调控各个金属盐的比例,得到金属盐混合物,再加入油胺,加热以除去氧气和水,再充入氩气并加热至230‑250℃;然后用热注入法注入硫的油胺溶液,充分反应后,降温以终止反应,混合物达到室温后,加入离心溶剂,将溶液离心分离使纳米晶体沉淀,得到四元纳米晶体光电材料。该方法制备的纳米晶光电材料可应用与光伏、光电化学、光催化制氢等领域,显著提高性能。
6
CN109285912B
一种基于LiBO晶体的深紫外二极管器件
Grant
Publication/Patent Number: CN109285912B Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 201811138682.7 Filing Date: 2018-09-28 Inventor: 林哲帅   姜兴兴   吴以成   Assignee: 中国科学院理化技术研究所   IPC: H01L31/103 Abstract: 本发明公开了一种基于LiBO晶体的深紫外二极管器件。所述基于LiBO晶体的深紫外二极管器件包括:衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极;所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置;所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接;所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接;所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为LiBO;其中,所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案,使得利用LiBO作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光,实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
7
EP2666184B1
IMPROVED INTERFACE BETWEEN A I-III-VI2 MATERIAL LAYER AND A MOLYBDENUM SUBSTRATE
Publication/Patent Number: EP2666184B1 Publication Date: 2021-01-06 Application Number: 11797018.6 Filing Date: 2011-12-20 Inventor: Grand, Pierre-philippe   Jaime, Ferrer Jesus Salvador   Roche, Emmanuel   Deligianni, Hariklia   Vaidyanathan, Raman   Reuter, Kathleen B.   Huang, Qiang   Romankiw, Lubomyr   Mason, Maurice   Zupanski-nielsen, Donna S.   Assignee: Electricité de France   IPC: H01L21/36
8
CN109904258B
一种高致密性铜铟镓硒太阳能电池薄膜材料的制备方法
Grant Assignment
Publication/Patent Number: CN109904258B Publication Date: 2021-03-19 Application Number: 201910165916.5 Filing Date: 2019-03-06 Inventor: 朱伯媛   Assignee: 陈昱见   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明涉及一种高致密性铜铟镓硒太阳能电池薄膜材料的制备方法,属于新能源材料技术领域。本发明技术方案采用溶胶‑凝胶法制备具有优异光催化活性的铁酸锌复合前驱体凝胶液进行改性,由于凝胶液材料包覆改性颗粒并形成有效包覆后,既有效提高薄膜材料光电效应,同时由于凝胶溶胶复合后形成的三维网络结构有效对材料颗粒进行包覆和连接,进一步提高材料的致密性能,且本发明采用热处理过程对铜铟镓硒薄膜进行改性,退火时铜铟镓硒纳米颗粒相局部熔化,释放了纳米颗粒固相间的内应力,使纳米颗粒融化,相邻的纳米颗粒融合成更大的颗粒,从而形成流动相,随着温度的冷却形成致密的薄膜有利于半导体中载流子的传输,从而进一步改善材料的光电效应。
9
CN112490307A
一种用于光电探测器的无表面缺陷的钙钛矿及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490307A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011311538.6 Filing Date: 2020-11-20 Inventor: 唐江   牛广达   朱劲松   杜鑫源   逄锦聪   赵杉   Assignee: 华中科技大学鄂州工业技术研究院   华中科技大学   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明特别涉及一种用于光电探测器的无表面缺陷的钙钛矿及其制备方法,属于晶体材料加工技术领域,钙钛矿包括钙钛矿本体,钙钛矿本体至少一表面键合有钝化剂,钝化剂为PEAX,其中,X为Cl、Br和I中的至少一种;利用PEAX(卤化苯乙胺)对于钙钛矿表面悬挂键的钝化作用,减小表面的漏电流点,同时抑制了钙钛矿的离子迁移,降低钙钛矿光电探测器器件工作时的暗电流,提高了器件的性能。
10
CN112185806A
一种太阳能电池吸收层薄膜制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112185806A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011110086.5 Filing Date: 2020-10-16 Inventor: 徐维键   Assignee: 江苏佳佳新能源有限公司   IPC: H01L21/02 Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池吸收层薄膜制造方法,它涉及新能源技术领域。包括以下步骤:衬底的准备,将铜、锌、锡三种元素沉积于所述衬底表面,以形成铜锌锡前驱体;将硫元素沉积于所述铜锌锡前驱体表面,形成堆叠式铜锌锡硫前驱体;将堆叠式铜锌锡硫前驱体置于真空环境中,并通入由保护气体和硫化氢气体组成的混合气体;将上述堆叠式铜锌锡硫前驱体从室温升温至600‑650℃,自然冷却至室温,得到铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜。本发明的优点在于:将铜、锌、锡三种元素沉积于衬底表面,以形成铜锌锡前驱体,再将硫元素沉积于铜锌锡前驱体表面,形成堆叠式铜锌锡硫前驱体,制备工艺简单,制造方便,且铜锌锡硫薄膜太阳电池的转换效率提高。
11
CN112490306A
一种厘米级铜银锌锡硫棒状颗粒的制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112490306A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011145915.3 Filing Date: 2020-10-23 Inventor: 祁菁   叶思浩   张军   魏学刚   胡俊杰   Assignee: 兰州大学   湛江通用电气股份有限公司   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明公开了一种厘米级铜银锌锡硫棒状颗粒的制备方法,使用金属单质粉末、硫化物粉末和硫单质粉末作为反应原料在助熔剂氯化铯中反应,在60℃下充分干燥混合粉末后将混合粉末装入石英管中真空熔封,将真空熔封的石英管在680℃~800℃内选取一个温度,并在800℃~875℃选取另一个温度,使得炉温在两个温度之间反复升温降温,且这一过程持续60~96h,在10~15h内将温度从选取的较高温度缓慢降到室温,取出产物,反复超声水洗,在60℃下充分干燥后即得厘米级铜银锌锡硫棒状颗粒;该方法操作简单,制备出的(CuAg)ZnSnS颗粒结晶性好、组分均匀可控、可见光区域的吸收系数优异,测试和计算出部分样品电阻率明显随Ag含量增大而增大,可以用作薄膜太阳能电池吸收层和相关光电、光电催化材料的科学研究。
12
CN112490308A
一种用于光电探测器的表面钝化的钙钛矿及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490308A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011312586.7 Filing Date: 2020-11-20 Inventor: 唐江   牛广达   赵杉   Assignee: 华中科技大学鄂州工业技术研究院   华中科技大学   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明特别涉及一种用于光电探测器的表面钝化的钙钛矿及其制备方法,属于晶体材料加工技术领域,钙钛矿包括钙钛矿本体,钙钛矿本体至少一表面键合有钝化剂,钝化剂为三苯基氧化膦;利用TPPO(三苯基氧化膦)和钙钛矿晶体表面中的Pb形成Pb‑O键,钝化表面Cl、Br、I卤素空位带来的缺陷,减少钙钛矿材料的表面悬挂键,以此降低离子迁移,从而有效抑制钙钛矿光电探测器工作时暗电流过大和暗电流漂移的问题。
13
CN111312833B
一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料
Grant Assignment
Publication/Patent Number: CN111312833B Publication Date: 2021-03-23 Application Number: 202010142294.7 Filing Date: 2020-03-04 Inventor: 邵明   戴国清   佘金荣   Assignee: 莆田市威特电子有限公司   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料;所述光伏薄膜材料的制备原料包括:纳米尖晶石型粉体、纳米铜铟镓粉体;其制备方法简单,克服了以往各种方法步骤多、后处理困难、产率低等缺点。同时具有光电转化效率高、原材料及生产设备成本低的优点,适宜进行工业化生产。
14
CN107134507B
具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107134507B Publication Date: 2021-04-09 Application Number: 201710331491.1 Filing Date: 2017-05-11 Inventor: 陈桂林   王伟煌   陈水源   黄志高   Assignee: 福建师范大学   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明涉及氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜梯度成分的制备方法。首先通过低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体形成前驱体浆料;将前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,干燥后保存;将的前驱薄膜先后在硫气氛和硒气氛下进行退火,得到本发明所述的吸收层CISSe薄膜;将退火处理得到的CISSe,在硫气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se成分梯度结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)薄膜。本发明具有合成工艺简单、制备设备不复杂、原料成本低廉、材料利用率高、可大面积均匀指标、薄膜成分以及厚度易控等优点,适用于大规模的工业生产。
15
EP3598508B1
SOLAR CELL
Publication/Patent Number: EP3598508B1 Publication Date: 2021-03-17 Application Number: 18767862.8 Filing Date: 2018-02-06 Inventor: Ahn, Do Yeol   Yang, Seung Hyun   Assignee: Petalux Inc.   IPC: H01L31/0687
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CN109686798B
一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/Bi复合薄膜
Grant
Publication/Patent Number: CN109686798B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201811579272.6 Filing Date: 2018-12-24 Inventor: 金立川   李佳璐   张岱南   张怀武   向全军   钟智勇   唐晓莉   白飞明   Assignee: 电子科技大学   IPC: H01L31/032 Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法,属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底,以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中,Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化,即Bi半金属薄膜厚度增加,复合薄膜的红外光反射强度减弱,光学吸收增强,光电效应增加,使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景;同时,该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测,可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
17
CN110797435B
一种组分可调无机钙钛矿光电薄膜及其低温制备方法和器件应用
Grant
Publication/Patent Number: CN110797435B Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 201910981438.5 Filing Date: 2019-10-16 Inventor: 赵传熙   麦文杰   岑国标   赵志娟   Assignee: 暨南大学   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明属于新型半导体材料制备及器件技术领域,具体公开了一种组分可调无机钙钛矿薄膜及其低温制备方法和器件应用。步骤如下:将CsX以及AB溶于有机溶剂中,搅拌均匀得到前驱体溶液;将所得前驱体旋涂在导电基底上;再将制膜进行退火处理,随后将样品转至原子沉积系统进行离子交换反应,得到组分精准可调的无机钙钛矿光电薄膜,并成功应用于光伏器件中。本发明方法解决了传统溶解度低问题,提高了薄膜均匀性致密性,且采用原子层沉积温度远低于200℃,不仅适用于硬质基底也适用于柔性基底,更利于实现无机钙钛矿卤族元素配比精准调控;此外前驱体均为无机物,解决了薄膜导电性差的问题,对无机钙钛矿薄膜制备及器件应用有重要意义。
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CN112201713A
红外探测器件及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201713A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011037855.3 Filing Date: 2020-11-03 Inventor: 谢芳梅   李文杰   刘奥星   杨紫薇   刘宇   杨春雷   Assignee: 深圳先进技术研究院   IPC: H01L31/032 Abstract: 本发明提供了一种红外探测器件及其制备方法,红外探测器件包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的绝缘层、微结构层,所述微结构层包括呈阵列设置的多个微结构,所述红外探测器件还包括设置于所述微结构层表面的吸收层,所述吸收层的材质为GeSbTe相变材料,所述微结构层的材质为金属,所述微结构层的局域表面等离激元的共振波长为0.75~300μm。本发明提供的红外探测器件通过采用锗锑碲合金作为吸收层的材质以及在吸收层与绝缘层之间增加金属材质的微结构层,一方面,能够有效提升红外探测器件的灵敏度,另一方面,微结构层在外界红外光的照射下,表面的自由电子会发生集体振荡,产生局域表面等离激元,增加了对红外波段的吸收,有效提升红外探测器件的响应度。
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CN112251722A
一种制备铜铟镓硒(CIGS)或铜铟铝硒(CIAS)四元靶材的方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112251722A Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 202011118706.X Filing Date: 2020-10-20 Inventor: 容构华   程康   沈江威   张宁   Assignee: 北京圣阳科技发展有限公司   IPC: C23C14/34 Abstract: 本发明公开了一种制备铜铟镓硒(CIGS)或铜铟铝硒(CIAS)四元靶材的方法。按照CuInGaSe或CuInAlSe(0
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CN212676289U
太阳电池及光伏组件
Grant
Publication/Patent Number: CN212676289U Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 202021101871.X Filing Date: 2020-06-15 Inventor: 吴兆   徐琛   李子峰   Assignee: 隆基绿能科技股份有限公司   IPC: H01L31/072 Abstract: 本实用新型提供了太阳电池及光伏组件,涉及光伏技术领域。电池包括硅片,第一载流子选择收集层沉积于硅片的背光面的第一区;硅片的背光面除第一区之外的区域为第二区;金属氧族化合物层沉积于硅片和第一载流子选择收集层共同的背光面;金属氧族化合物层中对应第一载流子选择收集层的部分形成第一载流子输送区,对应第二区的部分形成第二载流子选择收集层;第一电极对应设置在第一载流子输送区;第二电极对应设置在第二载流子选择收集层上。第一载流子选择收集层、金属氧族化合物层均沉积形成,具有体区复合低的优点,不受俄歇复合极限的限制,无需额外对位和电学隔离,工艺简单,复合低,光电转换效率高,无反向pn结,工艺温度低。
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