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1
CN110707175B
感测元件
Grant
Publication/Patent Number: CN110707175B Publication Date: 2021-03-26 Application Number: 201811416477.2 Filing Date: 2018-11-26 Inventor: 游腾健   Assignee: 精準基因生物科技股份有限公司   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明提供一种感测元件,包括半导体基板、过滤结构以及感测结构。半导体基板具有样品激发区以及光学感测区。光学感测区侧向包围样品激发区于其中。过滤结构嵌设于半导体基板中,其中过滤结构配置于样品激发区中且具有样品容纳部。样品容纳部适于容纳样品且接纳激发光束。感测结构嵌设于半导体基板中,其中感测结构的至少一部分配置于光学感测区中,且感测结构至少侧向包围过滤结构。在激发光束沿着垂直于半导体基板的表面的方向传递至样品容纳部并激发样品后,样品适于发射信号光束,且感测结构适于感测信号光束。
2
CN112466765A
焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112466765A Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 202011347128.7 Filing Date: 2020-11-26 Inventor: 刘志方   杨晓杰   Assignee: 安徽光智科技有限公司   IPC: H01L21/60 Abstract: 本发明提供了一种焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器,所述工艺方法包括S1,在焦平面阵列芯片设置有金属电极的一侧表面上涂布各向异性导电胶;S2,将涂布有各向异性导电胶的焦平面阵列芯片放置在加热板上以对各向异性导电胶进行预固化处理;S3,将预固化处理后的焦平面阵列芯片与带有导电金属柱的读出电路通过热压焊接进行倒装互连、并使导电金属柱与焦平面芯片上的金属电极通过各向异性导电胶电连接。固化后的各向异性导电胶起到机械支撑作用、在垂直方向上实现了金属电极与导电金属柱之间的电导通、在水平方向上实现了相邻金属电极、相邻导电金属柱之间的电绝缘,由此避免了相邻两个像元电连接而发生短路失效。
3
CN110120437B
一种高填充因子的红外探测器结构及其制作方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110120437B Publication Date: 2021-04-30 Application Number: 201910359028.7 Filing Date: 2019-04-30 Inventor: 康晓旭   Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构,包括设于衬底之上的微桥结构,微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔,微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层,支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层,第二金属电极层自支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出,并与第一金属电极层相连,第二金属电极层通过支撑和电连接孔的底部开口与衬底实现电性连接,第三释放保护层自支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出,并与第二释放保护层相连。本发明能够在提高填充因子的同时,进一步提升产品性能。本发明还公开了一种高填充因子的红外探测器结构的制作方法。
4
CN112204756A
在缓冲器上方形成的光电子器件
Public
Publication/Patent Number: CN112204756A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201980036324.1 Filing Date: 2019-05-28 Inventor: 艾米·温·关·刘   德米特里·卢比谢夫   乔尔·马克·法斯特诺   斯科特·艾伦·尼尔森   迈克尔·文森特·卡特纳   菲利普·李·弗莱   马修·费特斯   休伯特·克里西克   曾兆权   艾丽德·欧文·摩根   斯图尔特·安德鲁·爱德华兹   Assignee: IQE公司   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明提供了光电子器件,该光电子器件包括经由缓冲层在硅基板上生长的锑基变质光探测器。该器件包括分层结构。分层结构可以包括硅基板,在硅基板上方形成的缓冲层,以及在缓冲层上方形成的红外光探测器。在一些实施方案中,缓冲层包括具有子层的复合缓冲层。例如,复合缓冲层包括在基板上方形成的锗基子层、在锗基子层上方生长的III‑As子层、以及在III‑As子层上方形成的III‑Sb子层。
5
CN213093213U
芯片级封装结构及光电装置
Grant
Publication/Patent Number: CN213093213U Publication Date: 2021-04-30 Application Number: 202021939392.5 Filing Date: 2020-09-07 Inventor: 汤为   黄洋   Assignee: 深圳市灵明光子科技有限公司   IPC: H01L31/101 Abstract: 本申请提供了一种芯片级封装结构,芯片级封装结构包括:基板、感光芯片及光学元件,基板包括第一端面及与第一端面平行相对的第二端面,基板具有连通第一端面及第二端面的通孔,感光芯片设置于基板的第一端面,且对应通孔设置,光学元件设置于基板背离第一端面的一侧,且对应通孔设置,所述光学元件与所述基板一体成型。所述光学元件倒装设置于所述基板且所述光学元件直接承载于所述基板,相对于传统的光学芯片封装结构,本申请所提供的所述芯片级封装结构的体积较小、结构简单,制作成本较低。本申请还提供了一种光电装置所述光电装置包括光发射器及所述芯片级封装结构,所述芯片级封装结构用于接收所述光发射器发射的光信号,并转换为电信号。
6
CN110797429B
应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN110797429B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201911084903.1 Filing Date: 2019-11-08 Inventor: 黎大兵   刘新科   孙晓娟   贾玉萍   石芝铭   蒋科   陈洋   Assignee: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   IPC: H01L31/101 Abstract: 应力调控氮化镓基红外‑紫外双色光探测器及制备方法,属于半导体领域。本发明包括GaN单晶体材料;在GaN单晶体材料上,由左至右依次设置第一紫外光探测器电极、缓冲层、第二应力层和第二紫外光探测器电极;第二应力层两端分别与缓冲层和第二紫外光探测器电极侧面接触;设置在缓冲层上的二维氮化物薄膜层;在二维氮化物薄膜层上,由左至右依次设置第一应力层和红外光探测器电极;第一应力层两端分别与第一紫外光探测器电极和红外光探测器电极侧面接触。本发明解决了因晶格不匹配带来的红外‑紫外光敏材料或探测系统集成困难、集成器件后红外探测系统的探测性能弱及双色集成探测器结构复杂的问题,本发明工艺流程简单、可操作性强、效果明显。
7
EP3803986A1
OPTOELETRONIC DEVICES FORMED OVER A BUFFER
Publication/Patent Number: EP3803986A1 Publication Date: 2021-04-14 Application Number: 19731435.4 Filing Date: 2019-05-28 Inventor: Liu, Amy Wing Kwan   Lubyshev, Dmitri   Fastenau, Joel Mark   Nelson, Scott Alan   Kattner, Michael Vincent   Frey, Philip Lee   Fetters, Matthew   Krysiak, Hubert   Zeng, Zhaoquan   Morgan, Aled Owen   Edwards, Stuart Andrew   Assignee: IQE plc   IPC: H01L31/101
8
CN109904272B
一种高转换增益和低串扰的像素探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN109904272B Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 201910062429.6 Filing Date: 2019-01-23 Inventor: 王颖   兰昊   曹菲   于成浩   Assignee: 杭州电子科技大学   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明公开了一种高转换增益和低串扰的像素探测器,包括:低阻硅层(电路层)、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱;本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之间的串扰;降低全耗尽电压;有效降低电荷收集端的敏感节点电容,提高转换增益。
9
CN112201722A
多波段探测结构及其制作方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201722A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201910609925.9 Filing Date: 2019-07-08 Inventor: 李军帅   张晓东   张宝顺   曹旭   Assignee: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明揭示了一种多波段探测结构,包括衬底以及形成于衬底上纳米线阵列,所述纳米线阵列至少包括:一维结构的第一半导体纳米线,具有第一吸收波长;一维结构的第二半导体纳米线,具有第二吸收波长,第一吸收波长和第二吸收波长不同,且第一半导体纳米线和第二半导体纳米线并列设置。本发明还揭示了一种多波段探测结构的制作方法,第一半导体纳米线或第二半导体纳米线在催化剂作用下外延生长于衬底表面。本发明通过双层掩膜的手段实现β‑GaO和GaAs系材料纳米线的横向分布阵列集成,利用纳米线的二维方向应力释放特性实现异质材料的高质量单片集成,并利用纳米线阵列的光陷阱效应提高光吸收率,从而为高性能多波段光探测器研发制备提供器件结构支持。
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CN112490137A
一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490137A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011369154.X Filing Date: 2020-11-30 Inventor: 刘志方   杨晓杰   Assignee: 安徽光智科技有限公司   IPC: H01L21/60 Abstract: 本发明公开了一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法,包括以下步骤:对准:将具有若干个通孔的蒸镀掩膜板与芯片进行对准并固定形成组件,所述芯片上的电极与各所述通孔对应并外露;蒸镀:在真空环境下,采用热蒸发镀膜的方式在所述组件表面蒸镀铟膜,当所述铟膜厚度达到预定厚度后停止蒸镀;剥离:将所述蒸镀掩膜板从所述芯片上取下,所述蒸镀掩膜板上的铟膜随掩膜板而剥离,所述通孔对应处所述电极上的铟柱得以保留,获得在电极上具有铟柱的芯片。这种焦平面倒装互连铟柱的制备方法避开了复杂的厚胶光刻工序,大大降低了铟柱制备的难度,且铟柱成品均一性更好。
11
CN212482716U
一种红外线温度侦测元件
Grant
Publication/Patent Number: CN212482716U Publication Date: 2021-02-05 Application Number: 202021568372.1 Filing Date: 2020-08-01 Inventor: 黄键全   Assignee: 黄键全   IPC: G01J5/20 Abstract: 本实用新型提出一种红外线温度侦测元件,包括一半导体,该半导体的表面至少设置一个倒立金字塔结构;一金属电极,设置在所述倒立金字塔结构的表面,一平坦的欧姆接触电极,设置在所述半导体的背面,所述金属电极中的载子,受入射光子激发后形成电子电洞对或热载子,电子电洞对或热载子越过所述金属电极与所述半导体介面的萧特基能障形成光电流信号,依据所述光电流信号计算被测物的温度值。
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CN110265511B
大面积双面硅漂移探测器的加工工艺
Grant
Publication/Patent Number: CN110265511B Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 201910430805.2 Filing Date: 2019-05-22 Inventor: 李正   刘曼文   Assignee: 李正   刘曼文   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明公开了一种大面积双面硅漂移探测器的加工工艺,属于半导体探测器加工技术领域。在制作大面积SDD时按八个步骤进行,包括晶圆吸杂氧化、双面标记制作、正反面P型注入刻蚀、N型阳极注入刻蚀、注入完成后退火、正反面注入区域氧化层全刻蚀、正反面电极制作、快速退火;八个步骤依次进行,最终制得所需要的大面积SDD。本发明能够在大面积双面SDD制作的同时,实现提高晶圆氧化的质量、正反两面的对准精度以及大幅降低引入杂质风险的目的。
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CN110120432B
光电转换结构和显示面板
Grant
Publication/Patent Number: CN110120432B Publication Date: 2021-03-16 Application Number: 201910435493.4 Filing Date: 2019-05-23 Inventor: 刘清召   董水浪   卢鑫泓   Assignee: 京东方科技集团股份有限公司   IPC: H01L31/0352 Abstract: 本发明提供一种光电转换结构和显示面板。该光电转换结构包括基底、设置于基底上的开关管和叠置于开关管上方的光电转换元件,光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层,电信号输出层位于光电转换层与开关管之间,电信号输出层与开关管之间还设置有绝缘层,绝缘层中设置有第一结构,电信号输出层通过第一结构与开关管的源极连接,第一结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整。该光电转换结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整,从而使形成于电信号输出层上的光电转换元件的光电转换层平整,进而能够减轻或避免由于光电转换层不平整所导致的光电转换元件在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象。
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CN112186075A
一种波导型光电探测器及制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112186075A Publication Date: 2021-01-05 Application Number: 202011077809.6 Filing Date: 2020-10-10 Inventor: 熊文娟   黎奔   林鸿霄   董燕   王桂磊   亨利·h·阿达姆松   Assignee: 中国科学院微电子研究所   广东省大湾区集成电路与系统应用研究院   IPC: H01L31/18 Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法,第一衬底的正面形成有包覆层,包覆层中形成有第一氮化硅光波导,第二衬底的正面形成有锗外延层,第一衬底和第二衬底的正面键合之后,从第二衬底的背面进行减薄,以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺,形成台阶结构,在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导,在锗外延层上形成光电探测器,从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样,第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中,利用氮化硅光波导较低的传输损耗性,提高光的传输效率,并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面,能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
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EP3766103A1
SOLID-STATE ENERGY HARVESTER OF TRANSITION METAL SUBOXIDES
Publication/Patent Number: EP3766103A1 Publication Date: 2021-01-20 Application Number: 19768381.6 Filing Date: 2019-03-11 Inventor: Horovitz, Michael Lee   Dopp, Robert B.   Williams, Greyson   Assignee: Omega Energy Systems, LLC   IPC: H01L31/0224
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CN112242456A
一种基于光学微带天线非对称集成的二维材料探测器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112242456A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 202010965512.7 Filing Date: 2020-09-15 Inventor: 周靖   郭尚坤   余宇   嵇兆煜   代旭   邓杰   陈效双   蔡清元   储泽世   李方哲   兰梦珂   Assignee: 中国科学院上海技术物理研究所   IPC: H01L31/101 Abstract: 本发明公开了一种基于光学微带天线非对称集成的二维材料探测器,其结构包括金属反射面、介质间隔层、二维活性材料层,以及顶层源电极和金属栅条集成的漏电极。金属‑二维活性光敏材料‑金属光探测结构的自驱动响应来自二维材料与金属接触之间的肖特基结,光学微带天线的非对称集成打破对称性,通过光学微带天线的高效耦合与光场局域实现二维材料接触结区光吸收大幅增强,同时延长接触结的边界,而在另一电极处的二维材料的光吸收受到距离很近的金属底面的抑制,两个电极附近的光响应对比度高达一百多倍。在泛光照射下,光学微带天线集成二维材料的响应率比传统金属光栅集成二维材料的响应率高出一个数量级以上。
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US2021098644A1
LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND DETECTION SYSTEM
Publication/Patent Number: US2021098644A1 Publication Date: 2021-04-01 Application Number: 17/036,000 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: Uchida, Takeshi   Suga, Takako   Assignee: CANON KABUSHIKI KAISHA   IPC: H01L31/101 Abstract: A light-receiving element, comprising a plurality of photodiodes formed by stacking in this sequence, a lower reflection mirror, a resonator including a photoelectric conversion layer, and an upper reflection mirror on a semiconductor substrate, wherein the plurality of photodiodes share the semiconductor substrate and the lower reflection mirror, the plurality of photodiodes includes a first photodiode having a resonance wavelength λ1 and a second photodiode having a resonance wavelength λ2 that is larger than the resonance wavelength λ1, and a reflectance of the lower reflection mirror has a first peak corresponding to the resonance wavelength λ1 and a second peak corresponding to the resonance wavelength λ2.
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CN112490310A
一种单片集成式pBpBp四波段探测器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112490310A Publication Date: 2021-03-12 Application Number: 202011337529.4 Filing Date: 2020-11-25 Inventor: 张云霄   李爱民   Assignee: 天津津航技术物理研究所   IPC: H01L31/0352 Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域,具体涉及一种单片集成式pBpBp四波段探测器,所述单片集成pBpBp四波段探测器采用纵向集成结构,包括GaSb衬底、p型短波通道接触层,第一金属电极层、短波通道吸收层、第一势垒层、中波通道吸收层、p型中波通道接触层、公共电极层、长波通道吸收层、第二势垒层、超长波通道吸收层、p型超长波通道接触层、第二金属电极层以及钝化层。该探测器中四种波段的探测器具有自下而上的集成结构,具有四吸收层结构,可以通过对电压控制分别进行四种波段探测,且具有高响应度、低暗电流等优点,降低虚警率,减小了器件尺寸,降低了制备工艺和探测系统的复杂性。
19
CN106169511B
包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN106169511B Publication Date: 2021-03-09 Application Number: 201610157055.2 Filing Date: 2016-03-18 Inventor: 许镇盛   李基荣   李相烨   李殷奎   李载昊   朴晟准   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L31/0224 Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括:第一电极;第二电极;以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势,或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯,另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地,第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯,另一个可以包括金属性材料。
20
CN112397495A
一种高灵敏小型化光电耦合器及其高灵敏处理方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112397495A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202011293812.1 Filing Date: 2020-11-18 Inventor: 黄俊民   黄杰中   Assignee: 珠海市大鹏电子科技有限公司   IPC: H01L25/16 Abstract: 本发明公开一种高灵敏小型化光电耦合器及其高灵敏处理方法,一种高绝缘小型化光电耦合器其红外发光二极管芯片由两部分组成,一部分是P型半导体即P极,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体即N极;所述P极电极尺寸为Φ105um,电极尺寸为8654.6um,其灵敏度提升方法为在封装加工过程中引入粗化工艺,再进行封装加工,使本发明在同等CTR值要求、同等成本、同样发射芯片及接收芯片尺寸的前提下,光功率大幅度提升,可以使用更低的HFE光敏三极管芯片,有效提高光电耦合器的反应灵敏度。
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