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1
CN108110104B
一种发光二极管及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN108110104B Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 201810048032.7 Filing Date: 2018-01-18 Inventor: 万志   卓祥景   孙传平   林志伟   尧刚   Assignee: 厦门乾照光电股份有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构,该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度,增加了其电子空穴波函数交迭程度,有利于其辐射复合发光,并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度,而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外,超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升,大大减少了电子泄露,同时降低了价带空穴的势垒高度,促进了空穴的传输,极大提升了多量子阱层的内量子效率,减少效率骤降,大幅提升了发光二极管的整体发光功率。
2
US2021005779A1
QW-QWD LED WITH SUPPRESSED AUGER RECOMBINATION
Publication/Patent Number: US2021005779A1 Publication Date: 2021-01-07 Application Number: 16/916,690 Filing Date: 2020-06-30 Inventor: Efros, Alexander L.   Shur, Michael   Assignee: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy   IPC: H01L33/06 Abstract: An optoelectronic device comprising at least one quantum well (QW) and at least one quantum dot (QD) incorporated in the quantum well with the band gap of the quantum well being larger than the band gap of the quantum dot. The QDs and QD arrays are embedded in various QW, thus providing higher yields in optoelectronic devices, such as light emitting diodes, lasers, and photodetectors. This is achieved by a nearly complete suppression of the nonradiative Auger recombination and enhancement of the light extraction efficiency.
3
CN112366259A
发光二极管外延片及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112366259A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011061541.7 Filing Date: 2020-09-30 Inventor: 姚振   从颖   董彬忠   李鹏   Assignee: 华灿光电(浙江)有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。多量子阱层的垒层中,第一InGaN子层可实现与InGaN阱层之间的良好过渡,保证垒层在InGaN阱层上的生长基础,第一InN子层则作为过渡层,实现第一InGaN子层到SiN子层的良好过渡与生长,提高SiN子层的晶体质量。而SiN子层本身可起到阻挡位错延伸的作用,避免位错向上延伸,进一步提高在SiN子层上生长的外延结构的晶体质量。最后生长的非掺杂GaN子层则起到常规的GaN垒层作用,保证多量子阱层可正常发光。多量子阱层的晶体质量可得到大幅度提高,最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。
4
CN109671813B
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109671813B Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201811320218.X Filing Date: 2018-11-07 Inventor: 张志刚   刘春杨   董彬忠   胡加辉   李鹏   Assignee: 华灿光电(浙江)有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法,属于GaN基发光二极管技术领域。所述发光二极管外延片包括:衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型欧姆接触层,所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层,所述阱垒层包括顺次层叠的InGaN发光阱层、发光阱保护层、以及GaN垒层,靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的GaN垒层与所述电子阻挡层接触,所述发光阱保护层包括AlInN层,所述InGaN发光阱层为低温InGaN发光阱层,所述发光阱保护层为中温发光阱保护层,所述GaN垒层为高温GaN垒层。
5
CN110085713B
一种带有插入层的多量子阱发光二极管及其制备方法
Grant Assignment
Publication/Patent Number: CN110085713B Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201910478633.6 Filing Date: 2019-06-03 Inventor: 刘卫东   肖凯香   普丹丹   赵伟   Assignee: 山西穿越光电科技有限责任公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本申请提供了一种带有插入层的多量子阱发光二极管及其制备方法,在多量子阱有源层的阱层和垒层之间加入二维功能材料插入层,其透光性好,且能阻隔外延层生长缺陷,有效避免阱层与垒层之间因生长缺陷造成的电子空穴猝灭,降低电光转换热损耗,同时插入层避免电子溢出,提高载流子注入效率,使发光二极管亮度高,寿命长,电光转换效率高,节能环保。
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CN212323021U
非极性AlGaN基深紫外LED外延片
Grant
Publication/Patent Number: CN212323021U Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202022122249.3 Filing Date: 2020-09-24 Inventor: 高芳亮   杨金铭   Assignee: 深圳市昂德环球科技有限公司   深圳市三航工业技术研究院   IPC: H01L33/06 Abstract: 本实用新型公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片,包括:生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜,本实用新型所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好,电学、光学性能佳。
7
CN112420886A
半导体发光器件
Public
Publication/Patent Number: CN112420886A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010017050.6 Filing Date: 2020-01-08 Inventor: 菅原秀人   Assignee: 株式会社东芝   东芝电子元件及存储装置株式会社   IPC: H01L33/06 Abstract: 本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上,包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。
8
US2021057605A1
SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Publication/Patent Number: US2021057605A1 Publication Date: 2021-02-25 Application Number: 16/708,818 Filing Date: 2019-12-10 Inventor: Sugawara, Hideto   Assignee: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA   TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION   IPC: H01L33/06 Abstract: According to one embodiment, a semiconductor light emitting device includes a substrate, and a multi quantum well layer provided on the substrate, and including a plurality of barrier layers sandwiched between three or more InGaAs well layers and two InGaAs well layers. The barrier layers include at least two regions having different mixed crystal ratios or at least two regions having different thicknesses.
9
US2021003886A1
HIGH COLOR GAMUT LED BAR WITH SIDE ILLUMINATION LED PACKAGE
Publication/Patent Number: US2021003886A1 Publication Date: 2021-01-07 Application Number: 16/459,979 Filing Date: 2019-07-02 Inventor: Kang, Yong Gu   Oh, Guentaek   Assignee: Dell Products L.P.   IPC: G02F1/1335 Abstract: An illumination device provides illumination as backlight to a liquid crystal display by disposing plural light emitting diode packages on a circuit board having green quantum dot material integrated with a photoresist ink. Each package includes one or more blue light emitting diode integrated circuits enclosed in a silicon filling material that integrates a red phosphor extending above one or more sidewalls of the package so that at least some illumination from the blue light emitting diode is directed towards the green quantum dot material, resulting in generation of high color gamut backlight illumination.
10
EP3782572A1
PHOTOTHERAPY LIGHT ENGINE
Publication/Patent Number: EP3782572A1 Publication Date: 2021-02-24 Application Number: 20187070.6 Filing Date: 2016-03-30 Inventor: Gamelin, Andre S.   Gross, Martyn C.   Schmidt, Jack   Macneish, William Jack Iii   Assignee: Zerigo Health, Inc.   IPC: A61B18/22 Abstract: Described herein are devices, systems, and methods for delivering phototherapy to a subject. A phototherapy light engine is combined with other components to form a phototherapy system that provides phototherapy treatment to a subject. A phototherapy system may be implemented as a hand held system comprising the light engine that is configured to communicate with a remote computing device.
11
EP3365922B1
QUANTUM-DOT-BASED LIGHT EMITTER, MORE PARTICULARLY FOR SINGLE PHOTON EMISSION, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Publication/Patent Number: EP3365922B1 Publication Date: 2021-01-13 Application Number: 16774857.3 Filing Date: 2016-09-28 Inventor: Brandt, Oliver   FernÁndez, Garrido Sergio   Geelhaar, Lutz   Marquardt, Oliver   Zettler, Johannes   Assignee: Forschungsverbund Berlin E.V.   IPC: H01L33/06
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US2021043804A1
NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT
Publication/Patent Number: US2021043804A1 Publication Date: 2021-02-11 Application Number: 16/969,161 Filing Date: 2018-02-14 Inventor: Hirano, Akira   Nagasawa, Yosuke   Chichibu, Shigefusa   Kojima, Kazunobu   Assignee: Soko Kagaku Co., Ltd.   IPC: H01L33/32 Abstract: To improve a wall plug efficiency in a nitride semiconductor light-emitting element for extracting ultraviolet light emitted from an active layer toward an n-type nitride semiconductor layer side to outside of the element. In the n-type AlGaN-based semiconductor layer 21 constituting the nitride semiconductor light-emitting element 1, a plurality of thin film-like Ga-rich layers that is a part of the n-type layer 21 having a locally high Ga composition ratio exists spaced apart from each other in a vertical direction that is orthogonal to the upper surface of the n-type layer 21, an extending direction of at least a part of the plurality of Ga-rich layers on a first plane parallel to the vertical direction is inclined with respect to an intersection line between the upper surface of the n-type layer and the first plane, the plurality of Ga-rich layers exists in stripes on the second plane parallel to the upper surface of the n-type layer 21 in an upper layer region having a thickness of 100 nm or less at lower side from the upper surface of the n-type layer 21, AlN molar fractions of the Ga-rich layers 21b are greater than AlN molar fraction of a well layer 22b in an active layer 22 constituting the light-emitting element 1.
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CN112366258A
紫外发光二极管外延片及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112366258A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011055212.1 Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 丁杰   秦双娇   梅劲   陆香花   Assignee: 华灿光电(浙江)有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层,所述有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层,所述量子阱层为掺Si的AlGaN层,0<x<0.4,所述量子垒层为掺Mg的AlGaN层,0.5<y<0.7。该紫外发光二极管外延片可以效屏蔽量子阱层中由于极化效应产生的内建电场,从而可以提高电子和空穴的波函数重叠率,进而可以提高电子和空穴的辐射复合效率,最终提高紫外发光二极管的内量子效率。
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CN112420887A
一种深紫外LED器件及其制作方法
Public
Publication/Patent Number: CN112420887A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202011313184.9 Filing Date: 2020-11-20 Inventor: 李祈昕   刘宁炀   何晨光   吴华龙   陈志涛   曾昭烩   任远   董斌   Assignee: 广东省科学院半导体研究所   IPC: H01L33/06 Abstract: 本申请提供了一种深紫外LED器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。该深紫外LED器件包括:衬底;位于衬底一侧的缓冲层;位于缓冲层一侧的发光层;其中,发光层包括P型接触层,P型接触层的厚度为1~50nm;位于发光层一侧的N型电极与P型电极;其中,N型电极与P型电极呈距离设置。本申请提供的深紫外LED器件及其制作方法具有光电转换效率更高的优点。
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CN111261758B
紫外LED外延结构及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN111261758B Publication Date: 2021-01-15 Application Number: 202010235950.8 Filing Date: 2020-03-30 Inventor: 刘锐森   蓝文新   刘召忠   林辉   杨小利   Assignee: 江西新正耀光学研究院有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本申请提供了一种紫外LED外延结构及其制备方法,涉及发光二极管技术领域。紫外LED外延结构中,AlGaN/AlGaN多量子阱有源层包括第一发光结构和第二发光结构,由于第一发光结构的每个第一AlGaN量子垒层掺Si,至少一个第一AlGaN量子阱层掺Si,在AlGaN材料中掺入Si元素后会形成N型半导体,能够提高导通性,有利于降低多量子阱有源区的电阻,并进一步降低紫外LED的工作电压。此外,设置第一AlGaN量子阱层中的Si掺杂浓度低于第一AlGaN量子垒层中的Si掺杂浓度,也可以提高有源区对电子的限制作用,有利于提高紫外LED的发光强度。
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CN112201732A
一种紫外LED量子阱生长方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201732A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202010972085.5 Filing Date: 2020-09-16 Inventor: 张康   赵维   贺龙飞   吴华龙   何晨光   李成果   廖乾光   陈志涛   Assignee: 广东省科学院半导体研究所   IPC: H01L33/06 Abstract: 本发明公开了一种紫外LED量子阱生长方法。本发明通过控制InGaN量子阱外延层的生长速度,可以避免因AlGaN垒和InGaN阱的较大晶格失配而导致的位错和缺陷大量产生,提高量子阱中InGaN材料的局域化,同时通过调节量子阱生长速度可以优化量子阱所受应力进而提高外延质量,实现了厚膜、高质量、低In组分的高量子效率InGaN/AlGaN量子阱外延生长。
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CN112234435A
半导体器件及其制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112234435A Publication Date: 2021-01-15 Application Number: 202011461680.9 Filing Date: 2020-12-14 Inventor: 潘彦廷   靳晨星   刘钿   师宇晨   Assignee: 陕西源杰半导体技术有限公司   IPC: H01S5/34 Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件中的有源层包括沿所述堆叠方向设置的第一量子阱层和第二量子阱层,其中,所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差为10nm至20nm,通过设置所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差异,使得所述有源层同时具备两类型量子阱,所形成整体的材料增益是由两组不同波长位置的材料增益所叠加,实现了单一半导体器件同时制作MWDM规范的2个通道半导体器件或是LWDM规范的4个通道半导体器件,有别于一般一片半导体器件只做一通道半导体器件的技术,有利于提升生产效率与良率,同时也因为外延结构设计保证的优势,避免工艺制作上的误差而影响产品性能。
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CN112259652A
一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构及制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112259652A Publication Date: 2021-01-22 Application Number: 202011256425.0 Filing Date: 2020-11-11 Inventor: 寇建权   Assignee: 天津赛米卡尔科技有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本发明公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构及制备方法,在传统Micro‑LED芯片结构基础之上,该芯片结构的P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层之间结构改变;P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域,N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料层,其中N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触;本发明提出的器件结构利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结,耗尽P型半导体材料层中的空穴,从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应,同时还能够提高注入电流的横向限制作用,以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。
19
CN112349818A
一种高压LED芯片的深刻蚀方法
Public
Publication/Patent Number: CN112349818A Publication Date: 2021-02-09 Application Number: 202011163378.5 Filing Date: 2020-10-27 Inventor: 黄斌斌   罗坤   李永同   李运军   刘兆   Assignee: 江西乾照光电有限公司   IPC: H01L33/08 Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片的深刻蚀方法,采用两次匀胶两次曝光两次显影等操作之后,以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜,对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理,以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜,对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。实现了一次深刻蚀出不同角度和不同线宽的隔离沟槽,以及在不改变切割道宽度的情况下实现全刻开处理,且具有一定的倒角,从而有效增加了高压LED芯片的发光面积占比,增加芯片的出光效率以及COW无需设置特殊测试芯片。
20
CN112366257A
发光二极管外延片及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112366257A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011033026.8 Filing Date: 2020-09-27 Inventor: 洪威威   王倩   梅劲   董彬忠   吕蒙普   Assignee: 华灿光电(浙江)有限公司   IPC: H01L33/06 Abstract: 本公开公开了发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。多量子阱层中阱层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子阱层、第一InGaN子阱层、InN子阱层、第二InGaN子阱层、第二BInGaN子阱层。阱层中部捕获更多的电子并,减小电子的迁移速率,载流子分布更均匀。垒层包括沿发光二极管外延片生长方向依次层叠的第一BInGaN子垒层、第一BGaN子垒层、BN子垒层、第二BGaN子垒层、第二BInGaN子垒层。垒层与阱层之间通过BInGaN材料进行良好过渡,减小阱层与垒层之间由于晶格失配而产生的缺陷,提高阱层与垒层的晶体质量并最终提高发光二极管的发光效率。
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