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1
CN110571331B
抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器
Grant
Publication/Patent Number: CN110571331B Publication Date: 2021-01-01 Application Number: 201910816480.1 Filing Date: 2019-08-30 Inventor: 程晓敏   冯金龙   缪向水   Assignee: 华中科技大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开了一种抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器,包括柔性衬底层以及依次沉积在柔性衬底层上的第一绝缘层、下电极层和第二绝缘层,第二绝缘层的内部开设有通孔且通孔与下电极层相接触;在通孔的侧壁上形成有环状碳纳米管层;超晶格薄膜形成于环状碳纳米管层的内部且与环状碳纳米管层之间通过第三绝缘材料层隔离;超晶格薄膜包括交替生长的具有范德华间隙的第一、第二相变层;上电极形成于第四绝缘层的表面并通过第四绝缘层的通孔与超晶格薄膜接触;本发明在具有范德华间隙的超晶格薄膜材料外围包裹碳纳米管,可以防止超晶格薄膜在应力弛豫的过程中发生断裂,极大地提高了相变存储器件抗应力的能力。
2
US10892411B2
Phase-change material RF switch
Publication/Patent Number: US10892411B2 Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 16/574,471 Filing Date: 2019-09-18 Inventor: Rose, Jefferson E.   Slovin, Gregory P.   Howard, David J.   Debar, Michael J.   El-hinnawy, Nabil   Assignee: Newport Fab, LLC   IPC: H01L45/00 Abstract: In manufacturing a radio frequency (RF) switch, a heat spreader is provided. A first dielectric is deposited over the heat spreader. A trench is etched in the first dielectric. A heating element is deposited in the trench and over at least a portion of the first dielectric. A thermally conductive and electrically insulating material is deposited over at least the heating element, where the thermally conductive and electrically insulating material is self-aligned with the heating element. A conformability support layer is optionally deposited over the thermally conductive and electrically insulating material and the first dielectric. A phase-change material is deposited over the optional conformability support layer and the underlying thermally conductive and electrically insulating material and the first dielectric.
3
US10897009B2
Resistive memory cells and precursors thereof, methods of making the same, and devices including the same
Publication/Patent Number: US10897009B2 Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 16/414,956 Filing Date: 2019-05-17 Inventor: Mukherjee, Niloy   Pillarisetty, Ravi   Majhi, Prashant   Shah, Uday   Arch, Ryan E   Kuhn, Markus   Brockman, Justin S.   Liu, Huiying   Karpov, Elijah V   Oguz, Kaan   Doyle, Brian S.   Chau, Robert S.   Assignee: Intel Corporation   IPC: H01L45/00 Abstract: Resistive memory cells, precursors thereof, and methods of making resistive memory cells are described. In some embodiments, the resistive memory cells are formed from a resistive memory precursor that includes a switching layer precursor containing a plurality of oxygen vacancies that are present in a controlled distribution therein, optionally without the use of an oxygen exchange layer. In these or other embodiments, the resistive memory precursors described may include a second electrode formed on a switching layer precursor, wherein the second electrode is includes a second electrode material that is conductive but which does not substantially react with oxygen. Devices including resistive memory cells are also described.
4
CN112310282A
基于二维窄带隙铋碲硒材料的光电阻变存储器及其制备方法和应用
Public
Publication/Patent Number: CN112310282A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 202011239586.9 Filing Date: 2020-11-09 Inventor: 闫小兵   王宏   于天奇   陈明敬   乔双   王淑芳   Assignee: 河北大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开了一种基于二维窄带隙铋碲硒材料的光电阻变存储器及其制备方法和应用,其结构是在Si衬底上依次形成有SiO层、BiTeSe层和Pd电极层。本发明公开了该阻变存储器的制备方法,包括:高温退火、脉冲激光沉积、和磁控溅射技术。本发明提供的光电阻变储器可以执行逻辑和计算(“或”门)、多级信息存储、光电检测、光学信息解调的单个功能。同时,该器件可同时实现光电检测和解调,逻辑计算和存储以及解调和存储功能,这将增加集成电路的紧凑性并降低功耗。高效信息存储和处理的多功能器件性能表现良好,是一种存储性能佳、能耗低、应用前景更为广阔的阻变存储器,为器件小型化的发展开辟了新的途径。
5
US2021036224A1
METHOD OF MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR
Publication/Patent Number: US2021036224A1 Publication Date: 2021-02-04 Application Number: 16/898,789 Filing Date: 2020-06-11 Inventor: Cho, Hyungkoun   Kim, Dongsu   Yun, Youngdae   Kim, Joosung   Assignee: Research & Business Foundation Sungkyunkwan University   IPC: H01L45/00 Abstract: A method of manufacturing an oxide semiconductor, includes impregnating a substrate in a solution containing a metal precursor and hydroxyl ions, and forming a metal oxide on the substrate by applying a voltage to the solution. The solution includes a surfactant, and the direction of crystal growth of the metal oxide is controllable based on the surfactant.
6
CN112397644A
一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
Publication/Patent Number: CN112397644A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 201910753993.2 Filing Date: 2019-08-15 Inventor: 宋文雄   赵进   宋志棠   宋三年   Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法,其中,相变材料包括铒元素、锑元素及碲元素,所述相变材料的化学式为ErSbTe,其中,x、y、z均指元素的原子组分,且满足0
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CN112397646A
三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法
Publication/Patent Number: CN112397646A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202011200846.1 Filing Date: 2019-08-30 Inventor: 程晓敏   冯金龙   缪向水   Assignee: 华中科技大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明提供了一种三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法,分别在下电极层与超晶格薄膜之间、超晶格薄膜与上电极层之间设置逆压电层;利用两个逆压电层在施加不同的电压时所产生的不同拉伸形变,对接触的超晶格薄膜产生不同的拉应力,进而来调节超晶格薄膜中的相变材料发生原子层翻转的能量势垒。本发明还提供一种通过上述阈值电压调节方法实现“与”逻辑运算的方法,当超晶格存算一体器的上电极层与第一逆压电层、第二逆压电层同时施加电压脉冲时,超晶格薄膜才发生阻值的突变,即输出为“1”。
8
CN112234141A
相变存储器以及相变存储器的制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN112234141A Publication Date: 2021-01-15 Application Number: 202011444850.2 Filing Date: 2020-12-11 Inventor: 刘峻   Assignee: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本申请提供了一种相变存储器以及相变存储器的制造方法,相变存储器包括第一导电线、第二导电线以及相变存储单元,第一导电线沿第一方向延伸,第二导电线沿第二方向延伸,相变存储单元垂直设置于第二导电线和第一导电线之间,相变存储单元包括沿第三方向叠置的选通元件以及相变元件,其中,第一方向、第二方向以及第三方向相互垂直;相变元件包括相变部以及侧墙,相变部的沿第一方向或第二方向的至少一个侧面设有侧墙,相变部在第一方向或第二方向上的尺寸小于选通元件在对应方向上的尺寸,本申请实施例提供的相变存储器的相变部的有效截面积较小,因此,相变存储器具有较小的编程电流,较小的功耗。
9
CN112436088A
一种基于忆阻器的微型可持续芯片散热结构及制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112436088A Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202110107576.8 Filing Date: 2021-01-27 Inventor: 姚苏昊   张缪城   秦琦   韩翱泽   童祎   孟宇泰   连晓娟   Assignee: 南京邮电大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明提供了一种基于忆阻器的微型可持续芯片散热结构及制备方法,所述散热结构包括从上至下依次贴合设置的底电极、翻转基板、势垒层和衬底层,所述衬底层设有导线散热通道,还包括与导线散热通道垂直设置的冷却液管道;本发明还提供了相应的散热结构制备方法;本发明提供的散热结构的导热性和稳定性较好,附着于其上的忆阻器阻态更稳定,可用于忆阻器网络的散热,具有广阔的应用前景;此外,本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效,成本低,可广泛用于工业生产。
10
CN112234141B
相变存储器以及相变存储器的制造方法
Grant
Publication/Patent Number: CN112234141B Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202011444850.2 Filing Date: 2020-12-11 Inventor: 刘峻   Assignee: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本申请提供了一种相变存储器以及相变存储器的制造方法,相变存储器包括第一导电线、第二导电线以及相变存储单元,第一导电线沿第一方向延伸,第二导电线沿第二方向延伸,相变存储单元垂直设置于第二导电线和第一导电线之间,相变存储单元包括沿第三方向叠置的选通元件以及相变元件,其中,第一方向、第二方向以及第三方向相互垂直;相变元件包括相变部以及侧墙,相变部的沿第一方向或第二方向的至少一个侧面设有侧墙,相变部在第一方向或第二方向上的尺寸小于选通元件在对应方向上的尺寸,本申请实施例提供的相变存储器的相变部的有效截面积较小,因此,相变存储器具有较小的编程电流,较小的功耗。
11
CN112436087A
存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法
Public
Publication/Patent Number: CN112436087A Publication Date: 2021-03-02 Application Number: 202010656452.0 Filing Date: 2020-07-09 Inventor: 金海光   吴启明   蔡正原   蔡子中   江法伸   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
12
CN107546324B
相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法
Grant
Publication/Patent Number: CN107546324B Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201611259533.7 Filing Date: 2016-12-30 Inventor: P·祖里亚尼   G·孔法洛涅里   A·吉拉尔迪尼   C·l·佩瑞里尼   Assignee: 意法半导体股份有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 一种相变存储器单元(1’),包括:衬底(2),容纳包括第一导电电极(4)的用于选择存储器单元(1’)的晶体管(15);在选择晶体管(15)上的第一电绝缘层(10);穿过电绝缘层(10)的第一导电通孔(11a),被电耦合至第一导电电极(4);加热器元件(34’),包括与第一导电通孔(11a)电接触的第一部分和与第一部分电连续且正交于第一部分延伸的第二部分;第一保护元件(32’),在加热器元件(34’)的第一和第二部分上延伸;第二保护元件(40’),与加热器元件(34’)的第一部分并与第一保护元件(32’)直接横向接触地延伸;以及相变区域(50),在加热器元件(34’)之上与加热器元件(34’)电且热接触地延伸。
13
CN112201748A
阻变存储器的钨薄膜制备方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112201748A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 202011033772.7 Filing Date: 2020-09-27 Inventor: 陈亮   仇圣棻   杨芸   李晓波   杨瑞鹏   曹恒   Assignee: 昕原半导体(上海)有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明提供一种阻变存储器的钨薄膜制备方法,包括:采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜;采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜;通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨,其中,当所述WNx薄膜被磨光时,所述CMP机台停止研磨。利用本发明,能够解决现有制备阻变存储器的钨薄膜过程中,不能同时满足钨薄膜厚度、钨薄膜表面粗糙度问题。
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CN110729400B
Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法
Publication/Patent Number: CN110729400B Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 201910828785.4 Filing Date: 2019-09-03 Inventor: 徐明   徐萌   缪向水   Assignee: 华中科技大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti,Sb,Ga元素组成的化学通式为TiGaSb的材料,其通过将Sb作为基体材料,并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到;其中,x,y分别为原子个数百分比,且0<x<50,0<y<50,0<x+y<60。本发明的Ti‑Ga‑Sb相变材料,其制备方法简便,制备得到的Ti‑Ga‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言,具有较小的相变密度差异,并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率,保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性,提升相变存储器信息存储的效率,在延长相变存储器使用寿命的同时,大大提升了相变存储器的功能性。
15
CN112420921A
一种半导体集成电路器件及其制造方法
Public
Publication/Patent Number: CN112420921A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202011171637.9 Filing Date: 2020-10-28 Inventor: 刘宇   沈鼎瀛   康赐俊   邱泰玮   王丹云   单利军   Assignee: 厦门半导体工业技术研发有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法,该半导体集成电路器件包括:第一电极,具有凸起的块状结构;阻变层,覆盖在所述块状结构的上表面和侧表面;储氧层,覆盖在所述阻变层的上表面和侧表面,其中,所述储氧层在与所述块状结构的上拐角处的厚度比其他位置处的厚度厚;第二电极,覆盖在所述储氧层的上表面和侧表面。由于块状结构在其上拐角处的电场分布更加集中,且这一位置处的储氧层较厚,更易于生成导电细丝。如此,可将导电细丝的形成位置控制在这一区域内,并在该半导体集成电路器件制造过程中避免了对阻变层的侧壁造成损伤的工艺,还进一步改进了导电细丝形成的稳定性。
16
CN112310280A
可变电阻存储器装置
Public
Publication/Patent Number: CN112310280A Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 202010399732.8 Filing Date: 2020-05-12 Inventor: 白晙焕   朴勇振   梁辰旭   吴圭焕   郑智允   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H01L45/00 Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置,所述可变电阻存储器装置包括:第一导线结构,在基底上具有位于其中的绝热线;可变电阻图案,接触第一导线结构的上表面;低电阻图案,接触可变电阻图案的上表面;选择结构,位于低电阻图案上;以及第二导线,位于选择结构上。
17
CN109273597B
一种基于SrO阻变存储器及其制备方法
Grant
Publication/Patent Number: CN109273597B Publication Date: 2021-02-02 Application Number: 201810993822.2 Filing Date: 2018-08-29 Inventor: 谭婷婷   杜怡行   曹爱   查钢强   陈勇   Assignee: 西北工业大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法,属于信息存储器件技术领域。该阻变存储器金属‑绝缘体‑金属(MIM)三明治结构,该MIM结构的顶电极与底电极分别为金属电极,金属电极之间的阻变介质为非晶氧化锶薄膜。本发明采用氧化锶薄膜作为阻变材料,可制备出低功耗、高存储窗口和稳定性较好的阻变存储器,从而具有多值存储和高密度存储的潜力。
18
CN112242486A
存储器元件的结构及其制造方法
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112242486A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 201910654128.2 Filing Date: 2019-07-19 Inventor: 王润顺   朱猛剀   马卓娜   李华国   Assignee: 联华电子股份有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法,其中该存储器元件的结构包括基板,有存储区域及逻辑区域。阻障层设置在所述基板上,覆盖所述存储区域及所述逻辑区域。图案化的内层介电层,仅在所述存储区域设置在所述阻障层上。第一通孔结构在所述存储区域形成于所述阻障层与所述图案化的内层介电层中。存储单元结构在所述存储区域,设置在所述图案化的内层介电层,与所述第一通孔结构接触。内连线结构在所述逻辑区域,设置在所述阻障层上。
19
CN112382722A
一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112382722A Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 202011206255.5 Filing Date: 2020-11-02 Inventor: 刘举庆   聂毅杰   李银祥   Assignee: 南京工业大学   IPC: H01L45/00 Abstract: 本发明公开了一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法,属于阻变存储器件领域。该存储器件包括:衬底、底电极、阻变功能层和顶电极。所述阻变功能层为通过旋涂两种聚合物混合溶液制备的表面含有纳米孔洞的有机聚合物薄膜。通过改变混合溶液的旋涂条件,能够实现薄膜孔洞尺寸可调,进而实现器件写入电压的精确调控。本发明的存储器件结构简单、易于加工,展现出非易失性存储特性且能够实现对写入电压进行精确调控,在信息存储领域具有广阔的应用前景。
20
CN112420920A
记忆体装置
Public
Publication/Patent Number: CN112420920A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202010814995.0 Filing Date: 2020-08-13 Inventor: 胡振国   江子豪   Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司   IPC: H01L45/00 Abstract: 一种记忆体装置,包括晶体管和记忆体单元。记忆体单元包括底部电极、顶部电极和介电质结构。顶部电极电连接到晶体管。介电质结构包括薄部分和厚部分。薄部分夹在底部电极和顶部电极之间。厚部分比薄部分厚并且在底部电极和顶部电极之间。
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