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Inventor Inventor Assignee Assignee IPC IPC
1 CN111147774A
用于电压稳定的系统和方法
Public
Publication/Patent Number: CN111147774A Publication Date: 2020-05-12 Application Number: 201911014400.7 Filing Date: 2019-10-24 Inventor: I·c·穆德古达尔   Assignee: 半导体元件工业有限责任公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明题为“用于电压稳定的系统和方法”。提供了一种图像传感器像素,该图像传感器像素可以包括光电二极管、浮动扩散部和转移门。列读出电路经由列线耦接到该图像传感器像素。电压稳定电路可以耦接到该列线。电压稳定电路可以包括预充电电路、复位电压转换升压电路和图像信号电压转换升压电路。该预充电电路可以将列线电压下拉到接地电压。该复位电压转换升压电路可以将列线电压上拉到接近复位电平电压的参考电压。该图像信号电压转换升压电路可以将列线电压下拉到接近图像信号电压的附加参考电压。通过使用该电压稳定电路,可以实现列线的更快预充电和钳位。
2 CN111163273A
用于图像传感器的面积和功率高效的多电压行驱动器电路
Public
Publication/Patent Number: CN111163273A Publication Date: 2020-05-15 Application Number: 201910990740.7 Filing Date: 2019-10-18 Inventor: A·普拉蒂帕蒂   Assignee: 半导体元件工业有限责任公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明题为“用于图像传感器的面积和功率高效的多电压行驱动器电路”。本发明提供了图像传感器像素,该图像传感器像素可以接收用于行驱动器电路的行控制信号。行驱动器电路可以包括多个行驱动器电路,该多个行驱动器电路中的每个行驱动器电路能够输出处于多于两个供电电压电平的行控制信号。行驱动器电路可以仅包括两个电平移位电路。第一电平移位电路可以控制第一上拉路径,该第一上拉路径可操作以将行驱动器输出部驱动至第一供电电压电平,并且还可以控制第二上拉路径,该第二上拉路径可操作以将行驱动器输出部驱动至第二供电电压电平。第二电平移位电路可以控制第一下拉路径,该第一下拉路径可操作以将行驱动器输出部驱动至第三供电电压电平,并且还可以控制第二下拉路径,该第二下拉路径可操作以将行驱动器输出部驱动至第四供电电压电平。
3 CN110691206A
利用安全像素来检测故障的图像传感器
Under Examination
Title (English): Image sensors for fault detection using security pixels
Publication/Patent Number: CN110691206A Publication Date: 2020-01-14 Application Number: 201910599710.3 Filing Date: 2019-07-04 Inventor: L·蔡   J·r·杜伊   T·鲁勒   M·西文   Assignee: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司   意法半导体亚太私人有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种电子设备,包括图像像素阵列,其中图像像素阵列具有耦合到控制线的输入和耦合到输出线的输出,以及至少一个虚设像素阵列,其中至少一个虚设像素阵列具有耦合到控制线的输入。至少一个虚设像素阵列中的每个虚设像素被配置为在至少一个控制线没有故障的情况下或者在至少一个输出线没有故障的情况下提供特定输出信号,使得由至少一个虚设像素阵列的一个或多个虚设像素对特定输出信号的输出的缺少指示故障。
4 CN110913153A
图像传感器、电子设备以及光脉冲信号检测方法
Public
Title (English): Image sensors, electronic devices and optical pulse signal detection methods
Publication/Patent Number: CN110913153A Publication Date: 2020-03-24 Application Number: 201911108967.0 Filing Date: 2019-11-13 Inventor: 许阳   李志升   郭佳   Assignee: 深圳市南北微电子技术有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明公开了一种图像传感器、电子设备以及光脉冲信号检测方法,图像传感器包括感应像素单元以及常规像素单元,感应像素单元以及常规像素单元呈行列排布,设置在同一行相邻的两个感应像素单元之间设置有至少一个预设的第一间隔距离;分别两行的相邻两个所述感应像素单元之间设置有预设的第二间隔距离;所述图像传感器还包括若干选通控制线;感应像素单元和常规像素单元分别接入选通控制线以控制选通。本发明通过在图像传感器中设置感应像素单元,可以快速检测光脉冲信号的起止和强度,并且不影响所有像素单元积累存储的光生电信号。同时,常规像素单元两个选通管设计确保了在其中一个选通管短路的情况下图像传感器仍能够正常工作。
5 CN111193885A
一种偏振式图像传感器、信号处理方法及存储介质
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111193885A Publication Date: 2020-05-22 Application Number: 202010023286.0 Filing Date: 2020-01-09 Inventor: 杨鑫   Assignee: OPPO广东移动通信有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本申请实施例公开了一种偏振式图像传感器、信号处理方法及存储介质,偏振式图像传感器包括:由三种偏振叠层像素方阵组成的彩色叠层像素方阵,三种偏振叠层像素方阵包括三种尺寸的光电二极管PD柱,三种尺寸的PD柱用于吸收成像光信号在多个预设方向偏振的RGB三色光,并将RGB三色光转换为成像电信号;三种偏振叠层像素方阵中,每种偏振叠层像素方阵包括由同一尺寸的PD柱组成的四个偏振叠层像素单元,四个偏振叠层像素单元中,每个偏振叠层像素单元包括上下排布的两层PD柱,两层PD柱的PD柱排布方向互相垂直且属于多个预设方向;与彩色叠层像素方阵连接的图像处理模块,用于利用成像电信号进行成像处理,得到成像光信号对应的彩色偏振图像。
6 CN211266985U
图像传感器以及电子设备
Valid
Publication/Patent Number: CN211266985U Publication Date: 2020-08-14 Application Number: 201921956110.X Filing Date: 2019-11-13 Inventor: 李志升   郭佳   许阳   Assignee: 深圳市南北微电子技术有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本实用新型公开了一种图像传感器、电子设备,图像传感器包括感应像素单元以及常规像素单元,感应像素单元以及常规像素单元呈行列排布,设置在同一行相邻的两个感应像素单元之间设置有至少一个预设的第一间隔距离;分别两行的相邻两个所述感应像素单元之间设置有预设的第二间隔距离;所述图像传感器还包括若干选通控制线;感应像素单元和常规像素单元分别接入选通控制线以控制选通。本实用新型通过在图像传感器中设置感应像素单元,可以快速检测光脉冲信号的起止和强度,并且不影响所有像素单元积累存储的光生电信号。同时,常规像素单元两个选通管设计确保了在其中一个选通管短路的情况下图像传感器仍能够正常工作。
7 CN210725074U
电子设备
Valid
Publication/Patent Number: CN210725074U Publication Date: 2020-06-09 Application Number: 201921034675.2 Filing Date: 2019-07-04 Inventor: L·蔡   J·r·杜伊   T·鲁勒   M·西文   Assignee: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司   意法半导体亚太私人有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种电子设备,包括图像像素阵列,其中图像像素阵列具有耦合到控制线的输入和耦合到输出线的输出,以及至少一个虚设像素阵列,其中至少一个虚设像素阵列具有耦合到控制线的输入。至少一个虚设像素阵列中的每个虚设像素被配置为在至少一个控制线没有故障的情况下或者在至少一个输出线没有故障的情况下提供特定输出信号,使得由至少一个虚设像素阵列的一个或多个虚设像素对特定输出信号的输出的缺少指示故障。根据本申请的方案,能够尽可能快且准确地检测图像传感器在ADAS系统中的操作中的故障。
8 EP3713222A1
IMAGE SENSOR AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR AND ELECTRONIC DEVICE
Publication/Patent Number: EP3713222A1 Publication Date: 2020-09-23 Application Number: 19813403.3 Filing Date: 2019-01-31 Inventor: Zhan, Chang   Assignee: SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD.   IPC: H04N5/369 Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof, and an electronic device, which is capable of reducing the cost of the image sensor. The image sensor includes: a pixel array module disposed on a first wafer; a signal processing module disposed on a second wafer; an electrical connection module connecting the pixel array module and the signal processing module; wherein the pixel array module is configured to receive an optical signal and convert the optical signal into an electrical signal, and the signal processing module is configured to process the electrical signal.
9 CN111010516A
具有像素结构的图像传感器和图像处理系统
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111010516A Publication Date: 2020-04-14 Application Number: 201910664816.7 Filing Date: 2019-07-23 Inventor: 陈暎究   郑泰燮   金永灿   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种图像传感器,包括:光源,被配置为向目标对象发射光信号;和像素阵列,包括第一像素,第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号,其中,第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组,第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极,第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
10 US10666885B2
Solid-state imaging device comprising a plurality of pixels with plurality of charge detection parts and individual current sources
Publication/Patent Number: US10666885B2 Publication Date: 2020-05-26 Application Number: 16/128,765 Filing Date: 2018-09-12 Inventor: Matsuura, Masakazu   Inobe, Ryuuta   Assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba   Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation   IPC: H04N5/369 Abstract: According to one embodiment, a solid-state imaging device includes a plurality of pixels, a plurality of charge detection parts, a signal line, an output circuit, and a plurality of individual current sources. The pixels are arranged in a first direction. Each of the pixels includes a photoelectric conversion part. The charge detection parts convert signal charges of photoelectric conversion parts of the pixels to voltages. The signal line is commonly connected to the charge detection parts. The output circuit amplifies a signal output of the signal line. The individual current sources are provided for each of the pixels, and are connected to the signal line.
11 CN110730317A
面阵传感器及其形成方法、工作方法
Under Examination
Title (English): Surface array sensor and its forming method and working method
Publication/Patent Number: CN110730317A Publication Date: 2020-01-24 Application Number: 201810777361.5 Filing Date: 2018-07-16 Inventor: 凌严   朱虹   Assignee: 上海箩箕技术有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种面阵传感器及其形成方法、工作方法,面阵传感器包括:传感器电路,传感器电路包括像素单元阵列,像素单元阵列包括N行像素单元;驱动电路,驱动电路包括至少N行移位单元;驱动电路还包括:第一全局清空信号线,第一全局清空信号线分别和各奇数行的移位单元连接,第一全局清空信号线中的信号用于触发各奇数行的移位单元同时开启各奇数行的像素单元,使各奇数行的像素单元同时泄放残留电荷;第二全局清空信号线,第二全局清空信号线分别和各偶数行的移位单元连接,第二全局清空信号线中的信号用于触发各偶数行的移位单元同时开启各偶数行的像素单元,使各偶数行的像素单元同时泄放残留电荷。所述面阵传感器的性能得到提高。
12 CN211580076U
一种图像传感器及图像系统
Valid
Publication/Patent Number: CN211580076U Publication Date: 2020-09-25 Application Number: 201922298696.1 Filing Date: 2019-12-19 Inventor: 朱文俊   许煌志   Assignee: 深圳市春盛海科技有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本实用新型涉及一种图像传感器及图像系统,图像传感器包括:图像传感器本体、图像传感器接口及总线模块,图像传感器接口包括并联设置的多个引脚,多个引脚用于供图像传感器本体与图像控制器连接,并用于供图像传感器本体向图像控制器传输第一信号以及供图像控制器向图像传感器本体传输第二信号;总线模块与图像控制器通信连接,总线模块用于控制第一信号和/或第二信号在图像传感器本体和图像控制器之间的传输的速率和方式以及对第一信号和/或第二信号进行功能替换,以减小图像传感器接口设置的引脚的数量并使第一信号和第二信号在图像传感器本体和图像控制器之间保持并行传输。
13 CN210781070U
结合图像传感器的智能辨识单芯片
Valid
Publication/Patent Number: CN210781070U Publication Date: 2020-06-16 Application Number: 201921936895.4 Filing Date: 2019-11-11 Inventor: 吴日正   Assignee: 吴日正   IPC: H04N5/369 Abstract: 本实用新型为一种结合图像传感器的智能辨识单芯片,主要结合低功耗的黑白图像传感器、图像预处理器、动态检测器、缩放阵列、图像撷取器、与微处理器等,形成单芯片系统结构,藉由微处理器控制图像传感器获取图像,经预处理、缩放,同时配合动态检测器和图像撷取器,获得可以用于图像辨识的特征向量,提供快速图像辨识功能,而无需动态或静态随机存取内存,及云端连网,增进实用进步性。
14 CN111726550A
图像传感器像素电路及图像传感器像素电路的工作方法
Public
Publication/Patent Number: CN111726550A Publication Date: 2020-09-29 Application Number: 202010779482.0 Filing Date: 2020-08-05 Inventor: 任张强   Assignee: 锐芯微电子股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种图像传感器像素电路及图像传感器像素电路的工作方法,包括:像素阵列,像素阵列包括:呈M×N阵列排布的像素单元,M为大于或等于1的自然数,N为大于或等于1的自然数;呈M×N阵列排布的第一晶体管;呈M×N阵列排布的第二晶体管,任意一个像素单元的输入端与一个第一晶体管的源极以及一个第二晶体管的源极连接;电源网络,包括:N根第n电源线,n为1至N任一自然数,任一第n电源线与第N列的M个第一晶体管的漏极连接,且任一第n电源线与第N‑1列的M个第二晶体管的漏极连接;短路检测模块,短路检测模块分别与第n电源线、呈M×N阵列排布的第一晶体管的栅极以及呈M×N阵列排布的第二晶体管的栅极连接。图像传感器的良率提升。
15 CN111385499A
双转换增益图像传感器的实现方法
Under Examination
Publication/Patent Number: CN111385499A Publication Date: 2020-07-07 Application Number: 201811615515.7 Filing Date: 2018-12-27 Inventor: 赵立新   乔劲轩   李敏兰   Assignee: 格科微电子(上海)有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明提供一种双转换增益图像传感器的实现方法,包括:图像传感器产生的像素信号经第一隔直电容后作为比较器的像素输入信号,斜坡发生器产生的斜坡信号经第二隔直电容后作为比较器的斜坡输入信号,比较器对像素输入信号和斜坡输入信号进行比较后输出数字信号;图像传感器的浮置扩散区由低转换增益切换到高转换增益时,由于对浮置扩散区产生额外的电荷注入,导致像素输入信号偏移;通过对斜坡输入信号进行补偿,匹配像素输入信号的偏移,提高像素信号转换为数字信号的准确性。本发明在不改变时钟频率和信号处理时间,避免版图面积增加的前提下,消除增益切换过程中对浮置扩散区额外的电荷注入导致的影响,提高像素信号转换为数字信号的准确性。
16 CN111726548A
图像传感器的像素和图像传感器
Public
Publication/Patent Number: CN111726548A Publication Date: 2020-09-29 Application Number: 202010156636.0 Filing Date: 2020-03-09 Inventor: 王一兵   石立龙   金鑛旿   王春吉   Assignee: 三星电子株式会社   IPC: H04N5/369 Abstract: 公开图像传感器的像素和图像传感器。所述图像传感器的像素包括钉扎光电二极管(PPD)、开关器件和输出电路。开关器件的第一端子连接到PPD。开关器件的第二端子连接到浮置扩散部(FD)。开关器件的第三端子连接到第一使能信号和第二使能信号。开关器件响应于第一使能信号而将PPD上的第一电荷传送到FD,并且响应于第二使能信号而将PPD上的第二电荷传送到FD。输出电路输出基于第一电荷的第一电压,并且输出基于第二电荷的第二电压,其中,第一电压与一个或多个检测到的光子的飞行时间对应,并且第二电压与灰度图像对应。
17 US10559608B2
Solid-state imaging device with light shielding film and driving method thereof, and electronic apparatus
Publication/Patent Number: US10559608B2 Publication Date: 2020-02-11 Application Number: 16/243,915 Filing Date: 2019-01-09 Inventor: Okuno, Jun   Yamashita, Kazuyoshi   Assignee: Sony Corporation   IPC: H01L27/146 Abstract: The present technology relates to a solid-state imaging device and a driving method thereof, and an electronic apparatus that make it possible to improve the precision of phase difference detection while suppressing deterioration of resolution in a solid-state imaging device having a global shutter function and a phase difference AF function. Provided is a solid-state imaging device including: a pixel array unit including, as pixels including an on-chip lens, a photoelectric conversion unit, and a charge accumulation unit, imaging pixels for generating a captured image and phase difference detection pixels for performing phase difference detection arrayed therein; and a driving control unit configured to control driving of the pixels. The imaging pixel is formed with the charge accumulation unit shielded from light. The phase difference detection pixel is formed in a manner that at least part of at least one of the photoelectric conversion unit and the charge accumulation unit refrains from being shielded from light. The present technology can be applied to, for example, a CMOS image sensor.
18 US2020314373A1
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
Publication/Patent Number: US2020314373A1 Publication Date: 2020-10-01 Application Number: 16/831,985 Filing Date: 2020-03-27 Inventor: Miura, Noriyuki   Assignee: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.   IPC: H04N5/369 Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device and a method of manufacturing a solid-state imaging device, including preparing an SOI wafer in which a silicon layer is disposed on an FZ wafer that is a silicon wafer manufactured according to an FZ method, with an insulation layer being interposed between the silicon layer and the FZ wafer, removing a part of the silicon layer, as an element isolation region, to form a trench for division of the silicon layer, and forming plural circuit elements that each include at least a part of the silicon layer other than the element isolation region, and which are isolated from each other by the element isolation region.
19 CN107852471B
固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备
Valid
Publication/Patent Number: CN107852471B Publication Date: 2020-09-18 Application Number: 201680022294.5 Filing Date: 2016-03-18 Inventor: 高柳功   田中俊介   松尾慎一郎   大仓俊介   岩田周祐   藤野毅   汐崎充   熊木武志   久保田贵也   白畑正芳   Assignee: 普里露尼库斯股份有限公司   学校法人立命馆   IPC: H04N5/369 Abstract: 固体摄像装置(10)包括:像素部(20),呈行列状地排列有包括光电二极管的多个像素;读出部,从像素部(20)进行像素信号的读出;以及密钥生成部(82),使用像素的偏差信息以及读出部的偏差信息中的至少任一个来生成固有密钥。通过该构成,能够确保固有密钥的防篡改性,进而能够防止图像的篡改、伪造。
20 US10644055B2
Photoelectric conversion apparatus including silicon oxide film and silicon nitride layers, equipment including photoelectric conversion apparatus, and manufacturing method of photoelectric conversion apparatus
Publication/Patent Number: US10644055B2 Publication Date: 2020-05-05 Application Number: 16/030,717 Filing Date: 2018-07-09 Inventor: Kodaira, Shinji   Okabe, Takehito   Yomori, Mitsuhiro   Endo, Nobuyuki   Tezuka, Tomoyuki   Shoyama, Toshihiro   Iwata, Jun   Assignee: Canon Kabushiki Kaisha   IPC: H04N5/369 Abstract: A photoelectric conversion apparatus includes a semiconductor substrate including a photoelectric conversion portion, a metal containing portion provided on the semiconductor substrate, an interlayer insulation film arranged on the semiconductor substrate to cover the metal containing portion, a first silicon nitride layer arranged on the photoelectric conversion portion to include a portion lying between the interlayer insulation film and the semiconductor substrate, a silicon oxide film including a portion arranged between the first silicon nitride layer and the photoelectric conversion portion, and a portion arranged between the interlayer insulation film and the metal containing portion, a second silicon nitride layer arranged between the silicon oxide film and the metal containing portion.