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1
CN212628128U
一种用于图像传感器的散热装置
Grant
Publication/Patent Number: CN212628128U Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 202021905678.1 Filing Date: 2020-09-03 Inventor: 肖昌林   Assignee: 深圳市光太科技有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本实用新型公开一种用于图像传感器的散热装置,包括设备舱,设备舱的一侧固定有热电制冷片,设备舱于其内部安装有与热电制冷片贴合的散热扇,设备舱相远离的两侧对称开设有滑槽,滑槽的内部插接有滑杆,设备舱的侧面靠近滑槽处开设有转孔,转孔的内部插接有转杆,转孔的内壁靠近底端处与滑槽相通,热电制冷片的散热端与散热扇的吸气端贴合,且两者的电源输入端通过导线与图像传感器的载板连接,滑槽的两端分别贯穿设备舱的侧面和顶面,设备舱四个侧面均开设有与散热扇吸气端相通的气孔。通过以上各装置的配合使用,在能够实现对图像传感器散热的同时,还能够实现于多种传感器载板上固定散热器,并实现对图像传感器的散热。
2
CN112449129A
一种具有环绕驱动的网状像素结构
Public
Publication/Patent Number: CN112449129A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 201910802295.7 Filing Date: 2019-08-28 Inventor: 徐江涛   李嘉文   聂凯明   高静   查万斌   Assignee: 天津大学青岛海洋技术研究院   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种具有环绕驱动的网状像素结构,包括电荷转移栅极(TX0,TX1),复位晶体管(RST1,RST0),源极跟随放大器(M0,M1)和像素选择晶体管(S),且为左右对称;所有组成均为NMOS管;该结构采用全局快门方法以增大深度精度,同时还解决在高调制频率下从而解决电荷转移速率过慢带来的相位信息错乱成像质量不高的问题,并采用双调制频率在既保证了探测距离的条件下,又保证了三维图像传感器的精度。
3
CN112367483A
多线阵图像传感器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112367483A Publication Date: 2021-02-12 Application Number: 202011164165.4 Filing Date: 2020-10-27 Inventor: 任张强   Assignee: 锐芯微电子股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种多线阵图像传感器,包括:控制单元、一组列并行ADC和N个线阵图像传感器,N>1;每个线阵图像传感器包括:一个像素阵列和M个输出电路,M>1,所述像素阵列包括M列像素单元,所述M列像素单元和M个输出电路一一对应;所述一组列并行ADC包括M个ADC,所述M个ADC和每个线阵图像传感器中的M个输出电路一一对应连接;所述控制单元适于产生N组电极信号,第n个线阵图像传感器对应第n组电极信号,N≥n>1;第n组电极信号与第n‑1组电极信号之间具有第一时间间隔,第n个线阵图像传感器中的像素阵列和第n‑1个线阵图像传感器中的像素阵列之间的距离为第一间距,所述第一间距与像素单元的尺寸和第一时间间隔相关。
4
CN112449131A
多功能图像传感器电路
Public
Publication/Patent Number: CN112449131A Publication Date: 2021-03-05 Application Number: 202010869105.6 Filing Date: 2020-08-26 Inventor: 王睿   海老原弘知   船津英一   Assignee: 豪威科技股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本申请案涉及一种多功能图像传感器电路。光电二极管阵列电路包含多个光电二极管电路、分级电路系统及多个输出电路。所述多个光电二极管电路中的每一者经耦合以接收所述多个传送控制信号中的不同的一者作为在第一方向上邻近的邻近光电二极管电路。所述分级电路系统经耦合以响应于分级控制信号而将所述多个光电二极管电路电连接成光电二极管电路感测节点群组。所述多个输出电路中的每一者耦合到所述光电二极管电路感测节点群组中的一者。所述多个输出电路中的每一者经耦合以从所述光电二极管电路感测节点群组中的所述一者中的所述光电二极管电路接收所述输出电荷,并且响应于所述输出电荷及行选择信号而将输出信号输出到位线。
5
CN212413304U
图像传感器
Grant
Publication/Patent Number: CN212413304U Publication Date: 2021-01-26 Application Number: 202021575508.1 Filing Date: 2020-07-31 Inventor: 曲涛   Assignee: 威海华菱光电股份有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本实用新型提供了一种图像传感器,包括:壳体;透镜和光电转换件,透镜和光电转换件均设置在壳体上,透镜与光电转换件相对设置;活动组件,可活动地设置在壳体上,活动组件位于壳体的侧部;发光件,设置在活动组件上,以通过活动组件带动发光件运动。通过本实用新型提供的技术方案,能够解决现有技术中的图像传感器的成像清晰度较低的技术问题。
6
CN108462845B
成像设备、成像系统和具有像素和连接晶体管的移动体
Grant
Publication/Patent Number: CN108462845B Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201810150924.8 Filing Date: 2018-02-13 Inventor: 小林秀央   Assignee: 佳能株式会社   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明公开了成像设备、成像系统和具有像素和连接晶体管的移动体。根据示例性实施例的成像设备包括:多个像素和连接晶体管,所述多个像素中的每一个包括光电转换单元、放大晶体管和选择晶体管,所述放大晶体管输出基于所述光电转换单元中产生的电荷的信号,所述选择晶体管连接输出线和所述放大晶体管的源极。所述连接晶体管包括两个节点,所述两个节点之间的导通状态由供给到所述连接晶体管的栅极的信号控制。所述两个节点中的一个连接到包括在所述多个像素中的第一像素的放大晶体管的源极。所述两个节点中的另一个节点连接到包括在所述多个像素中的第二像素的放大晶体管的源极。
7
CN109151348B
一种图像处理方法、电子设备及计算机可读存储介质
Grant
Publication/Patent Number: CN109151348B Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201811142613.3 Filing Date: 2018-09-28 Inventor: 陈海新   Assignee: 维沃移动通信有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明提供一种图像传感器、图像处理方法及电子设备,以解决电子设备提取出来的图像效果较差的问题。其中,图像传感器包括至少两个子像素,每一个子像素均包括感光单元和光强变化检测单元,基于上述结构,电子设备读取每一个光强变化检测单元输出的记录光强变化的第一电信号;根据第一电信号从图像传感器的子像素集合中选择目标子像素,目标子像素对应的第一电信号的强度值大于或等于预设阈值;利用目标子像素对应的感光单元输出的第二电信号生成图像。这样,在子像素获取的光强值发生变化时,控制光强值发生变化的目标子像素输出电信号,可以得到被拍摄对象的图像,由于不需要对图像进行分割,图像的效果较好。
8
CN112291491A
传感器组件和图像信号处理系统
Public
Publication/Patent Number: CN112291491A Publication Date: 2021-01-29 Application Number: 202011311015.1 Filing Date: 2020-11-20 Inventor: 何伟   沈杨书   Assignee: 北京灵汐科技有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 本发明公开了一种传感器组件和图像信号处理系统。该传感器组件包括:基板;传感器单元,设置于基板上,用于获取图像信号;压缩单元,设置于基板的上,并与图像传感器单元电连接,用于压缩图像信号。上述技术方案,压缩单元和传感器单元之间直接电连接,减少传感器单元与压缩单元之间的接口设置,从而可以避免接口的数据传输速率限制传感器单元与压缩单元之间的数据传输速率,增加了传感器单元和压缩单元之间的数据传输速率。在图像信号经过压缩单元进行压缩后,压缩单元可以减少图像信号的数据量。经过压缩单元压缩后的图像信号再次传输时,可以降低对数据传输接口的需求,实现传感器组件高速传输图像信号,提高了图像通信的时效性。
9
CN112243095A
像素合成模式下的PD像素的读取方法及装置、存储介质、图像采集设备
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112243095A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 202011050112.X Filing Date: 2020-09-29 Inventor: 陈孟儒   吉倩倩   田明明   Assignee: 格科微电子(上海)有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种像素合成模式下的PD像素的读取方法及装置、存储介质、图像采集设备,所述方法包括:将图像传感器像素阵列中包含所述PD像素的像素行记为PD像素行,将除所述PD像素行之外的其他像素行记为非PD像素行;针对各个最小处理单元,将所述非PD像素行分为至少两个非PD像素行组,每个非PD像素行组包含一行或多行;根据各个非PD像素行组中的非PD像素行,进行第一合成读取,以得到各个非PD像素行组的读取数据;根据所述各个非PD像素行组的读取数据,进行第二合成读取。本发明可以提高读取效率,并且使得读取数据携带更多PD像素的特性。
10
CN112243096A
像素合成模式下的像素读取方法及装置、存储介质、图像采集设备
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112243096A Publication Date: 2021-01-19 Application Number: 202011056486.2 Filing Date: 2020-09-30 Inventor: 陈孟儒   吉倩倩   徐东超   Assignee: 格科微电子(上海)有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种像素合成模式下的像素读取方法及装置、存储介质、图像采集设备,所述方法包括:将图像传感器像素阵列中包含PD像素的像素行记为PD像素行,将除所述PD像素行之外的其他像素行记为非PD像素行,所述图像传感器像素阵列包含多个最小处理单元,每个最小处理单元包含2M×2N个相邻的像素,其中,每个最小处理单元包含一个或多个PD像素,m、n为正整数且m≥2,n≥2;针对各个最小处理单元,对所述非PD像素行进行合成读取,以得到各个非PD像素行的读取数据,并且不对所述PD像素行进行读取。本发明可以提高含有PD像素的图像传感器在不进行自动聚焦操作时的图像效果。
11
CN112400231A
固态摄像装置和电子设备
Publication/Patent Number: CN112400231A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 201980044860.6 Filing Date: 2019-07-08 Inventor: 山下浩史   岛田翔平   大竹悠介   田中裕介   若野寿史   Assignee: 索尼半导体解决方案公司   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明提供了固态摄像装置和电子设备,它们能够在多个单位像素分别含有两个以上子像素的像素构造中既实现高动态范围操作又实现自动对焦操作。本发明提供了一种固态摄像装置,其包括:第一像素分离区域,其将分别含有两个以上子像素的多个单位像素分离;以及第二像素分离区域,其将由所述第一像素分离区域分离的所述多个单位像素中的各者分离;溢流区域,其致使累积于所述子像素中的信号电荷溢流到相邻子像素中的至少一者,其中,所述溢流区域被形成在第一子像素和第二子像素之间。
12
US2021036036A1
IMAGING DEVICE AND IMAGING SYSTEM
Publication/Patent Number: US2021036036A1 Publication Date: 2021-02-04 Application Number: 17/063,187 Filing Date: 2020-10-05 Inventor: Kobayashi, Hirokazu   Hirose, Hisataka   Kumaki, Satoshi   Matsuo, Yasuhiro   Assignee: CANON KABUSHIKI KAISHA   IPC: H01L27/146 Abstract: An imaging device comprises pixels. The pixel includes first semiconductor regions of a first conductivity type provided in a surface part of a semiconductor substrate and a second semiconductor region of a second conductivity type provided in the surface part of the semiconductor substrate between the first semiconductor regions. The pixel includes: a light-receiving unit in which photodiodes each configured between the second semiconductor region and one of the first semiconductor regions; quenching circuits, each connected to a corresponding one of the first semiconductor regions; and a counter unit connected to each of connection nodes between the first semiconductor regions and the quenching circuits and counts a pulse generated in response to a photon being incident on the light-receiving unit. The second semiconductor region is provided across a deeper part of the semiconductor substrate than the first semiconductor regions.
13
CN112218011A
一种图像传感器
Substantial Examination
Publication/Patent Number: CN112218011A Publication Date: 2021-01-12 Application Number: 201910556491.0 Filing Date: 2019-06-25 Inventor: 戴亚翔   赖宠文   Assignee: 上海耕岩智能科技有限公司   IPC: H04N5/369 Abstract: 一种图像传感器,包括:基板,所述基板包括并列分布于同一面的第一区域和第二区域;阵列排布的多个像素,其中,所述多个像素位于所述第一区域,每一所述像素包括串联连接的第一感光元件和像素开关,所述第一感光元件适于生成第一电信号,所述第一电信号由信号光和环境光转换获得;m个第二感光元件,其中,所述m个第二感光元件位于所述第二区域,所述第二感光元件适于生成第二电信号,所述第二电信号由所述环境光转换获得,m为正整数。通过本发明提供的方案能够有效消除环境光对图像采集结果的影响,提高成像质量。
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CN112399116A
成像电路
Publication/Patent Number: CN112399116A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 202010798899.1 Filing Date: 2020-08-11 Inventor: R·潘尼卡西   T·格蒂斯   Assignee: 半导体元件工业有限责任公司   IPC: H04N5/378 Abstract: 本发明公开了成像电路,该成像电路可包括用于在模拟域中实施充电模式特征提取的电路。该成像电路可包括被配置为产生像素值的像素。然后可使用可调加权电路对该像素值进行加权,以产生对应的加权像素值。然后可将该加权像素值组合以获得神经网络中至少一层的输出神经元电压。该输出神经元电压可存储在空闲像素中,可与其他加权像素值组合,并且可在该数字域中进行处理之前被进行其他操作。在该模拟域中对该神经网络中每一层结果执行特征提取,通过避免了将数据移至常规数字存储器的需求,而节省了功率和面积。
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CN112420752A
基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法
Public
Publication/Patent Number: CN112420752A Publication Date: 2021-02-26 Application Number: 201910769848.3 Filing Date: 2019-08-20 Inventor: 万景   Assignee: 复旦大学   IPC: H01L27/146 Abstract: 本发明公开了一种基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法,通过在漏极区域、源极区域、沟道区域和衬底区域引入特殊的掺杂体系,在漏极区域、源极区域施加电压脉冲,提高沟道区域的电势,形成了能够收集光电子的耗尽区域。其优点是:本发明使用单个晶体管完成光电传感、电荷积分、缓冲放大和阵列选通的功能,原位读出光生电子,无需CCD传感器中的转移读出电荷,也无须如CMOS像素传感器中的额外晶体管进行电荷积分、信号放大和选通,具有高量子效率和低功耗等优点,这也大大降低像素单元的复杂度,增大有效传感面积,从而实现高灵敏度,低功耗和高速的图像传感。
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US2021029315A1
SOLID STATE IMAGING DEVICE, IMAGING APPARATUS, AND IMAGING METHOD
Publication/Patent Number: US2021029315A1 Publication Date: 2021-01-28 Application Number: 17/067,471 Filing Date: 2020-10-09 Inventor: Sakato, Kazuma   Horikawa, Yohei   Assignee: CANON KABUSHIKI KAISHA   IPC: H04N5/369 Abstract: Provided are a solid state imaging device, an imaging apparatus, and an imaging method that may acquire a desired image without using a frame memory. The solid state imaging device includes: a sensor unit that generates pulses at a frequency in accordance with a frequency of photon reception; a count unit that generates an image signal by counting the number of signals generated from the sensor unit; and a processing unit that performs a predetermined process on a count value obtained in acquisition of a first image signal, and the count unit combines a second image signal and a value obtained by performing a predetermined process on the count value obtained in the acquisition of the first image signal to generate a third image signal.
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CN112399108A
一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构
Publication/Patent Number: CN112399108A Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 201910745236.0 Filing Date: 2019-08-13 Inventor: 徐江涛   李凤   史兴萍   王瑞硕   夏梦真   Assignee: 天津大学青岛海洋技术研究院   IPC: H04N5/374 Abstract: 一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构,包含6个行驱动模块、6个VDD端口以及6个VSS端口;行控制信号PC、RST和TG的行驱动模块位于像素阵列的左侧,行控制信号S1、S2和SEL的行驱动模块位于像素阵列的右侧;该供电结构相对于传统的CMOS图像传感器驱动模块供电结构设计,能大幅度提高传感器驱动模块的供电能力;消除了传统结构引入的信号衰减现象,提高了8T高分辨率CMOS图像传感器的成像质量和性能。
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CN108174124B
像素电路及其驱动方法以及探测器
Grant
Publication/Patent Number: CN108174124B Publication Date: 2021-02-19 Application Number: 201810083880.1 Filing Date: 2018-01-29 Inventor: 段立业   史永明   张春倩   梁魁   刘晓惠   Assignee: 京东方科技集团股份有限公司   IPC: H04N5/32 Abstract: 本发明的实施例提供一种像素电路及其驱动方法,以及包括该像素电路的探测器。该像素电路包括:光电转换电路、复位电路、放大电路、第一控制电路、第二控制电路、存储电路以及输出电路。光电转换电路被配置为将光信号转换成电信号。复位电路被配置为复位第一节点的电压。放大电路被配置为放大第一节点的电压。第一控制电路被配置为根据来自第一控制端的电压信号和来自第二电压端的第二电压,控制第二节点的电压。第二控制电路被配置为根据来自第二控制端的电压信号和第一节点的电压,控制第三节点的电压。存储电路被配置为存储由放大电路输出的电压所对应的电荷。输出电路被配置为在第三控制端的电压信号的控制下,输出存储电路所存储的电荷。
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CN112204743A
摄像装置
Public
Publication/Patent Number: CN112204743A Publication Date: 2021-01-08 Application Number: 201980034442.9 Filing Date: 2019-10-07 Inventor: 矶野俊介   百濑龙典   境田良太   Assignee: 松下知识产权经营株式会社   IPC: H01L27/146 Abstract: 本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备光电转换层、第1像素电极、第2像素电极、屏蔽电极和第1屏蔽过孔。光电转换层将入射光转换为电荷。第1像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极在第1方向上与第1像素电极相邻。屏蔽电极与第1像素电极及第2像素电极电分离。第1屏蔽过孔从屏蔽电极延伸。在平面视中,第1屏蔽过孔位于第1像素电极与第2像素电极之间。
20
US10930693B2
Semiconductor devices including support region and methods of forming the same
Publication/Patent Number: US10930693B2 Publication Date: 2021-02-23 Application Number: 16/540,713 Filing Date: 2019-08-14 Inventor: Lee, Jae Kyu   Kim, Ji Yoon   Kim, Seung Sik   Seo, Min Woong   Song, Ji Youn   Assignee: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.   IPC: H01L27/146 Abstract: A semiconductor device includes a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A device isolation layer which defines a first region, a second region, and a support region in the substrate. The second region has a smaller width than the first region, and the support region is between the first region and the second region. A photoelectric conversion element is in the first region. The support region is continuous with the first region and the second region. The device isolation layer has an integral insulation structure which extends through the substrate from the first surface of the substrate to the second surface of the substrate.
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